加TVS ESD器件行不?

很多種辦法
1、原則上以減小變壓器漏感為主,盡量采用三明治繞法.用中心柱比較長的磁芯,副邊用三層絕緣線(就可以不用控端膠帶了),這樣可以增加原副邊的耦合性能.
2、在Snab回路上加TVS是好辦法,關(guān)鍵是功率比較大時TVS是不是過熱.可以加RC再加TVS.
3、減小Vor
4、用慢速二極管作Snab的反向釋放二極管,如果這顆二極管過熱,可以串一個2R-10R/2W的電阻.(最近比較流行).
5、用耐壓更高的mos,你用900V的MOS基本不會燒.

感謝大家對我的指導(dǎo),請問樓上1.變壓器漏感對瞬間高壓影響很大嗎,我是做Boost電路的PFC,AC是經(jīng)過調(diào)壓器后再整流輸入的;2.在Snab回路加TVS的意思是在MOSFET兩端加反并聯(lián)的TVS二極管嗎?RC是怎么加的,是和TVS串聯(lián)嗎?3.Vor是什么電壓;4.MOSFET內(nèi)部已經(jīng)有一個反向二極管了,還要再加一個慢速反向釋放二極管嗎?這是什么原理呢.小弟再次謝過了...

你的PFC電路是隔離的吧

是隔離的,能解釋一下具體方法嗎

1從驅(qū)動信號.2變壓器3功率

加RC吸收.并聯(lián)

wbj098你好,請問你說的是什么意思,是從這三方面考慮降低尖蜂電壓嗎,能說的具體些嗎?我也加了RC吸收了,但效果不是很理想,只是對振蕩的抑制比較好,尖蜂電壓還是較高.

現(xiàn)在加了RC吸收后情況好了許多,但是電阻的溫升太大了,擔(dān)心再加電壓運行下去會燒掉電阻,哪位高手指點一下如何處理這種情況.

你的電阻幾W的啊 建議換大功率電阻

我已經(jīng)用了10W的電阻了啊,不知這么做下去行不行

10W?這么高啊,一般2W的綽綽有余了,請問你的BOOST升壓的電壓為多大?

MOS的G的VPP多高.波形是否正常.是多少功率.

我也覺得2或3W就夠了,可是發(fā)熱厲害只能用10W的,Boost升壓電壓要作到380V,因為現(xiàn)在MOSFET上的尖蜂電壓太大,所以Boost電壓還沒上到那么大.

MOS的DS尖蜂電壓一般比正常關(guān)斷電壓高出一倍多,比如正常關(guān)斷電壓為100V的話,VPP就達到200多V了,這樣MOS肯定受不了.波形加了RC吸收后已經(jīng)比較正常了,功率現(xiàn)在還沒加太大,估計也就是幾十W的樣子.

帖圖出來 比較好分析

Adjust MOSFET driver resistor

兄弟,你的PFC電路隔離?能不能發(fā)個原理圖上來看一下,我也學(xué)習(xí)一下.謝了!