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vcore的PWM輸出high side和low side MOSFET的選擇標準

選擇vcore的PWM輸出high side和low side MOSFET的時候有RDS(on),Vgs,Qds這些參數(shù),請問各位選擇high sideMOSFET,和low  side MOSFET分別和什麼參數(shù)有關?請指點,謝謝!
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alienware
LV.1
2
2019-01-27 06:51
Rdson是導通損耗，Qds是開關損耗，Vgs是閾值，分呀發(fā)質(zhì)和飽和導通
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alienware
LV.1
3
2019-01-27 06:53
high side和導通時間占空比，效率，器件離散性有關系，一般highside大于low
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