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TLP250驅(qū)動(dòng)MOS出現(xiàn)了問題

我用TLP250直接驅(qū)動(dòng)MOS管,工作時(shí)波形都很正常,也不錯(cuò)。但當(dāng)斷掉光藕的15V輔電時(shí)意外出現(xiàn)了,發(fā)現(xiàn)一個(gè)橋臂的兩個(gè)MOS管直通了,用示波器測(cè)量斷電瞬間MOS管驅(qū)動(dòng)GS出現(xiàn)了2V左右的一個(gè)尖峰,所以導(dǎo)致直通了。大家分析下為什么會(huì)出現(xiàn)這個(gè)尖峰啊。我后來在不接MOS管情況下,斷掉光藕的15V輔電時(shí)直接測(cè)量,光藕的6腳還有尖峰。難道TLP250自身就有這個(gè)問題???????求證啊,各位高手?。?!怎么能去掉這個(gè)尖峰呢???? 
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2013-01-08 20:58
弄個(gè)電容下地
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pppyyy02
LV.4
3
2013-01-08 22:45
lizlk張工有過分析,可查找相關(guān)帖子。
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交直源
LV.3
4
2013-01-13 19:54
@廖遠(yuǎn)方
弄個(gè)電容下地[圖片]

能具體的說明一下嗎

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交直源
LV.3
5
2013-01-13 20:01
@pppyyy02
lizlk張工有過分析,可查找相關(guān)帖子。

他分析是GS要假電阻,我這有10k的電阻啊,是其他原因嗎

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2013-01-13 20:28

你是只斷了15V輔助電源?信號(hào)還有?

如果是的話:

我覺得會(huì)不會(huì)是因?yàn)镃10內(nèi)部存的電荷在剛斷電的時(shí)候放電的原因?

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2013-01-13 21:54
C10的原因!
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交直源
LV.3
8
2013-01-14 20:18
@yinxiangtuo
你是只斷了15V輔助電源?信號(hào)還有?如果是的話:我覺得會(huì)不會(huì)是因?yàn)镃10內(nèi)部存的電荷在剛斷電的時(shí)候放電的原因?

輸入信號(hào)都已經(jīng)斷了,也就是光藕前端沒有輸入了。但是,直接斷15V,瞬間發(fā)現(xiàn)6交有2v左右脈沖,導(dǎo)致mos開通

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交直源
LV.3
9
2013-01-14 20:19
@水星小鬼
C10的原因!
c10即使方電,沒有輸入信號(hào),6腳也不應(yīng)該有脈沖啊
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pppyyy02
LV.4
10
2013-01-15 10:09

 

 

當(dāng)你斷掉輔電,也就是間接斷掉快速泄放回路,單純靠并聯(lián)的10K電阻回路泄放,導(dǎo)致MOS電荷不能及時(shí)泄放,而DS仍有較大電流流過,那么G相對(duì)S極有個(gè)電壓也不足為奇了。再則由于關(guān)斷的時(shí)間延長,MOS管內(nèi)部多重因素的效應(yīng)最終導(dǎo)致?lián)p壞。

其實(shí)把這思想用在分析IGBT也一樣,IGBT就是一個(gè)元件,制造出來本身就有其自身的特性。雖然本人也不能精確知道微觀原因。但宏觀也是知道一些,綜合IGBT的簡介,IGBT由MOS管和PNP管復(fù)合,MOS管在前,PNP在后。當(dāng)功率管的瞬間電流越大,驅(qū)動(dòng)的保護(hù)要求就越明顯。因此也就是為什么IGBT既要驅(qū)動(dòng)而最好要負(fù)壓來達(dá)到加速關(guān)斷的效果來保證,又要過流保證等多重保證的原因。

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yinxiangtuo
LV.5
11
2013-01-15 11:50
@pppyyy02
  當(dāng)你斷掉輔電,也就是間接斷掉快速泄放回路,單純靠并聯(lián)的10K電阻回路泄放,導(dǎo)致MOS電荷不能及時(shí)泄放,而DS仍有較大電流流過,那么G相對(duì)S極有個(gè)電壓也不足為奇了。再則由于關(guān)斷的時(shí)間延長,MOS管內(nèi)部多重因素的效應(yīng)最終導(dǎo)致?lián)p壞。其實(shí)把這思想用在分析IGBT也一樣,IGBT就是一個(gè)元件,制造出來本身就有其自身的特性。雖然本人也不能精確知道微觀原因。但宏觀也是知道一些,綜合IGBT的簡介,IGBT由MOS管和PNP管復(fù)合,MOS管在前,PNP在后。當(dāng)功率管的瞬間電流越大,驅(qū)動(dòng)的保護(hù)要求就越明顯。因此也就是為什么IGBT既要驅(qū)動(dòng)而最好要負(fù)壓來達(dá)到加速關(guān)斷的效果來保證,又要過流保證等多重保證的原因。
可是驅(qū)動(dòng)電路不都是這樣的么?那依照你的說法,這個(gè)電路應(yīng)該如何改進(jìn)呢?
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yinxiangtuo
LV.5
12
2013-01-15 11:52
@pppyyy02
  當(dāng)你斷掉輔電,也就是間接斷掉快速泄放回路,單純靠并聯(lián)的10K電阻回路泄放,導(dǎo)致MOS電荷不能及時(shí)泄放,而DS仍有較大電流流過,那么G相對(duì)S極有個(gè)電壓也不足為奇了。再則由于關(guān)斷的時(shí)間延長,MOS管內(nèi)部多重因素的效應(yīng)最終導(dǎo)致?lián)p壞。其實(shí)把這思想用在分析IGBT也一樣,IGBT就是一個(gè)元件,制造出來本身就有其自身的特性。雖然本人也不能精確知道微觀原因。但宏觀也是知道一些,綜合IGBT的簡介,IGBT由MOS管和PNP管復(fù)合,MOS管在前,PNP在后。當(dāng)功率管的瞬間電流越大,驅(qū)動(dòng)的保護(hù)要求就越明顯。因此也就是為什么IGBT既要驅(qū)動(dòng)而最好要負(fù)壓來達(dá)到加速關(guān)斷的效果來保證,又要過流保證等多重保證的原因。
并且依據(jù)樓主的描述,他沒有加驅(qū)動(dòng)信號(hào),那么按道理推挽輸出應(yīng)該都是閉合的,也就是說應(yīng)該沒有對(duì)MOS的等效電容沖過電,那這個(gè)放電又是怎么來的呢?
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pppyyy02
LV.4
13
2013-01-15 13:16
@yinxiangtuo
并且依據(jù)樓主的描述,他沒有加驅(qū)動(dòng)信號(hào),那么按道理推挽輸出應(yīng)該都是閉合的,也就是說應(yīng)該沒有對(duì)MOS的等效電容沖過電,那這個(gè)放電又是怎么來的呢?

我回答的是他搞損壞時(shí)的狀態(tài),不是他做沒有輸入時(shí)的狀態(tài)。

而當(dāng)時(shí)他未考慮在有輸入時(shí)突斷輔電的影響,而是懷疑光耦,才有他另一次的測(cè)試。對(duì)于他另一次測(cè)試我不做解釋,并且他也沒有明確地體現(xiàn)出他另一次測(cè)試時(shí)的各種次序,條件。

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yinxiangtuo
LV.5
14
2013-01-15 16:54
@pppyyy02
我回答的是他搞損壞時(shí)的狀態(tài),不是他做沒有輸入時(shí)的狀態(tài)。而當(dāng)時(shí)他未考慮在有輸入時(shí)突斷輔電的影響,而是懷疑光耦,才有他另一次的測(cè)試。對(duì)于他另一次測(cè)試我不做解釋,并且他也沒有明確地體現(xiàn)出他另一次測(cè)試時(shí)的各種次序,條件。
哦,那是我誤解了,抱歉。
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交直源
LV.3
15
2013-01-16 18:52
@yinxiangtuo
哦,那是我誤解了,抱歉。
我做另外一次試驗(yàn)的條件是,斷開光藕的輸入PWM信號(hào),也就是沒有輸入了,然后直接斷掉光藕供電,斷電瞬間用示波器測(cè)量有2v左右脈沖輸出。我今天把光藕換成hcpl3120,就沒有問題了。所以我懷疑tlp250有問題。
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