power mos 這樣做可否降小其漏極與源極之間的壓降?
我有一款電源其輸出電壓為25VDC,在輸出端有接二個POWER MOS,MOS的壓降為1.3V,我有試著在柵極加一個300K的電阻來壓制漏極與源極之間的壓降.試問這樣做是否可行.謝謝!
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@李紹波
電路形式是什么?MOS的做用是同步整流還是變換開關(guān)?如果以上都不是,而只是一個開關(guān)而已,可以加高柵極驅(qū)動電壓,也可以換成低內(nèi)阻的管.
是上款開關(guān)電源加一個彩燈控制IC組成的一個控制器.MOS的作用只是做變換開關(guān).如你所說的加高柵極電壓,可我這個是控制IC出來就直接MOS柵極,這樣根本沒辦法去提升柵極電壓.
我現(xiàn)在用的MOS是ST2304 SOT-23 內(nèi)阻大至為十多個歐姆(要具體查一下資料)若換低內(nèi)阻的MOS可是可行,但我現(xiàn)苦于兩個問題:一,這種低內(nèi)阻的MOS比較少,特別是SOT-23封裝的.二,價各上可能會比現(xiàn)用的高.
但從解決問題點出發(fā),可試試,不知你有沒有這方面的資料.謝謝!
我現(xiàn)在用的MOS是ST2304 SOT-23 內(nèi)阻大至為十多個歐姆(要具體查一下資料)若換低內(nèi)阻的MOS可是可行,但我現(xiàn)苦于兩個問題:一,這種低內(nèi)阻的MOS比較少,特別是SOT-23封裝的.二,價各上可能會比現(xiàn)用的高.
但從解決問題點出發(fā),可試試,不知你有沒有這方面的資料.謝謝!
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