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請教IGBT被擊穿的原因

    IGBT前端是三相380V整流后的直流電，大約500V左右，直流電沒有經(jīng)過濾波電路，直接連接IGBT。IGBT選擇的是BSM100GAL120DCLK，指標(biāo)是1200V,100A，選擇富士EXB841做IGBT的驅(qū)動?，F(xiàn)在的情況是驅(qū)動輸出的波型是正常的，電壓范圍在-5V到18V左右，但是IGBT一上380就擊穿了，CE通了，但是GE沒有通。負(fù)載是一個加熱鎢絲，功率大約是5KW。我在IGBT的CE端加了一個600V左右的壓敏電阻，也試過使用大約1000V的瞬態(tài)抑制二極管，但是IGBT被擊穿了，二極管沒事，這是什么原因的，希望大蝦指教！謝謝大家！

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wen88
LV.6
2
2013-06-13 15:21
IGBT開通關(guān)斷時峰值電壓超過1200V了.
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btma
LV.8
3
2013-06-14 01:00

可能是IGBT的擎住效應(yīng)，也就是過流失效。因?yàn)樨?fù)載是鎢絲，冷態(tài)電阻比工作電阻小很多倍，一般小10倍以上，開通電流大10幾倍，導(dǎo)致IGBT進(jìn)入過流失效狀態(tài)。應(yīng)加緩啟動。

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2013-06-20 10:54
@wen88
IGBT開通關(guān)斷時峰值電壓超過1200V了.
可能主電路的引線過長，導(dǎo)致分布電感較大，IGBT關(guān)斷瞬間產(chǎn)生的尖峰電壓把IGBT擊穿，建議在IGBT的CE極接個緩沖吸收電路，減小驅(qū)動電阻，減小主電路的回路面積
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2013-06-24 16:30
@btma
可能是IGBT的擎住效應(yīng)，也就是過流失效。因?yàn)樨?fù)載是鎢絲，冷態(tài)電阻比工作電阻小很多倍，一般小10倍以上，開通電流大10幾倍，導(dǎo)致IGBT進(jìn)入過流失效狀態(tài)。應(yīng)加緩啟動。
igbt三代開始基本消除擎住效應(yīng)了
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174048754
LV.5
6
2013-06-27 14:42
EMI沒有做好
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jizuboy
LV.1
7
2015-07-25 15:53
個人認(rèn)為應(yīng)該低壓啟動，震蕩穩(wěn)定之后再升功。如果直接輸出符合負(fù)載諧振的驅(qū)動也是需要低壓啟動，然后再升。
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2015-09-19 19:43
不接濾波電容？？貼電路圖，我告訴你怎么解決
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