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【對戰(zhàn)+無名】+三繞組去磁正激電路的占空比限制在0.5以下,為什么?

三繞組去磁正激電路一般設(shè)計成第三繞組與初級繞組匝數(shù)相同,同時進(jìn)行雙線并繞,這樣就導(dǎo)致三繞組去磁正激電路的占空比限制在0.5以下,那么能解釋下為什么嗎?
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2012-12-03 10:08

這主要考慮伏秒平衡。

在一般情況下，勵磁繞組和去磁繞組匝數(shù)相同時，那么也要求勵磁時間和去磁時間相同。

就是勵磁時間限制在0.5T以下了，這樣才能保證有足夠的時間去磁。以保證變壓器不會飽和。

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linepro
LV.7
3
2012-12-03 10:11
在一個周期結(jié)束后，磁場要回到原點，負(fù)責(zé)會磁偏。充磁時間和去磁時間相同，所以50%。有強(qiáng)制去磁時間快的，占空比就可以大于50%?？傊?，磁配合電，電配合磁，這就是開關(guān)電源
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2012-12-03 15:43
伏秒平衡啊，你要用有源鉗位，就可以大于0.5
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2012-12-03 16:25
@xz564425321
伏秒平衡啊，你要用有源鉗位，就可以大于0.5
么玩過正激拓?fù)洌瑢W(xué)習(xí)ing...
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zhenxiang
LV.10
6
2012-12-03 17:14
@junestar520
么玩過正激拓?fù)?，學(xué)習(xí)ing...
我認(rèn)為如果復(fù)位繞組匝數(shù)大于主繞組匝數(shù)的話占空比就可以大于0.5，但是MOS的耐壓也就升高了不止輸入電壓二倍了。得不償失
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2012-12-10 18:12
@zhenxiang
我認(rèn)為如果復(fù)位繞組匝數(shù)大于主繞組匝數(shù)的話占空比就可以大于0.5，但是MOS的耐壓也就升高了不止輸入電壓二倍了。得不償失
有時間研究研究正激....
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dulai1985
LV.10
8
2012-12-10 18:23
@junestar520
有時間研究研究正激....
學(xué)習(xí)啊~~正激也沒有玩過~~~
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2012-12-10 18:57
@dulai1985
學(xué)習(xí)啊~~正激也沒有玩過~~~
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junestar520
LV.9
10
2012-12-13 22:21
@junestar520
么玩過正激拓?fù)洌瑢W(xué)習(xí)ing...
不能沉，頂無名隊！....
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