內(nèi)部是低電壓低內(nèi)阻的小型功率MOS。內(nèi)部MOS的耐壓很低，可以通過電路來穩(wěn)定到低電壓。其實(shí)這個(gè)MOS 的主要作用應(yīng)該是增加外部MOS的驅(qū)動(dòng)能力（自己可以分析）。這也可能是晶豐的專利之一。

外部MOS是高壓功率開關(guān)，抗700V

通過控制內(nèi)部低壓功率MOS實(shí)現(xiàn)恒流：內(nèi)部功率MOS開通，外部功率MOS也開通，

要做多少瓦？?jī)?nèi)部MOS阻抗很小的，0.5歐姆