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200W反激電源屢燒MOS,請教高手和前輩.

一個(gè)200W左右的3842反激電源,輸出60V3A,有風(fēng)扇對流散熱,但滿載輸出都是不超過20分鐘就燒了MOS,參數(shù)如下:
變壓器是EC35,Np:Ns=68:40,Lp=560uH,MOS是10N60,RCD是:36K+103M+FR207,工作頻率120K.
燒機(jī)的時(shí)候測試各溫度是:
變壓器89度,MOS 95度,輸出二極管67度,就是RCD的FR207非常燙,PCB都焦了(還不是黃).
不知道MOS應(yīng)該是二次尖峰擊穿還是高溫電流過大燒的,但不知道問題出在哪里?
還請各位能幫小弟我分析一下,謝謝了!
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2006-08-27 10:18
200W的反激有點(diǎn)難做.MOS上的尖峰測試過有沒有超標(biāo)?FR207那么熱,是不是已經(jīng)損壞了,RCD不起作用了,然后燒壞MOS.
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cnpower
LV.6
3
2006-08-27 10:18
工作時(shí),你36K電阻上電壓多少?
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2006-08-27 14:30
@anson_wong
200W的反激有點(diǎn)難做.MOS上的尖峰測試過有沒有超標(biāo)?FR207那么熱,是不是已經(jīng)損壞了,RCD不起作用了,然后燒壞MOS.
測試過FR207的,還是好的,就是從PCB變焦的情況看好像電流很大,覺得消磁電流不正常.
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2006-08-27 14:32
@cnpower
工作時(shí),你36K電阻上電壓多少?
好的,回頭我量一下再告訴你.
另外,你是否懷疑我的RCD參數(shù)有問題?增大R是否會好點(diǎn)兒?
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cnpower
LV.6
6
2006-08-27 14:34
@百無聊賴
好的,回頭我量一下再告訴你.另外,你是否懷疑我的RCD參數(shù)有問題?增大R是否會好點(diǎn)兒?
不是懷疑,RCD可以簡單判斷變壓器的工作狀態(tài)
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coming.lu
LV.6
7
2006-08-27 14:49
我之前做過個(gè)100W反激來玩,RCD那里都用了兩個(gè)33K并聯(lián).
你的200W才用36K,太大了吧?
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2006-08-27 20:44
@coming.lu
我之前做過個(gè)100W反激來玩,RCD那里都用了兩個(gè)33K并聯(lián).你的200W才用36K,太大了吧?
如此說來,改小R后,D的電流不是更大?難道我需要也并聯(lián)兩個(gè)FR207?

還有,今天下午我把變壓器的氣隙增大了,將感量減小到450uH左右了,在2.5A測試時(shí)對比溫度比之前在2.5A測試時(shí)要低一些了,難道是變壓器參數(shù)問題?

但之前的550uH時(shí)燒機(jī)時(shí)變壓器也不算燙啊,線包92度,磁芯87度,還有觀察電流沒有不穩(wěn)的情況,不像是飽和了啊???
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2006-08-27 21:12
@百無聊賴
如此說來,改小R后,D的電流不是更大?難道我需要也并聯(lián)兩個(gè)FR207?還有,今天下午我把變壓器的氣隙增大了,將感量減小到450uH左右了,在2.5A測試時(shí)對比溫度比之前在2.5A測試時(shí)要低一些了,難道是變壓器參數(shù)問題?但之前的550uH時(shí)燒機(jī)時(shí)變壓器也不算燙啊,線包92度,磁芯87度,還有觀察電流沒有不穩(wěn)的情況,不像是飽和了啊???
有2個(gè)可能:
1, mosfet 反壓太高. 尖峰產(chǎn)生雪崩能量太高.
2, 變壓器磁飽和, 先算一下Bmax看.
第2種可能性比較大.
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wxy2003
LV.4
10
2006-10-11 00:28
@deep_thought
有2個(gè)可能:1,mosfet反壓太高.尖峰產(chǎn)生雪崩能量太高.2,變壓器磁飽和,先算一下Bmax看.第2種可能性比較大.
有道理

最主要是要找到反壓太高和尖峰高的原因
你的結(jié)果有助于我的產(chǎn)品同樣類似問題的解決
不過稍有點(diǎn)不同,我的產(chǎn)品是如果風(fēng)冷的話就可以長期工作
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LV.2
11
2006-10-11 10:00
@wxy2003
有道理最主要是要找到反壓太高和尖峰高的原因你的結(jié)果有助于我的產(chǎn)品同樣類似問題的解決不過稍有點(diǎn)不同,我的產(chǎn)品是如果風(fēng)冷的話就可以長期工作
可以試一下我們的SIC肖特基整流,它沒有反向恢復(fù)時(shí)間所以就沒有反向的一個(gè)電壓尖峰,同時(shí)幾乎沒有開關(guān)損耗.也降低了各個(gè)器件的溫度特別是MOS管的溫度,謝謝13590330343(吳)
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2006-10-11 10:44
估計(jì)是RCD參數(shù)設(shè)計(jì)不當(dāng),電阻太小了,應(yīng)選大點(diǎn)的電阻,最好兩個(gè)電阻并聯(lián);電容大了,應(yīng)選小點(diǎn)的幾nF,再試試
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hy.power
LV.5
13
2006-10-11 19:27
從你的Lp=560uF來看,你這個(gè)電源可以斷定是工作在連續(xù)狀態(tài)的,這么大的功率,用10N60肯定是不行的.
給你點(diǎn)建議:
1:好好調(diào)一下T的匝比,降低二次反峰的高度,再調(diào)低Lp的值,使10N60的溫度盡量低.
2:在1的基礎(chǔ)上最好換用內(nèi)阻低的MOS管.
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開拓者1
LV.8
14
2006-10-11 19:30
@hy.power
從你的Lp=560uF來看,你這個(gè)電源可以斷定是工作在連續(xù)狀態(tài)的,這么大的功率,用10N60肯定是不行的.給你點(diǎn)建議:1:好好調(diào)一下T的匝比,降低二次反峰的高度,再調(diào)低Lp的值,使10N60的溫度盡量低.2:在1的基礎(chǔ)上最好換用內(nèi)阻低的MOS管.
根本原因就是反激不適合作大功率,反激做到100W以上時(shí),問題就開始出來了,100W以下,問題就不多.
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