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新手，有幾個(gè)疑問(wèn)向電源網(wǎng)的諸位前輩請(qǐng)教，希望有人能看到~~~感激不盡！

一、上圖是用的三極管搭的的電路，Vout為驅(qū)動(dòng)IC的輸出約±14V；

1、開(kāi)通過(guò)程是不是這樣子的：開(kāi)通時(shí)瞬間NPN晶體管e極電位Ve為0，

Ib很大→Ic=β*Ib大→Ve大→Vb大→Ib=（Vout-Vb）/10，Ib??；最后達(dá)到一個(gè)平衡！

實(shí)測(cè)直到Ve打到13.5V左右的樣子時(shí)穩(wěn)定。

2、晶體管工作在放大區(qū)，Ic=β*Ib，所以會(huì)受Ib限制，而Ib是在逐漸減小，那么給IGBT門極充電的電流Ic會(huì)不會(huì)因受Ib限制而在開(kāi)通過(guò)程供應(yīng)不足？

3、怎樣提升晶體管響應(yīng)時(shí)間？讓開(kāi)通過(guò)程盡可能快的達(dá)到這個(gè)平衡狀態(tài)，調(diào)整晶體管輸入的電阻以增大Ib么？

二、如果不用晶體管而用MOSFET。

如圖，因?yàn)镸OSFET要保持開(kāi)通的話Vgs要維持一個(gè)電壓值，所以如果D極供電、S極輸出的話Vs會(huì)比Vg小個(gè)幾V，

所以我看到別人好像都是用的上面的方案。

我的疑問(wèn)

3、如果VCC=+15V,VEE=-15V,

如果Vout仍是±14V的話，原理上是可行的，+14V時(shí)下mos管開(kāi)通，-14上mos開(kāi)通，但是Vgs就會(huì)很大，接近30V。

如果vout 選擇居中值比如0V時(shí)，上下mos時(shí)不時(shí)就都導(dǎo)通了？

Vout要如何配置才可行（是否需要相應(yīng)調(diào)整VCCH和VEE）？