說(shuō)一下你的電路和變壓器參數(shù)嘛.這樣說(shuō),那個(gè)知道為什么?

EI33
600uH

12N60

炸機(jī)時(shí)溫度多高,先炸哪些東西,壞了哪些東西?電路圖??

基本上是炸MOS管,如果厲害點(diǎn)就涉及周邊的零件

電路是典型的3843+10N60
光耦反饋到3843的1腳2腳,2腳接地

電路是什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),貼個(gè)電路圖,看看是電壓還是電流或其他因素引起炸機(jī)的,好讓大家?guī)湍惴治龇治?!

兄弟電路圖給出來(lái)看看嘛!@你這樣說(shuō)!那個(gè)知道你的什么樣子的!我們都只知道一個(gè)大概!把電路圖貼出來(lái)大家都來(lái)學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)三!

How many is Working Frewuency?
Maybe the MOSFET is too poor.Did you test the MOSFET temperature?I think if it is not open-frame,but a adapter,that will cause the mosfet overheat,damaged the MOSFET.
  Maybe change the MOSfet to a super one is a solution.
Of course,confirming the transformer was not saturated is necessary.

我和樓主也有相似的經(jīng)歷 做功率大一點(diǎn)的適配器 本來(lái)反激100W 以上就比較費(fèi)力了 而且電流又是8安以上 炸機(jī)的基本過(guò)程是這樣的 裝上外殼后 機(jī)內(nèi)溫度就上升 尤其是MOS的溫度上升 MOS的溫度上升后 其耐壓值就會(huì)下降 而反激大電流的變壓器 漏感本身就比較大 尖峰就大
解決的辦法有兩個(gè)
一是用高一些耐壓的MOS
第二是不用反激電路 這樣的輸出規(guī)格本來(lái)就不適合用反激

mos管溫度上升,耐壓不會(huì)下降吧,是承受功率下降了,用個(gè)多路探溫計(jì)監(jiān)測(cè)各個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件溫升,問(wèn)題就一目了然了.

炸機(jī)是雪崩擊穿的結(jié)果

請(qǐng)將你開(kāi)關(guān)MOS管 D極波波形發(fā)出來(lái)以便大家分析.

12N60C功率夠了,可是工作久了溫度是很高的,直接結(jié)果就是炸機(jī).
做了個(gè)150w的,用風(fēng)扇散熱,才可以,所以要有很好的散熱

這樣子吧你把你的MOS換到800V耐壓試一下,
我想是不是耐壓不夠吧!

學(xué)習(xí)中

我同意你的看法,只要散熱的問(wèn)題解決了,可能要好一點(diǎn).

同意你的觀點(diǎn),改善散熱條件

是否選的耐壓太低了.我們選的是900V的,沒(méi)有發(fā)生過(guò)炸管啊.

是不是磁飽和了?電路工作頻率是多少?頻率很低嗎?沒(méi)電路又沒(méi)參數(shù)無(wú)法分析.

耐壓是夠的,除非你的吸收電路跟TRANSFOMER有問(wèn)題,應(yīng)該是你的MOS電流不夠
你用的10A的MOS是在環(huán)境溫度25度測(cè)的數(shù)據(jù).
你可以查你的DATASHEET,在100度的時(shí)候你的電流可能就只有6A了,這樣造成你的MOS損壞.
MOS壞了的話你的源極限流電阻,保險(xiǎn),3842都有可能損壞.

不知你做過(guò)ON/OFF試驗(yàn)沒(méi)有???

這樣規(guī)格的電路600V的耐壓肯定不夠  12V8A以上的輸出規(guī)格 漏感尖峰是很大的 無(wú)論你怎么樣改善變壓器的繞制工藝 其尖峰還是大于100V以上 而且變壓器的銅損也是一個(gè)不能小視的問(wèn)題 這種規(guī)格的反激電路 比較難做

變壓器用小了,還成EI40的,重新設(shè)計(jì)下,可定可以.我可以免費(fèi)幫忙!!!

MOS管的電流大小我都試過(guò),最大的用了20A600V,蓋上外殼還是炸機(jī),
我想除了溫度沒(méi)有別的原因
因?yàn)樵囘^(guò)用風(fēng)扇吹一點(diǎn)問(wèn)題都沒(méi)有
而且可以長(zhǎng)期穩(wěn)定工作

頻率是75K
MOS管用了7A-20A的都試過(guò),同樣會(huì)在蓋殼后炸機(jī)

我建議你量一下變壓器的溫升,估計(jì)十有八九是
變壓器的溫度過(guò)高,已超過(guò)磁芯的居里點(diǎn)了.變
壓器EI33用于120W本身就小了.

這位兄弟說(shuō)的對(duì)
可能是變壓溫度過(guò)高,造成磁飽和才燒掉MOS
變壓器可能要重新設(shè)計(jì).....

改成正激

我認(rèn)為同時(shí)應(yīng)該考慮384**芯片的散熱問(wèn)題.

嘿嘿,給你一個(gè)技術(shù)市場(chǎng)行情.
一款300W ATX 電源,技術(shù)交易價(jià)在五萬(wàn)左右.國(guó)內(nèi)成熟廠家不少于一百家.

一款一百瓦ADAPTER,技術(shù)交易價(jià)在100-150萬(wàn)左右,國(guó)內(nèi)成熟廠家(包括港,臺(tái),和日美在華企業(yè))不多于五家.

希望你能成功.

反激電路用600V Mosfet足夠了, 關(guān)鍵是選擇好初次級(jí)匝比,你的燒機(jī)現(xiàn)象可能有3個(gè)原因:
1, MOSFET D 極反壓太高, 判斷方法,把輸入電壓調(diào)低,看壞不壞.
2, MOSFET 散熱不好. 測(cè)溫度.
3, 變壓器設(shè)計(jì)磁感應(yīng)強(qiáng)度(Bmax)余量不夠, 高溫老化時(shí),磁芯磁飽和燒機(jī),因?yàn)榇判驹诟邷貢r(shí)允許Bmax更低 (一般要小于0.35T才安全),測(cè)波形,算Bmax

呵呵,厲害,不知道這些行情的依據(jù)是什么?