efficiency 與topology

LV.2

2006-08-29 17:25

能詳細(xì)介紹點9嗎?

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gjhsz

LV.5

2006-08-29 20:22

不錯!

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LV.5

2006-08-29 21:25

您好,想問問你的2和3有沒有這個問題?我的空載電流超大,圖在下面的連接中,期待您的幫助,謝謝!
http://bbs.dianyuan.com/topic/108376

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LV.3

2006-08-30 08:37

@dlinli

您好,想問問你的2和3有沒有這個問題?我的空載電流超大,圖在下面的連接中,期待您的幫助,謝謝!http://bbs.dianyuan.com/topic/108376

Below is the main schematic for 9 point.
this is a mainstream for >1000W ACDC.

1156898231.doc

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LV.3

2006-08-30 09:00

@liyongzhi

Belowisthemainschematicfor9point.thisisamainstreamfor>1000WACDC.1156898231.doc

dlinli:
for you referrence:
1156899595.doc

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LV.3

2006-08-30 10:26

@liyongzhi

dlinli: foryoureferrence:1156899595.doc

dlinli:
this is a schematic for Forward (active clamp synchronous switch).for your reference.
1156904800.doc

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rhett

LV.8

2006-08-30 15:02

好貼幫你頂一下!

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LV.3

2006-08-30 15:43

@gjhsz

不錯!

gjhsz:
Below is the design file with Mathcad for point4(dcdc400w).is OK?

1156923798.pdf

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LV.3

2006-08-30 15:54

@rhett

好貼幫你頂一下!

Dear rhett:thank you very much!
全部產(chǎn)品均有詳細(xì)設(shè)計過程.第9帖是其一.

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rhett

LV.8

2006-08-30 15:56

@liyongzhi

Dearrhett:thankyouverymuch!全部產(chǎn)品均有詳細(xì)設(shè)計過程.第9帖是其一.

謝謝你分享你的成果!有時間我會研究研究向你請教請教.

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LV.3

2006-08-30 16:02

@liyongzhi

gjhsz:BelowisthedesignfilewithMathcadforpoint4(dcdc400w).isOK?1156923798.pdf

1156924964.pdf

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LV.5

2006-08-30 16:23

@liyongzhi

dlinli: thisisaschematicforForward(activeclampsynchronousswitch).foryourreference.1156904800.doc

thank you very much for you kindness,your documents are of great help for me,thanks again!hope to be your friends!

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LV.3

2006-08-30 16:59

沒人知道efficiency 嗎?
我自己頂一個(去年設(shè)計的):
型號:DCDC75W (half brick)
拓?fù)? forward (Diode rectifier)
測試條件: Vin:48V. Vout1:+12V. Iout1:6A. Vout2:-12V. Iout2:1.5A.
效率:89%.

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LV.5

2006-08-30 22:21

@liyongzhi

沒人知道efficiency嗎?我自己頂一個(去年設(shè)計的):型號:DCDC75W(halfbrick)拓?fù)?forward(Dioderectifier)測試條件:Vin:48V.Vout1:+12V.Iout1:6A.Vout2:-12V.Iout2:1.5A.效率:89%.

這么高啊,怎么實現(xiàn)的?這個瓦數(shù)我們用推挽做也就不到85的效率,雖然是28V輸入.DIODE用的型號可以告知嗎?
還有問您個問題:自驅(qū)動同步整流的空載和同步MOSFET的Q值關(guān)系很大吧/我用一個高Q和低Q的,空載電流相差上百個毫安.

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LV.2

2006-08-31 07:54

@liyongzhi

Belowisthemainschematicfor9point.thisisamainstreamfor>1000WACDC.1156898231.doc

thanks
如果用全橋軟開關(guān)的話效率應(yīng)該會高點,試問下您考慮用ITTF的出發(fā)點是什么?對于這種大電流高功率的電源選型應(yīng)該注意哪方面?

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LV.3

2006-08-31 09:16

@timhoo

thanks如果用全橋軟開關(guān)的話效率應(yīng)該會高點,試問下您考慮用ITTF的出發(fā)點是什么?對于這種大電流高功率的電源選型應(yīng)該注意哪方面?

胡來同志:
在我熟知的幾百個產(chǎn)品中,全橋電路極少,原因是可靠性較低.大批量生產(chǎn)最重要的是可靠性,有一臺壞機賠死你,對于1000W to 4000W , 我們主要用interleaving converter.ITTF 代替全橋電路是最李想的.thank you!

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LV.3

2006-08-31 09:40

@dlinli

這么高啊,怎么實現(xiàn)的?這個瓦數(shù)我們用推挽做也就不到85的效率,雖然是28V輸入.DIODE用的型號可以告知嗎?還有問您個問題:自驅(qū)動同步整流的空載和同步MOSFET的Q值關(guān)系很大吧/我用一個高Q和低Q的,空載電流相差上百個毫安.

Dear dlinli:
Below is the reply:
1.efficiency list(cpk)
89.135
89.174
89.180
89.198
89.218
89.179
89.191
89.124
89.122
89.172
89.117
89.276
89.206
89.108
89.156
89.253
89.139
89.076
89.219
89.235
89.193
89.273
89.147
89.065
89.235
89.217
89.311
89.170
89.054
89.290
89.196
89.243
89.157
89.121
89.167
89.004
89.225
89.141
89.215
2. Diode: SKY PWR SMT,2,6A,60V,DPAK,12CWQ06FN
3.Mosfet: NMOS,150V,20A,0.063,DPAK,PSMN063
4.Transformer,inductor:EFD20.
6. Forward (active clamp).
7. MOSFET的Q值大,Lose一定大,特別高壓Vds(Qds)時.

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LV.2

2006-08-31 11:43

@liyongzhi

胡來同志: 在我熟知的幾百個產(chǎn)品中,全橋電路極少,原因是可靠性較低.大批量生產(chǎn)最重要的是可靠性,有一臺壞機賠死你,對于1000W to4000W,我們主要用interleavingconverter.ITTF代替全橋電路是最李想的.thankyou!

是因為利用了體內(nèi)二極管而降低了全橋軟開關(guān)的可靠性了嗎?如果把死區(qū)的時間調(diào)長點呢?ITTF很穩(wěn)定,但效率是個問題啊

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LV.3

2006-08-31 14:22

沒人頂,我要哭了
唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔

Dear Dlinli, Rhett, Gjhsz ,and胡來:
I’m hard to say goodbye to all of you!

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LV.2

2006-08-31 16:13

@liyongzhi

沒人頂,我要哭了唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔DearDlinli, Rhett, Gjhsz,and胡來: I’mhardtosaygoodbyetoallofyou!

友情贊助一下,還等著你給我講解呢.

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LV.5

2006-08-31 20:01

@liyongzhi

Deardlinli:Belowisthereply:1.efficiencylist(cpk)89.13589.17489.18089.19889.21889.17989.19189.12489.12289.17289.11789.27689.20689.10889.15689.25389.13989.07689.21989.23589.19389.27389.14789.06589.23589.21789.31189.17089.05489.29089.19689.24389.15789.12189.16789.00489.22589.14189.2152.Diode:SKYPWRSMT,2,6A,60V,DPAK,12CWQ06FN3.Mosfet:NMOS,150V,20A,0.063,DPAK,PSMN0634.Transformer,inductor:EFD20.6.Forward(activeclamp).7.MOSFET的Q值大,Lose一定大,特別高壓Vds(Qds)時.

Great,the data are so charming for me,nearly perfect!
thanks for your messages!Are you in ShenZhen?i am a student from UESTC,hope to be your friends.

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LV.5

2006-08-31 20:34

@liyongzhi

沒人頂,我要哭了唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔DearDlinli, Rhett, Gjhsz,and胡來: I’mhardtosaygoodbyetoallofyou!

are you have some ideas on "雙正激"?i havn't meet it befor,it differs from double switch forward,can you explain it for me,if possible pls upload a schematic ?

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rhett

LV.8

2006-09-01 08:54

@liyongzhi

沒人頂,我要哭了唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔DearDlinli, Rhett, Gjhsz,and胡來: I’mhardtosaygoodbyetoallofyou!

再幫幫你,頂一下.

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king_ljun

LV.4

2006-09-01 09:16

@liyongzhi

沒人頂,我要哭了唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔DearDlinli, Rhett, Gjhsz,and胡來: I’mhardtosaygoodbyetoallofyou!

ding!

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LV.2

2006-09-01 10:16

@dlinli

areyouhavesomeideason"雙正激"?ihavn'tmeetitbefor,itdiffersfromdoubleswitchforward,canyouexplainitforme,ifpossibleplsuploadaschematic?

用兩個正激180度互補導(dǎo)通,輸入輸出呈現(xiàn)雙倍開關(guān)管工作頻率關(guān)系,對那些被動器件的尺寸有幫助.它是全橋的一個很好的替代,如果對效率沒特別要求的話.因為沒有運用開關(guān)管的體內(nèi)二極管,又是正激架構(gòu),可靠性有保證,所以樓主比較推崇這方案

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LV.5

2006-09-01 11:19

@timhoo

昨天找了點相關(guān)資料,是交錯級聯(lián)雙管正激,初級是兩個雙管正激,分別工作在相反狀態(tài),如果使用普通的推挽芯片,那么需要驅(qū)動,考慮到已經(jīng)有雙變壓器和電感,所以考慮用芯片驅(qū)動,試問該用哪款芯片?

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frank

LV.8

2006-09-02 11:38

@king_ljun

ding!

好貨!

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gjhsz

LV.5

2006-09-04 12:37

頂起來,為何PDF檔下載不了?

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