【2025年4月22日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN™ G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設(shè)計(jì)，降低了用料成本。

集成肖特基二極管的CoolGaN™ G5晶體管

在硬開關(guān)應(yīng)用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD ）較大，基于GaN的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時(shí)間較長，那么這種情況就會(huì)更加嚴(yán)重，導(dǎo)致效率低于目標(biāo)值。目前功率器件設(shè)計(jì)工程師通常需要將外部肖特基二極管與GaN晶體管并聯(lián)，或者通過控制器縮短死區(qū)時(shí)間。然而，無論哪種方法都需耗費(fèi)額外的精力、時(shí)間和成本。而英飛凌新推出的 CoolGaN™ G5晶體管是一款集成了肖特基二極管的GaN晶體管，能顯著緩解此類問題，適用于服務(wù)器和電信中間總線轉(zhuǎn)換器IBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU） 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場景。

英飛凌科技中壓GaN產(chǎn)品線副總裁Antoine Jalabert表示：“隨著GaN技術(shù)在功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用日益廣泛，英飛凌意識(shí)到需要不斷改進(jìn)和提升這項(xiàng)技術(shù)，才能滿足客戶不斷變化的需求。此次推出的集成了肖特基二極管的CoolGaN™ G5晶體管體現(xiàn)了英飛凌致力于加快以客戶為中心的創(chuàng)新步伐，進(jìn)一步推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展。”

由于缺乏體二極管，GaN晶體管的反向傳導(dǎo)電壓（VRC）取決于閾值電壓（VTH）和關(guān)斷態(tài)下的柵極偏置偏壓（VGS）。此外，GaN晶體管的VTH 通常高于硅二極管的導(dǎo)通電壓，這就導(dǎo)致了反向傳導(dǎo)工作（也稱為第三象限）期間的劣勢。因此，采用這種新型CoolGaN™ 晶體管后，反向傳導(dǎo)損耗降低，能與更多高邊柵極驅(qū)動(dòng)器兼容，且由于死區(qū)時(shí)間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著簡化設(shè)計(jì)。

首款集成肖特基二極管的GaN晶體管為采用3 x 5 mm PQFN 封裝的100 V 1.5 mΩ晶體管。

供貨情況

工程樣品和目標(biāo)數(shù)據(jù)表可應(yīng)要求提供。

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關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約58,060名員工（截至2024年9月底），在2024財(cái)年（截至9月30日）的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國的OTCQX國際場外交易市場上市（股票代碼：IFNNY）。

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英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長，在中國擁有約3,000多名員工，已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術(shù)應(yīng)用支持、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。