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H橋中MOS管門級(jí)和源級(jí)接的電阻作用是什么？

小弟最近在研究驅(qū)動(dòng)電機(jī)的方法，下面是我的兩張圖，第一張是H橋的左橋臂，第二張是驅(qū)動(dòng)芯片外圍電路。

在調(diào)試的過程中發(fā)現(xiàn)很容易燒驅(qū)動(dòng)芯片，而MOS管完好無損。

在示波器上看MOS管的關(guān)斷時(shí)間為600ns，而我同學(xué)做的同樣的板子，同樣的MOS管，其關(guān)斷時(shí)間是1us。（他的板子不會(huì)燒驅(qū)動(dòng)芯片）

我推測(cè)了下，可能的原因就是：

       我的MOS管死區(qū)時(shí)間過短，S級(jí)的電荷釋放過快，本來應(yīng)該通過G級(jí)與S級(jí)之間的電阻來釋放電荷的，卻通過LO線上的肖特基二極管釋放了，從而燒毀驅(qū)動(dòng)芯片


所以現(xiàn)在有兩個(gè)疑問：

1、G級(jí)與S級(jí)之間的電阻應(yīng)該怎樣選擇？我選的47K是不是過大了？（問了一個(gè)同樣做H橋的同學(xué)，他一般用的4.7K或者10K）

2、HO，LO輸出端接的肖特基二級(jí)管的作用是什么呀？

求大神不吝賜教！

 



 


 我的MOS管關(guān)斷時(shí)間

 我同學(xué)的MOS管關(guān)斷時(shí)間（MOS管型號(hào)一樣，上面的標(biāo)示符不一樣）


全部回復(fù)(16)
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2012-11-23 17:26
怎么沒人回復(fù)呢？
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zhangyh
LV.5
3
2012-12-01 20:19
@天堂的妖
怎么沒人回復(fù)呢？[圖片][圖片][圖片]

二極管作用：當(dāng)功率管開通時(shí)選用30歐電阻作為門極電阻，當(dāng)功率管關(guān)斷時(shí)選用10歐電阻作為門極電阻。

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2012-12-03 08:29
@zhangyh
二極管作用：當(dāng)功率管開通時(shí)選用30歐電阻作為門極電阻，當(dāng)功率管關(guān)斷時(shí)選用10歐電阻作為門極電阻。

1 R70 R79的阻值確實(shí)大了，一般選1-10K均可，視驅(qū)動(dòng)輸出的能力而定。

2 二極管相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)在使用，目的是在輸出低電平時(shí)，有更低的阻值(10ohm)來對(duì)MOS的GS結(jié)管放電。

 

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2012-12-03 08:42
@賀赫無名
1R70R79的阻值確實(shí)大了，一般選1-10K均可，視驅(qū)動(dòng)輸出的能力而定。2二極管相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)在使用，目的是在輸出低電平時(shí)，有更低的阻值(10ohm)來對(duì)MOS的GS結(jié)管放電。 
關(guān)于你燒驅(qū)動(dòng)的事，死區(qū)時(shí)間差這么400nS應(yīng)該不是問題吧，與47K泄放電阻更沒有多大關(guān)系了，我建議你要檢查一U3的HI LI輸入端波形以及驅(qū)動(dòng)波形的幅度是否符合要求。如果驅(qū)動(dòng)芯片工作在放大區(qū)的時(shí)間過長(zhǎng)就不好。檢查U3的工作溫度是否正常，若溫度不高，那么可以排除此項(xiàng)。
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2012-12-03 08:43
@賀赫無名
關(guān)于你燒驅(qū)動(dòng)的事，死區(qū)時(shí)間差這么400nS應(yīng)該不是問題吧，與47K泄放電阻更沒有多大關(guān)系了，我建議你要檢查一U3的HILI輸入端波形以及驅(qū)動(dòng)波形的幅度是否符合要求。如果驅(qū)動(dòng)芯片工作在放大區(qū)的時(shí)間過長(zhǎng)就不好。檢查U3的工作溫度是否正常，若溫度不高，那么可以排除此項(xiàng)。
你那個(gè)U3是專用MOS管驅(qū)動(dòng)芯片吧
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2012-12-12 17:21
@賀赫無名
關(guān)于你燒驅(qū)動(dòng)的事，死區(qū)時(shí)間差這么400nS應(yīng)該不是問題吧，與47K泄放電阻更沒有多大關(guān)系了，我建議你要檢查一U3的HILI輸入端波形以及驅(qū)動(dòng)波形的幅度是否符合要求。如果驅(qū)動(dòng)芯片工作在放大區(qū)的時(shí)間過長(zhǎng)就不好。檢查U3的工作溫度是否正常，若溫度不高，那么可以排除此項(xiàng)。

不知道您說的HI LI輸入波形的幅值符合要求是什么意思？

HI LI的輸入波形是由飛思卡爾單片機(jī)提供的一對(duì)互補(bǔ)PWM波，我檢測(cè)過HI LI端的波形，有一定的尖峰，正常的應(yīng)該是0~5V的PWM波，尖峰有1V左右。

不知道您說的驅(qū)動(dòng)芯片工作在放大區(qū)時(shí)間過長(zhǎng)是什么意思？驅(qū)動(dòng)芯片還有放大區(qū)么？

U3的工作溫度是正常的，就是容易燒...

前段時(shí)間遇到其他問題了，然后又都解決了，現(xiàn)在又繞回來，還是這個(gè)問題，我是這樣一步步測(cè)試的：

先斷開連接驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管的HO,LO端電阻

1、焊驅(qū)動(dòng)芯片，測(cè)試LO端波形，輸出PWM波，正常；測(cè)HO波形，為10V高電平，正常；測(cè)HS波形，為10V高電平，正常。

2、焊上LO端電阻，測(cè)LO端波形，輸出PWM波，正常；測(cè)HO端波形，輸出PWM波形，正常，測(cè)HS波形，為0V，正常。（因?yàn)楹干螸O端的電阻后，下管MOS管導(dǎo)通，連接MR端的HS電壓被拉低）

3、焊上HO端電阻，測(cè)各端波形，這個(gè)時(shí)候就會(huì)燒驅(qū)動(dòng)芯片了....

燒毀后，我斷開HO端電阻，檢測(cè)發(fā)現(xiàn)：LO輸出持續(xù)的10V高電平，而HO輸出仍是PWM波形，所以我斷定燒毀的是LO,而HO端正常。

MOS管沒有燒。


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2012-12-12 17:22
@賀赫無名
你那個(gè)U3是專用MOS管驅(qū)動(dòng)芯片吧
U3是L5109半橋驅(qū)動(dòng)芯片，跟論壇里大家常用的IR2110原理差不多。
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2012-12-13 08:28
@天堂的妖
不知道您說的HILI輸入波形的幅值符合要求是什么意思？HILI的輸入波形是由飛思卡爾單片機(jī)提供的一對(duì)互補(bǔ)PWM波，我檢測(cè)過HILI端的波形，有一定的尖峰，正常的應(yīng)該是0~5V的PWM波，尖峰有1V左右。不知道您說的驅(qū)動(dòng)芯片工作在放大區(qū)時(shí)間過長(zhǎng)是什么意思？驅(qū)動(dòng)芯片還有放大區(qū)么？U3的工作溫度是正常的，就是容易燒...前段時(shí)間遇到其他問題了，然后又都解決了，現(xiàn)在又繞回來，還是這個(gè)問題，我是這樣一步步測(cè)試的：先斷開連接驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管的HO,LO端電阻1、焊驅(qū)動(dòng)芯片，測(cè)試LO端波形，輸出PWM波，正常；測(cè)HO波形，為10V高電平，正常；測(cè)HS波形，為10V高電平，正常。2、焊上LO端電阻，測(cè)LO端波形，輸出PWM波，正常；測(cè)HO端波形，輸出PWM波形，正常，測(cè)HS波形，為0V，正常。（因?yàn)楹干螸O端的電阻后，下管MOS管導(dǎo)通，連接MR端的HS電壓被拉低）3、焊上HO端電阻，測(cè)各端波形，這個(gè)時(shí)候就會(huì)燒驅(qū)動(dòng)芯片了....燒毀后，我斷開HO端電阻，檢測(cè)發(fā)現(xiàn)：LO輸出持續(xù)的10V高電平，而HO輸出仍是PWM波形，所以我斷定燒毀的是LO,而HO端正常。MOS管沒有燒。

驅(qū)動(dòng)波形幅度值是指波形的大小，當(dāng)接近小于場(chǎng)管的VGS電壓時(shí)會(huì)造成驅(qū)動(dòng)不足， 工作在放大驅(qū)是指你的驅(qū)動(dòng)波形的前沿以及后沿是否足夠陡，如果不是，也會(huì)造成MOS損耜增大。

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2012-12-13 08:31
@賀赫無名
驅(qū)動(dòng)波形幅度值是指波形的大小，當(dāng)接近小于場(chǎng)管的VGS電壓時(shí)會(huì)造成驅(qū)動(dòng)不足，工作在放大驅(qū)是指你的驅(qū)動(dòng)波形的前沿以及后沿是否足夠陡，如果不是，也會(huì)造成MOS損耜增大。
當(dāng)然波形太陡會(huì)引起EMI問題。
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2012-12-13 11:16
@賀赫無名
驅(qū)動(dòng)波形幅度值是指波形的大小，當(dāng)接近小于場(chǎng)管的VGS電壓時(shí)會(huì)造成驅(qū)動(dòng)不足，工作在放大驅(qū)是指你的驅(qū)動(dòng)波形的前沿以及后沿是否足夠陡，如果不是，也會(huì)造成MOS損耜增大。

您給出的檢測(cè)方法是從驅(qū)動(dòng)芯片的輸入輸出口入手的吧？

驅(qū)動(dòng)芯片是輸入是HI LI ：純正的波形是0~5V的方波信號(hào)，但由于后面MOS管的開、關(guān)引起的尖峰通過驅(qū)動(dòng)芯片L5109串?dāng)_到前端單片機(jī)哪兒，使得單片機(jī)的電源端和地端有峰峰值為2V的尖峰，單片機(jī)的PWM輸出也有峰峰值2V的尖峰，繼而在L5109的輸出端HO,LO也有8伏左右的尖峰，但在MOS管的柵極沒有尖峰。


驅(qū)動(dòng)芯片的輸出是HO LO:LO是0~12V的方波，有尖峰，HO是0~22V的方波，也有一定的尖峰，但在上下管的柵極沒有尖峰了。


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2012-12-15 20:22
@賀赫無名
1R70R79的阻值確實(shí)大了，一般選1-10K均可，視驅(qū)動(dòng)輸出的能力而定。2二極管相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)在使用，目的是在輸出低電平時(shí)，有更低的阻值(10ohm)來對(duì)MOS的GS結(jié)管放電。 
請(qǐng)問有沒有可能是后級(jí)MOS管對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的影響呢？
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2012-12-30 16:36
@賀赫無名
當(dāng)然波形太陡會(huì)引起EMI問題。

我這幾天又做了測(cè)試，在只接了右橋臂的情況下，第一次上電，輸出輸出波形都很正常，電機(jī)端波形也正常（有波形圖），但是斷電后，隔了半個(gè)小時(shí)，第二次上電時(shí)，就發(fā)現(xiàn)下管非常燙，D級(jí)的焊錫都融掉了，并伴隨著“絲絲”的聲音，此時(shí)再測(cè)上下管柵極波形，就都不對(duì)了（有波形圖），測(cè)電源端電壓，只有5.8V（正常為鉛蓄電池電壓12V），此時(shí)單片機(jī)端只有2點(diǎn)幾V，輸出波形也不對(duì)，我分析驅(qū)動(dòng)芯片燒毀后，上下管有直通的現(xiàn)象，相當(dāng)于電源端和地端有短路的時(shí)刻，所以電源電壓才不對(duì)，但是不知道是為什么第一次上電好好的，第二次上電就會(huì)出問題？中間沒動(dòng)任何東西。


不知道您能不能幫我分析下啊。。。。

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duovan
LV.1
14
2013-01-02 21:58
@天堂的妖
怎么沒人回復(fù)呢？[圖片][圖片][圖片]

個(gè)人拙見，認(rèn)為二極管是為了給MOS的結(jié)電容提供一個(gè)放電回路，MOS開關(guān)其實(shí)就是結(jié)電容充放電，加個(gè)二極管和電阻并聯(lián)，提供放電回路，使MOS開關(guān)速度加快，損耗和功耗減少，發(fā)熱也就少了，

 

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2013-01-08 20:40
@duovan
個(gè)人拙見，認(rèn)為二極管是為了給MOS的結(jié)電容提供一個(gè)放電回路，MOS開關(guān)其實(shí)就是結(jié)電容充放電，加個(gè)二極管和電阻并聯(lián)，提供放電回路，使MOS開關(guān)速度加快，損耗和功耗減少，發(fā)熱也就少了， 
恩，好的，謝謝解答哈！這個(gè)自舉電路原理我基本上熟悉了。但是出現(xiàn)的問題一直沒法解決。
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jacksonwjh
LV.1
16
2013-02-20 04:28
@天堂的妖
恩，好的，謝謝解答哈！這個(gè)自舉電路原理我基本上熟悉了。但是出現(xiàn)的問題一直沒法解決。

你把HO，LO輸出端接的肖特基二級(jí)管卸下來，如果還燒的話，增大R61和R66的電阻值，增大到50看看，如果還燒，就增大到100。還有你的HS應(yīng)該接MR點(diǎn)。為什么沒有接？

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2013-02-28 16:48
@jacksonwjh
你把HO，LO輸出端接的肖特基二級(jí)管卸下來，如果還燒的話，增大R61和R66的電阻值，增大到50看看，如果還燒，就增大到100。還有你的HS應(yīng)該接MR點(diǎn)。為什么沒有接？

問題解決了，是驅(qū)動(dòng)芯片電源端的問題，在接上電源的瞬間，有一個(gè)尖峰脈沖，我在驅(qū)動(dòng)芯片電源端接入一個(gè)12V的穩(wěn)壓電路，就沒有燒芯片了。

謝謝大家的回答！

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