衛(wèi)星通信系統使用復雜的調制方案，以實現極快的數據速率用于傳遞視頻和寬帶數據。因此，它們必須具備高射頻輸出功率，同時確保信號保持其理想的特征。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器，以滿足上述要求。

這款新器件是Microchip的首款GaN MMIC（氮化鎵單片微波集成電路），專為商業(yè)和國防衛(wèi)星通信、5G網絡以及其他航空航天和國防系統而設計。

GMICP2731-10采用碳化硅基氮化鎵技術制造。它可在27.5至31 GHz之間的3.5 GHz帶寬上提供高達10W的飽和射頻輸出功率。GMICP2731-10的功率在此基礎上可再提高20%；小信號增益為22 dB；回波損耗為15 dB。此外，新器件具有平衡結構，可以很好地匹配50歐姆電阻，并在輸出端集成直流阻斷電容，以簡化設計集成。

Microchip分立式產品業(yè)務部副總裁Leon Gross表示：“隨著通信系統采用128-QAM等復雜的調制方案，以及固態(tài)功率放大器（SSPA）功率不斷上升，射頻功率放大器設計人員面臨著困難的挑戰(zhàn)，即在尋找更高的功率解決方案的同時降低重量和功耗。與GaAs同類產品相比，高功率SSPA中使用的GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量，這對衛(wèi)星OEM來說是一個巨大的優(yōu)勢。新產品體現了氮化鎵技術的優(yōu)勢，滿足了原始設備制造商對尺寸、重量、功耗和成本的要求。”

GMICP2731-10進一步擴大了Microchip現有的產品陣容，包括砷化鎵MMIC射頻功率放大器、開關、低噪聲放大器和Wi-Fi®前端模塊，以及用于雷達系統的硅基氮化鎵高電子移動性晶體管（HEMT）驅動器和最終放大器晶體管。

開發(fā)工具

         Microchip提供電路板設計支持，以幫助進行設計，分銷合作伙伴也提供相關支持。Microchip還提供GMICP2731-10精簡模型，使客戶能夠更容易地對系統中功率放大器的性能進行建模并加快設計。

供貨

GMICP2731-10現已量產。