RCD吸收那邊的理論公式都看懂了，現(xiàn)在有個(gè)小想法，就是干嘛不把R和C都弄大點(diǎn)，這樣C上的電壓上升基本忽略不計(jì)，而且使得時(shí)間常數(shù)RC很大，漏感能量就儲(chǔ)存在電容里好了，總不至于爆了。。、實(shí)際中測(cè)了下波形，C的電壓保持在一定水平，就是POE電壓+次級(jí)反射電壓。注：開關(guān)頻率是250K，R=10K，C=100nf.

另一個(gè)問題，次級(jí)的肖特基二極管，RC吸收回路，R=100歐姆，C=470pf，二極管上的波形很好，但是初級(jí)取樣電阻的電壓波形一開始導(dǎo)通的時(shí)候有個(gè)很大的尖峰，取樣電阻RS是0.25歐姆的，尖峰有6V左右（取樣電阻梯形波是250mv到400mv），說明一開始的導(dǎo)通電流很大，改過那個(gè)100歐姆的電阻，到32歐姆，基本沒改善。。、尼瑪這是為什么，還有那個(gè)計(jì)算的頻率，到底是振蕩的頻率還是開關(guān)的頻率。。(PS:抄來的一段話：可用于衰減次級(jí)漏感與整流二極管的振蕩,此時(shí)所加RC應(yīng)短路整流二極管體等效電容(肖特基的體電容一般在100pf到1000pf之間,隨反向電壓增大而變小,具體可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)),其與次級(jí)漏感形成RLC衰減振蕩網(wǎng)絡(luò)(R>2*(L/C)^0.5,R越大衰減越快);同時(shí),為短路肖特基二極管的體電容,又要滿足(R^2+(1/2*pi()*f*C)^2)^0.5<<1/(2*pi()*f*Cvd)(Cvd為肖特基體電容),一般取前者為后者的五到十分之一; ）

他這里的好像是R C并聯(lián)，但是也不應(yīng)該是平方和再開方啊，偶是按照串聯(lián)加起來的，R+1/2*pi()*f*C...這里的f是開關(guān)頻率么？？？

PSS:好像我這個(gè)肖特基二極管的結(jié)電容是30pf的...so我的電阻要取到20歐以下？明天再試試。
我的輸出功率是12W的，輸入是54V的POE.