由于最近在做一款照明電源，采用半橋隔離驅(qū)動(dòng)，在調(diào)試過程發(fā)現(xiàn)，芯片本體驅(qū)動(dòng)800V MOS管要比驅(qū)動(dòng)600V MOS 管燙（常溫下80度），對比時(shí)其它條件不變?，F(xiàn)在想在不改變驅(qū)動(dòng)芯片的情況下，如何提高芯片的驅(qū)動(dòng)能力，驅(qū)動(dòng)800VMOS?  

600V MOS工作時(shí)驅(qū)動(dòng)波形（Q g=27nc;RDS=0.165-0.19歐姆）：

800V MOS工作時(shí)驅(qū)動(dòng)波形（Qg=88-117nc;RDS=0.25-0.29歐姆）

從工作時(shí)驅(qū)動(dòng)波形可知，800V驅(qū)動(dòng)波形很尖，MOS管導(dǎo)通時(shí)間很短，并且在開通和關(guān)斷是有一定的震蕩產(chǎn)生。

為在不改變驅(qū)動(dòng)芯片的情況下驅(qū)動(dòng)此款800V MOS，試圖調(diào)整驅(qū)動(dòng)變壓器感量大小，驅(qū)動(dòng)電阻大小、芯片死區(qū)時(shí)間大小均無效果，還望高手給予指導(dǎo)!!!!!!