那就得看這710V是在什么條件下抓到的

滿載輸出20V/6A,前級PFC輸出380V,樓上的,謝謝回答!

在我看來,是不能接受的

太危險了,不要說MOSFET留點(diǎn)余量了.

如果這樣,你這個電源的MTBF肯定很低.

謝了!據(jù)說此人是臺灣一專業(yè)電源公司RD,似乎挺要面子,我無法說服他!

是嗎?
知錯就改,是好孩子嘛!

其實(shí),很多公司都這樣用的,因?yàn)槿绻|(zhì)量好的MOS本身就有一定的余量,而且,還可以利用管子本身雪崩擊穿的能量,因此,他的話是有道理的.

不是很明白,怎么利用雪崩擊穿能量?看一些資料說,重復(fù)性雪崩擊穿引起的功率耗散會對MOSFET造成嚴(yán)重破壞,怎么解釋?謝謝DX!

這個710V電壓主要看是在什么樣的情況下得到的.
一般來說, 高壓MOSFET的Vds在測試時瞬間峰值是最高的.如果710V是瞬間電壓, 正常工作時的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量), 應(yīng)該是沒有問題的.如果在正常工作時電壓是710V(含尖峰電壓), 那肯定是有問題的, 至少M(fèi)TBF是不行的.

在開機(jī), 關(guān)機(jī), 或是短路時, 盡管瞬間峰值電壓大于MOSFET的額定值, 但時間很短,一般是不會炸MOSFET的, 但峰值也不能太高.我做了量產(chǎn)很大的機(jī), 900V的MOSFET, 在短路時峰值達(dá)到1050V,正常工作是是780V. 沒有問題.還有一款電源, 也是120W, 用600V的MOSFET,剛開始做短路測試時老是炸MOSFET,一測試發(fā)現(xiàn)在起機(jī)瞬間Vds是800V,短路時是1000V.后來該了設(shè)計(jì),也就OK了. 畢竟,對于100多瓦的電源, 用大于600V的MOSFET, 不是一個好的設(shè)計(jì).
樓上老兄說的, 我想應(yīng)該是我說的瞬間峰值電壓吧.

雪崩擊穿?雪崩擊穿一來,熱擊穿立即就跟來了,除非你串了很大的限流電阻,否則,你如何限制MOS的功率使其不超出安全工作區(qū)?

看了你的貼子有個疑問.就是說.他的尖峰電壓是710V那么他的嵌位電路是的嵌位電壓是多少呢?
嵌位不保護(hù)MOS管嗎?

看了你的貼子有個疑問.就是說.他的尖峰電壓是710V那么他的嵌位電路是的嵌位電壓是多少呢?
嵌位不保護(hù)MOS管嗎?

鉗位反應(yīng)沒這麼快

那一般我們的嵌位電路不就是保護(hù)MOS管的嗎?
他的做用不就是把電路嵌位到嵌位電壓的范圍內(nèi).防止變壓器 產(chǎn)生的尖逢電壓超過一定的電壓.從而保護(hù)MOS管嗎?

其實(shí)就是你的尖峰能量小于mos管的雪崩擊穿能量的話,就沒有問題

MTBF是什么亞,不要嫌我無知啊

是呀,鉗位為什么不起作用呢?

mean time between failure  平均無故障間隔時間

開關(guān)機(jī)時出現(xiàn)的電壓尖峰應(yīng)該被限制在什么范圍呢?
大家有沒有這方面的經(jīng)驗(yàn)?

關(guān)注!

mosfet的確很容易損壞的,所以在其DS之間加上小的耐高壓電容可消除漏感,不然會燒毀mosfet,我以前碰見過這個問題好幾次!

你說在DS之間放個電容是不是也應(yīng)該放個電阻呀．
那么他吸收的漏感．怎么釋放能量呀

不是吧

樣品可能有幾個還可以!
到時自然會死掉!

建議做在550V以下!