逆變器的高頻化
我現(xiàn)在正在做差頻逆變器,可以實(shí)現(xiàn)變壓器的高頻化,但成本有點(diǎn)高,希望大家給個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)高頻化,又不是很復(fù)雜的方案,并且可以帶電容負(fù)載,電感負(fù)載.謝謝!
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@happy1001zw
我所做的都算是大功率的逆變器,基本上是軍工產(chǎn)品,你所要求的我不能夠?qū)崿F(xiàn),請諒解!!
氮化鎵MOSFET是解決高頻的根本
提高功率密度無非是要提高開關(guān)頻率使體積變小。
硅高壓半導(dǎo)體的物理特性決定了頻率，一般400V以上的器件超過200KHZ的頻率，管子發(fā)熱很嚴(yán)重，損耗會(huì)成倍的加大。
新型材料氮化鎵MOSFET可以解決這問題。 氮化鎵材料適合高頻，600V以上的器件可以工作在1M以上。幾百K是很簡單的事。同時(shí)高頻后并不會(huì)帶來多少額外的損耗。
下圖表示了硅，碳化硅，氮化鎵三者的高頻，與損耗關(guān)系?？梢钥闯?，氮化鎵有明顯的高頻優(yōu)勢。
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@transphorm
氮化鎵MOSFET是解決高頻的根本提高功率密度無非是要提高開關(guān)頻率使體積變小。硅高壓半導(dǎo)體的物理特性決定了頻率，一般400V以上的器件超過200KHZ的頻率，管子發(fā)熱很嚴(yán)重，損耗會(huì)成倍的加大。新型材料氮化鎵MOSFET可以解決這問題。氮化鎵材料適合高頻，600V以上的器件可以工作在1M以上。幾百K是很簡單的事。同時(shí)高頻后并不會(huì)帶來多少額外的損耗。下圖表示了硅，碳化硅，氮化鎵三者的高頻，與損耗關(guān)系?？梢钥闯觯売忻黠@的高頻優(yōu)勢。氮化鎵MOSFET介紹.pdf200KLLC+PFC250W95.4%效率.pdf[圖片][圖片][圖片]
價(jià)格不低吧
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@逆變器開發(fā)
價(jià)格不低吧
價(jià)格是一方面 ，單看一個(gè)器件，一個(gè)MOSFET，我們的是高了很多，
但作為一個(gè)板子的整體成本。反而下降，
我們幫你在設(shè)計(jì)的時(shí)候省去了其它的，total cost dropped.
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下圖是一個(gè)簡單說明，相信你能看得出。。。。同樣大功率的，右邊的明顯價(jià)格低點(diǎn)。
一個(gè)PFC電路，效率等同的情況下。
絕對真實(shí)。
另一個(gè)逆變。。。
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本人親測。請理解與支持?；蚰阕约合螺d試下其它的IE瀏覽器。
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