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LLC 諧 振 變 換

LLC 諧 振 變 換1159973511.pdf
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iceli
LV.2
2
2008-11-25 10:51
這么好的資料,怎么沒有人頂呢
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zh88ha
LV.5
3
2008-12-01 13:47
確實是好資料!   很好!
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2009-07-01 15:38
@zh88ha
確實是好資料!  很好!
想請教樓主一個問題呀.
LLC諧振上管要實現(xiàn)ZVS,首先是下管結(jié)電容COSS2充電,上管的結(jié)電容COSS1放電,只要當COSS1充電到VIN+0.7V左右,上管體內(nèi)二極管放可以導通,此時才可以實現(xiàn)ZVS.這樣理解對?如果是對的那么下管COSS2上面的電壓怎么充到那么高的電壓?如果是錯的還望樓主詳細講解一下.
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l003zi
LV.4
5
2009-07-01 19:02
@007luchuang
想請教樓主一個問題呀.LLC諧振上管要實現(xiàn)ZVS,首先是下管結(jié)電容COSS2充電,上管的結(jié)電容COSS1放電,只要當COSS1充電到VIN+0.7V左右,上管體內(nèi)二極管放可以導通,此時才可以實現(xiàn)ZVS.這樣理解對?如果是對的那么下管COSS2上面的電壓怎么充到那么高的電壓?如果是錯的還望樓主詳細講解一下.
頂!
這個資料對于理解LLC相當有價值!!!
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luodongxu
LV.2
6
2009-07-01 20:23
@007luchuang
想請教樓主一個問題呀.LLC諧振上管要實現(xiàn)ZVS,首先是下管結(jié)電容COSS2充電,上管的結(jié)電容COSS1放電,只要當COSS1充電到VIN+0.7V左右,上管體內(nèi)二極管放可以導通,此時才可以實現(xiàn)ZVS.這樣理解對?如果是對的那么下管COSS2上面的電壓怎么充到那么高的電壓?如果是錯的還望樓主詳細講解一下.
靠下管的寄生電容實現(xiàn),當下管關(guān)閉時電感對下管的寄生電容充電,很快將HB點的電壓充到VIN+0.7V,然后上管導通,這時上管就實現(xiàn)了ZVS.
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2009-07-02 13:50
@luodongxu
靠下管的寄生電容實現(xiàn),當下管關(guān)閉時電感對下管的寄生電容充電,很快將HB點的電壓充到VIN+0.7V,然后上管導通,這時上管就實現(xiàn)了ZVS.
謝謝,大俠指點.這點我是可以理解的.我搞不懂的是,HB點的電壓怎么能上升那么高.諧振時候,漏感和諧振上面的電壓幾乎為0,初級電感上面的電壓又被輸出反射為NV0.還希望你多多指點?我個人認為是結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值,正是由于VIN的存,有個乾位的作用,使HB點的電壓被充到VIN+0.7不知道是否正確.
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2009-07-02 14:12
@007luchuang
謝謝,大俠指點.這點我是可以理解的.我搞不懂的是,HB點的電壓怎么能上升那么高.諧振時候,漏感和諧振上面的電壓幾乎為0,初級電感上面的電壓又被輸出反射為NV0.還希望你多多指點?我個人認為是結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值,正是由于VIN的存,有個乾位的作用,使HB點的電壓被充到VIN+0.7不知道是否正確.
謝謝,大俠指點.這點我是可以理解的.我搞不懂的是,HB點的電壓怎么能上升那么高.諧振時候,漏感和諧振電容上面的電壓幾乎為0,初級電感上面的電壓又被輸出反射為NV0.還希望你多多指點?我個人認為是結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值,正是由于VIN的存,有個乾位的作用,使HB點的電壓被充到VIN+0.7不知道是否正確.
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luodongxu
LV.2
9
2009-07-02 22:46
@007luchuang
謝謝,大俠指點.這點我是可以理解的.我搞不懂的是,HB點的電壓怎么能上升那么高.諧振時候,漏感和諧振上面的電壓幾乎為0,初級電感上面的電壓又被輸出反射為NV0.還希望你多多指點?我個人認為是結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值,正是由于VIN的存,有個乾位的作用,使HB點的電壓被充到VIN+0.7不知道是否正確.
結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值,

我想是這樣的
LLC的電路我也沒有做過,只是看datasheet和原理說明書理解成這個樣子.
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007luchuang
LV.4
10
2009-07-03 07:06
@luodongxu
結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值,我想是這樣的LLC的電路我也沒有做過,只是看datasheet和原理說明書理解成這個樣子.
結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值, 這樣去理解是對的.
但是為什么能充到比VIN還要高就有點費解.這個說明給結(jié)電容充電的電流源(LP+LS)的電壓值要高于VIN.而LP上面的電壓被輸出反射,只有N*V0,那么LS上面是不是也承擔了VIN/2的電壓值.
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