
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測試方法,為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案,并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。
雙脈沖測試的目標(biāo)參數(shù)
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時,理想狀態(tài)是功率損耗為零,但現(xiàn)實(shí)中開關(guān)損耗不可避免。傳統(tǒng)的硅基轉(zhuǎn)換器效率約為87%至90%,這意味著10%至13%的輸入功率以廢熱形式耗散,其中大部分損耗發(fā)生在MOSFET或IGBT等開關(guān)器件中。因此,精確測量這些器件的開關(guān)參數(shù)對于優(yōu)化設(shè)計(jì)、提升效率至關(guān)重要。
雙脈沖測試是測量MOSFET或IGBT開關(guān)參數(shù)的首選方法,被廣泛應(yīng)用于JEDEC和IEC標(biāo)準(zhǔn)中,如JEP182、JESD24-10、IEC 60747-9等。該測試方法能夠在受控的電壓、電流和溫度條件下,通過脈沖限制被測器件(DUT)的自發(fā)熱并保持穩(wěn)定的結(jié)溫,從而準(zhǔn)確測量開關(guān)參數(shù)。
雙脈沖測試的目標(biāo)是測量以下開關(guān)參數(shù):
-導(dǎo)通參數(shù):包括導(dǎo)通延遲時間td(on)?、VDS下降時間tf?、導(dǎo)通時間ton?、最大漏極電流ID?、dv/dt、di/dt、導(dǎo)通能量Eon?和動態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)?。
-關(guān)斷參數(shù):包括關(guān)斷延遲時間td(off)?、VDS上升時間tr?、關(guān)斷時間toff?、最大漏源電壓VDSM?、dv/dt、di/dt、關(guān)斷能量Eoff?和輸出電荷Qoss?。
-反向恢復(fù)參數(shù):包括反向恢復(fù)時間tr?、反向恢復(fù)電流Ir?、反向恢復(fù)電荷Qrr?、反向恢復(fù)能量Err?和正向?qū)妷篤SD?。
雙脈沖測試的三階段
典型的雙脈沖測試電路如圖1所示,通過高側(cè)和低側(cè)FET的配置,實(shí)現(xiàn)對功率器件的精確測量。
測試分為三個重要階段:
1)建立目標(biāo)測試電流,調(diào)整第一個脈沖的寬度以通過負(fù)載電感提供所需的測試電流。
2)第一個脈沖的關(guān)斷及測量,此時Id已達(dá)到目標(biāo)測試電流,并在功率器件關(guān)斷時降至零。測量關(guān)斷延遲(td(off))、下降時間( tf )、關(guān)斷時間( toff)、關(guān)斷能量(Eoff)、dv/dt 和di/dt。負(fù)載電流從負(fù)載電感流經(jīng)續(xù)流二極管。關(guān)斷時間保持較短以將負(fù)載電流維持在目標(biāo)Id。
3)第二個脈沖的導(dǎo)通及測量,在此階段進(jìn)行導(dǎo)通測量,目標(biāo)Id開始重新流入功率器件。導(dǎo)通期間的電流過沖是由于續(xù)流二極管反向恢復(fù)時的暫時過量電流。第二個脈沖寬度僅保持足夠長以確保穩(wěn)定測量,同時避免過熱。
圖1:用于測量低側(cè)FET開關(guān)損耗的雙脈沖測試電路;圖2:以MOSFET為DUT的電流流向;圖3:以IGBT為DUT的電流流向。
圖4:雙脈沖測試波形。頂部波形顯示施加到柵極或柵極驅(qū)動器的信號。底部信號是對應(yīng)的漏極電流(Ic)和漏源電壓(VDS)。測量在第1和第2階段以及第2和第3階段之間的過渡處進(jìn)行。
泰克科技的雙脈沖測試解決方案
泰克科技提供全面的儀器、探頭和軟件,以滿足雙脈沖測試的需求。典型的儀器配置包括:
信號源:提供柵極驅(qū)動信號,通常使用任意/函數(shù)發(fā)生器(AFG),如AFG31000系列或內(nèi)置在示波器中的AFG。
直流電源:提供足夠的漏極電壓和電流,如EA–PSI 10000可編程電源或Keithley 2657A高壓源測量單元。
多通道數(shù)字示波器:用于采集和測量VDS、VGS和ID,如泰克5系列B MSO,4 系列B MSO 和6 系列B MSO 操作相同,只是規(guī)格不同。
示波器探頭:探頭選擇對獲得有效結(jié)果至關(guān)重要,泰克科技提供多種探頭以滿足不同測試需求。
雙脈沖測試應(yīng)用軟件:如4、5和6系列B MSO的雙脈沖測試軟件Opt. WBG-DPT,有助于進(jìn)行可重復(fù)的測量。
泰克科技的雙脈沖測試解決方案具有顯著優(yōu)勢。其自動化測量功能相比手動測試方法,能夠顯著提高測量效率和準(zhǔn)確性。此外,泰克科技還提供詳細(xì)的雙脈沖測試示例詳解,包括導(dǎo)通能量與關(guān)斷能量計(jì)算方法、反向恢復(fù)能量損耗計(jì)算公式等。
《SiC功率器件》新版深入探討雙脈沖測試
《SiC功率器件:特性、測試和應(yīng)用技術(shù)》第二版即將重磅發(fā)布,其作者高遠(yuǎn)先生作為泰克科技的資深行業(yè)專家,憑借多年在碳化硅器件測試與表征領(lǐng)域的深厚積累,為本書注入了極具價值的專業(yè)內(nèi)容。此次新書不僅對SiC功率器件的特性、測試和應(yīng)用技術(shù)進(jìn)行了全面而深入的剖析,更在第5章中由泰克科技詳細(xì)闡述了雙脈沖測試技術(shù)的關(guān)鍵要素,涵蓋基本原理、參數(shù)設(shè)定、測試平臺搭建、測量儀器及設(shè)備選型等多方面內(nèi)容。書中還深入探討了電壓測量點(diǎn)間寄生參數(shù)的影響,并針對不同測試場景提出了動態(tài)特性測試結(jié)果的評判標(biāo)準(zhǔn)與雙脈沖測試設(shè)備的選型要點(diǎn),極具實(shí)用價值。
隨著國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,此次第二版的更新,無疑為工程師和科研工作者提供了與時俱進(jìn)的行業(yè)動態(tài)與技術(shù)指引。此外,本書的英文版也將在7月與全球讀者見面,進(jìn)一步擴(kuò)大其在國際領(lǐng)域的影響力,助力全球碳化硅技術(shù)的交流與發(fā)展。
雙脈沖測試是功率半導(dǎo)體器件測試的關(guān)鍵技術(shù),泰克科技憑借其先進(jìn)的儀器和軟件,為工程師提供了強(qiáng)大的測試支持。高遠(yuǎn)先生的新書《SiC功率器件:特性、測試和應(yīng)用技術(shù)》進(jìn)一步深化了對SiC器件測試技術(shù)的理解,為行業(yè)的發(fā)展提供了寶貴的參考。
關(guān)于泰克科技
泰克公司總部位于美國俄勒岡州畢佛頓市,致力提供創(chuàng)新、精確、操作簡便的測試、測量和監(jiān)測解決方案,解決各種問題,釋放洞察力,推動創(chuàng)新能力。70多年來,泰克一直走在數(shù)字時代前沿。歡迎加入我們的創(chuàng)新之旅,敬請登錄:tek.com.cn
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