本人設(shè)計(jì)的一款100W開(kāi)關(guān)電源用的是384**產(chǎn)品反激電路,輸出12V100W,變壓器也換了幾次,MOS管也換了,肖特基也換了,原本以為可以順順當(dāng)當(dāng)?shù)某鲐?誰(shuí)知老化測(cè)試時(shí)老炸機(jī),哎有心的XDJM請(qǐng)幫忙分析一下了
謝謝了
特郁悶,100W電源老炸機(jī)
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@wxy2003
EI33600uH12N60
How many is Working Frewuency?
Maybe the MOSFET is too poor.Did you test the MOSFET temperature?I think if it is not open-frame,but a adapter,that will cause the mosfet overheat,damaged the MOSFET.
Maybe change the MOSfet to a super one is a solution.
Of course,confirming the transformer was not saturated is necessary.
Maybe the MOSFET is too poor.Did you test the MOSFET temperature?I think if it is not open-frame,but a adapter,that will cause the mosfet overheat,damaged the MOSFET.
Maybe change the MOSfet to a super one is a solution.
Of course,confirming the transformer was not saturated is necessary.
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@xiaody
兄弟電路圖給出來(lái)看看嘛!@你這樣說(shuō)!那個(gè)知道你的什么樣子的!我們都只知道一個(gè)大概!把電路圖貼出來(lái)大家都來(lái)學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)三!
我和樓主也有相似的經(jīng)歷 做功率大一點(diǎn)的適配器 本來(lái)反激100W 以上就比較費(fèi)力了 而且電流又是8安以上 炸機(jī)的基本過(guò)程是這樣的 裝上外殼后 機(jī)內(nèi)溫度就上升 尤其是MOS的溫度上升 MOS的溫度上升后 其耐壓值就會(huì)下降 而反激大電流的變壓器 漏感本身就比較大 尖峰就大
解決的辦法有兩個(gè)
一是用高一些耐壓的MOS
第二是不用反激電路 這樣的輸出規(guī)格本來(lái)就不適合用反激
解決的辦法有兩個(gè)
一是用高一些耐壓的MOS
第二是不用反激電路 這樣的輸出規(guī)格本來(lái)就不適合用反激
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@開(kāi)拓者1
我和樓主也有相似的經(jīng)歷做功率大一點(diǎn)的適配器本來(lái)反激100W以上就比較費(fèi)力了而且電流又是8安以上炸機(jī)的基本過(guò)程是這樣的裝上外殼后機(jī)內(nèi)溫度就上升尤其是MOS的溫度上升MOS的溫度上升后其耐壓值就會(huì)下降而反激大電流的變壓器漏感本身就比較大尖峰就大解決的辦法有兩個(gè)一是用高一些耐壓的MOS第二是不用反激電路這樣的輸出規(guī)格本來(lái)就不適合用反激
mos管溫度上升,耐壓不會(huì)下降吧,是承受功率下降了,用個(gè)多路探溫計(jì)監(jiān)測(cè)各個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件溫升,問(wèn)題就一目了然了.
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@fei90
耐壓是夠的,除非你的吸收電路跟TRANSFOMER有問(wèn)題,應(yīng)該是你的MOS電流不夠你用的10A的MOS是在環(huán)境溫度25度測(cè)的數(shù)據(jù).你可以查你的DATASHEET,在100度的時(shí)候你的電流可能就只有6A了,這樣造成你的MOS損壞.MOS壞了的話你的源極限流電阻,保險(xiǎn),3842都有可能損壞.不知你做過(guò)ON/OFF試驗(yàn)沒(méi)有???
這樣規(guī)格的電路600V的耐壓肯定不夠 12V8A以上的輸出規(guī)格 漏感尖峰是很大的 無(wú)論你怎么樣改善變壓器的繞制工藝 其尖峰還是大于100V以上 而且變壓器的銅損也是一個(gè)不能小視的問(wèn)題 這種規(guī)格的反激電路 比較難做
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@fei90
耐壓是夠的,除非你的吸收電路跟TRANSFOMER有問(wèn)題,應(yīng)該是你的MOS電流不夠你用的10A的MOS是在環(huán)境溫度25度測(cè)的數(shù)據(jù).你可以查你的DATASHEET,在100度的時(shí)候你的電流可能就只有6A了,這樣造成你的MOS損壞.MOS壞了的話你的源極限流電阻,保險(xiǎn),3842都有可能損壞.不知你做過(guò)ON/OFF試驗(yàn)沒(méi)有???
MOS管的電流大小我都試過(guò),最大的用了20A600V,蓋上外殼還是炸機(jī),
我想除了溫度沒(méi)有別的原因
因?yàn)樵囘^(guò)用風(fēng)扇吹一點(diǎn)問(wèn)題都沒(méi)有
而且可以長(zhǎng)期穩(wěn)定工作
我想除了溫度沒(méi)有別的原因
因?yàn)樵囘^(guò)用風(fēng)扇吹一點(diǎn)問(wèn)題都沒(méi)有
而且可以長(zhǎng)期穩(wěn)定工作
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@superpowersupply
HowmanyisWorkingFrewuency?MaybetheMOSFETistoopoor.DidyoutesttheMOSFETtemperature?Ithinkifitisnotopen-frame,butaadapter,thatwillcausethemosfetoverheat,damagedtheMOSFET. MaybechangetheMOSfettoasuperoneisasolution.Ofcourse,confirmingthetransformerwasnotsaturatedisnecessary.
頻率是75K
MOS管用了7A-20A的都試過(guò),同樣會(huì)在蓋殼后炸機(jī)
MOS管用了7A-20A的都試過(guò),同樣會(huì)在蓋殼后炸機(jī)
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@wxy2003
MOS管的電流大小我都試過(guò),最大的用了20A600V,蓋上外殼還是炸機(jī),我想除了溫度沒(méi)有別的原因因?yàn)樵囘^(guò)用風(fēng)扇吹一點(diǎn)問(wèn)題都沒(méi)有而且可以長(zhǎng)期穩(wěn)定工作
反激電路用600V Mosfet足夠了, 關(guān)鍵是選擇好初次級(jí)匝比,你的燒機(jī)現(xiàn)象可能有3個(gè)原因:
1, MOSFET D 極反壓太高, 判斷方法,把輸入電壓調(diào)低,看壞不壞.
2, MOSFET 散熱不好. 測(cè)溫度.
3, 變壓器設(shè)計(jì)磁感應(yīng)強(qiáng)度(Bmax)余量不夠, 高溫老化時(shí),磁芯磁飽和燒機(jī),因?yàn)榇判驹诟邷貢r(shí)允許Bmax更低 (一般要小于0.35T才安全),測(cè)波形,算Bmax
1, MOSFET D 極反壓太高, 判斷方法,把輸入電壓調(diào)低,看壞不壞.
2, MOSFET 散熱不好. 測(cè)溫度.
3, 變壓器設(shè)計(jì)磁感應(yīng)強(qiáng)度(Bmax)余量不夠, 高溫老化時(shí),磁芯磁飽和燒機(jī),因?yàn)榇判驹诟邷貢r(shí)允許Bmax更低 (一般要小于0.35T才安全),測(cè)波形,算Bmax
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