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以下電路設(shè)計(jì)老是燒MOS管。設(shè)計(jì)電流余量是夠的。

上圖為電路設(shè)計(jì)的DC-DC模塊 簡易3.3V轉(zhuǎn)1.2V電路 控制信號為CPU提供，下圖為CPU控制信號。

上邊這個是正常的控制波形。 輸出的1.2V 給CPU供電。  經(jīng)常出現(xiàn)MOS燒毀的現(xiàn)象。生產(chǎn)階段。千分之一。

MOS的導(dǎo)通電流上限為3A 或者-3A               實(shí)際電流輸出峰值1.8A 左右。 有效值大約1.4A.

求各位看有什么好建議 這個電源模塊方案 很多方案都有一定比率的燒毀

 

有沒有人知道 雙MOS的BUG電路呢  這個電路燒的很

 

是否可以采用 將下管換成肖特基處理呢？？求賜教。

以下為失效后 MOS的控制波形  NMOS的控制波形為黃色 PMOS為紅色

全部回復(fù)(30)
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2013-01-11 21:21
MOS管的規(guī)格小了，，把MOS管換大一點(diǎn)的。
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2013-01-12 10:48

MOS管燒掉不是只因電流過大引起，DS電壓或GS電壓超限和溫度超限都可能炸掉。所有建議還看看電壓和溫度。

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gdfrg
LV.2
4
2013-01-14 09:52
@不要放棄
MOS管的規(guī)格小了，，把MOS管換大一點(diǎn)的。
MOS選多少大呢   這個選型怎么選。
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gdfrg
LV.2
5
2013-01-14 09:54
@dreamer662006
MOS管燒掉不是只因電流過大引起，DS電壓或GS電壓超限和溫度超限都可能炸掉。所有建議還看看電壓和溫度。
電壓完全不會超的。上限是40V。溫度在未失效情況下不可能超上限的。這個在好的樣機(jī)里溫升測試是沒有任何問題的。
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xuanxuan
LV.2
6
2013-01-14 14:09

查查驅(qū)動吧，看驅(qū)動波箱，尤其帶功率的時(shí)候。

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nkzfwjf
LV.4
7
2013-01-14 14:48
@xuanxuan
查查驅(qū)動吧，看驅(qū)動波箱，尤其帶功率的時(shí)候。
查驅(qū)動是對的
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2013-01-14 17:02
@gdfrg
電壓完全不會超的。上限是40V。溫度在未失效情況下不可能超上限的。這個在好的樣機(jī)里溫升測試是沒有任何問題的。

看著電壓是不會超的。你們做溫升測試時(shí)測到的溫度是多少？這個MOSFET的最大節(jié)溫允許多少??？

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gdfrg
LV.2
9
2013-01-15 20:30
@dreamer662006
看著電壓是不會超的。你們做溫升測試時(shí)測到的溫度是多少？這個MOSFET的最大節(jié)溫允許多少?。?/span>

溫升都量了的?？赡苁请姼泻蠹壍姆磯?。

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2013-01-16 08:40
@nkzfwjf
查驅(qū)動是對的

你的上下管的死區(qū)時(shí)間是多少，有可是死區(qū)時(shí)間太小，使兩管同時(shí)有導(dǎo)通現(xiàn)象？？

 

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kyhejie
LV.1
11
2013-01-16 12:32
你確定你的電路圖是完整的？我看差了一點(diǎn)東西
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gdfrg
LV.2
12
2013-01-17 08:41
@賀赫無名
你的上下管的死區(qū)時(shí)間是多少，有可是死區(qū)時(shí)間太小，使兩管同時(shí)有導(dǎo)通現(xiàn)象？？ 

死區(qū)區(qū)間，圖中很明顯啊。藍(lán)色的是高導(dǎo)通，黃色低導(dǎo)通。

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gdfrg
LV.2
13
2013-01-17 08:42
@kyhejie
你確定你的電路圖是完整的？我看差了一點(diǎn)東西

差了那部分呢  控制信號是CPU給的。

確實(shí)有缺個肖特基二極管 這個影響大嗎？

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2013-01-17 09:10

你給的那兩個波形各是哪個地方的波形？電感和寄生電容振蕩產(chǎn)生尖峰電壓可能導(dǎo)致下管燒壞，還有就是下管體二極管的反向恢復(fù)問題。

 

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gdfrg
LV.2
15
2013-01-17 09:18
@dreamer662006
你給的那兩個波形各是哪個地方的波形？電感和寄生電容振蕩產(chǎn)生尖峰電壓可能導(dǎo)致下管燒壞，還有就是下管體二極管的反向恢復(fù)問題。 

是控制PMOS（黃色）和NMOS（藍(lán)色）的波形。

尖峰電壓怎么測量呢。這個燒板率大約千分之一。 因?yàn)樯婕按笈?。所以是個大問題。

插入MOS的規(guī)格書吧

207065803000 

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735575630
LV.5
16
2013-01-17 10:10
怎么不在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻呢？？可能是輸入電容Ciss獲得了電荷，來不及放電，使得剛上電時(shí)，MOSFET的D、S兩端電壓過大，造成燒管的呢？？建議在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻，防止MOSFET誤操作
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2013-01-17 10:48
@gdfrg
是控制PMOS（黃色）和NMOS（藍(lán)色）的波形。尖峰電壓怎么測量呢。這個燒板率大約千分之一。因?yàn)樯婕按笈俊Ｋ允莻€大問題。插入MOS的規(guī)格書吧[圖片]207065803000 

探頭將地線弄的盡量短來測量。

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2013-01-17 12:39
@gdfrg
死區(qū)區(qū)間，圖中很明顯啊。藍(lán)色的是高導(dǎo)通，黃色低導(dǎo)通。

藍(lán)高 黃低，就有死區(qū)

如果是藍(lán)低，黃高，就沒有死區(qū)

樓主說明一下波形到底是對應(yīng)哪兩腳產(chǎn)生的

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2013-01-17 12:44
@賀赫無名
你的上下管的死區(qū)時(shí)間是多少，有可是死區(qū)時(shí)間太小，使兩管同時(shí)有導(dǎo)通現(xiàn)象？？ 

不過樓主又說了，只有千分之一。。。

估計(jì)死區(qū)是有的

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2013-01-17 12:45
@賀赫無名
不過樓主又說了，只有千分之一。。。估計(jì)死區(qū)是有的

應(yīng)該上一個電感1端的波形圖

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2013-01-17 12:48
@735575630
怎么不在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻呢？？可能是輸入電容Ciss獲得了電荷，來不及放電，使得剛上電時(shí)，MOSFET的D、S兩端電壓過大，造成燒管的呢？？建議在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻，防止MOSFET誤操作

如果是開機(jī)就燒MOS管，就要考濾在GS間加一個1K的電阻

如果不是，就可以考濾其它，如過溫，散熱等?；蚴浅绦蚴欠衽紶栍惺构茏诱`導(dǎo)通的地方

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2013-01-17 14:27
@735575630
怎么不在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻呢？？可能是輸入電容Ciss獲得了電荷，來不及放電，使得剛上電時(shí)，MOSFET的D、S兩端電壓過大，造成燒管的呢？？建議在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻，防止MOSFET誤操作

高端的那個MOS，地和低端的那個是一樣??？

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kyhejie
LV.1
23
2013-01-17 19:13
@735575630
怎么不在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻呢？？可能是輸入電容Ciss獲得了電荷，來不及放電，使得剛上電時(shí)，MOSFET的D、S兩端電壓過大，造成燒管的呢？？建議在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻，防止MOSFET誤操作

有道理

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kyhejie
LV.1
24
2013-01-17 19:14
@gdfrg
差了那部分呢 控制信號是CPU給的。確實(shí)有缺個肖特基二極管這個影響大嗎？
我認(rèn)為很可能是21樓說的那個原因。
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gdfrg
LV.2
25
2013-02-17 14:28
@賀赫無名
應(yīng)該上一個電感1端的波形圖
等一下我找找。過年了還是不讓人省心。依然燒的厲害。
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gdfrg
LV.2
26
2013-02-17 14:44
@dreamer662006
探頭將地線弄的盡量短來測量。

測量時(shí)還是主要針對控制波形嗎

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gdfrg
LV.2
27
2013-02-17 14:46
@735575630
怎么不在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻呢？？可能是輸入電容Ciss獲得了電荷，來不及放電，使得剛上電時(shí)，MOSFET的D、S兩端電壓過大，造成燒管的呢？？建議在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻，防止MOSFET誤操作

DS端電壓瞬間能導(dǎo)致燒管嗎？

DS電壓上限應(yīng)該±30V

這個有可能超過嗎  貌似沒抓取過這個的瞬間電壓。

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2013-02-17 15:26
@gdfrg
DS端電壓瞬間能導(dǎo)致燒管嗎？DS電壓上限應(yīng)該±30V這個有可能超過嗎 貌似沒抓取過這個的瞬間電壓。

瞬間的電壓超標(biāo)，就要看波形了

如果進(jìn)入了雪崩區(qū)，那你就要計(jì)算雪崩能量來衡量是否超出datasheet給出的值

如果沒有進(jìn)入雪崩區(qū)，那么就要用電壓跟電流的的波形積分來計(jì)算能量，以及這個能量產(chǎn)生的溫升加上殼溫是否超出結(jié)溫的最大值來衡量了

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gdfrg
LV.2
29
2013-02-17 15:42
@心中有冰
瞬間的電壓超標(biāo)，就要看波形了如果進(jìn)入了雪崩區(qū)，那你就要計(jì)算雪崩能量來衡量是否超出datasheet給出的值如果沒有進(jìn)入雪崩區(qū)，那么就要用電壓跟電流的的波形積分來計(jì)算能量，以及這個能量產(chǎn)生的溫升加上殼溫是否超出結(jié)溫的最大值來衡量了

好的。我可以去測試一下。

關(guān)鍵有一個問題。

板子的控制信號目前已經(jīng)壞了。無論你換什么MOS都必須燒毀。

 

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gdfrg
LV.2
30
2013-02-17 16:11
@dreamer662006
高端的那個MOS，地和低端的那個是一樣?。?/span>
一個NMOS一個PMOS
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gdfrg
LV.2
31
2013-02-17 16:12
@賀赫無名
如果是開機(jī)就燒MOS管，就要考濾在GS間加一個1K的電阻如果不是，就可以考濾其它，如過溫，散熱等?；蚴浅绦蚴欠衽紶栍惺构茏诱`導(dǎo)通的地方
目前主芯片燒毀，控制信號已經(jīng)出了問題，就算換了也不知道有沒有效果。
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