【2024年3月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5.4 mm。該半導體器件得益于其較低的開關損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統(tǒng)和電動汽車充電應用。

采用TO247-4-4封裝的2000 V CoolSiC? MOSFET

CoolSiC? MOSFET 2000 V產品系列適用于最高1500 VDC 的高直流母線系統(tǒng)。與 1700 V SiC MOSFET相比，這些器件還能為1500 VDC系統(tǒng)的過壓提供更高的裕量。CoolSiC? MOSFET的基準柵極閾值電壓為4.5 V，并且配備了堅固的體二極管來實現(xiàn)硬換向。憑借.XT 連接技術，這些器件可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。

除了2000 V CoolSiC? MOSFET之外，英飛凌很快還將推出配套的CoolSiC?二極管：首先將于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引腳封裝的 2000 V 二極管產品組合，隨后將于 2024年第四季度推出采用 TO-247-2 封裝的 2000 V CoolSiC?二極管產品組合。這些二極管非常適合太陽能應用。此外，英飛凌還提供與之匹配的柵極驅動器產品組合。

供貨情況

CoolSiC? MOSFET 2000 V產品系列現(xiàn)已上市。另外，英飛凌還提供相應的評估板EVAL-COOLSIC?-2KVHCC。開發(fā)者可以將該評估板作為一個精確的通用測試平臺，通過雙脈沖或連續(xù)PWM操作來評估所有CoolSiC? MOSFET 和2000 V二極管以及 EiceDRIVER? 緊湊型單通道隔離柵極驅動器1ED31xx 產品系列。更多信息，敬請訪問 www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,600名員工，在2023財年（截至9月30日）的營收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國的OTCQX國際場外交易市場上市（股票代碼：IFNNY）。

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英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長，在中國擁有約3,000多名員工，已經成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業(yè)鏈，并在銷售、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。