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討論:什么樣的二極管適用于電子鎮(zhèn)流器PFC電路?

以下淺見(jiàn),歡迎各位大俠拍磚.

1) 片面強(qiáng)調(diào)trr值小沒(méi)有任何的實(shí)際意義.有廠家根據(jù)trr的定義投機(jī)取巧地得到很小的trr數(shù)值.很明顯看出這二極管在反向恢復(fù)的過(guò)程,強(qiáng)行把電流關(guān)斷造成trr比較小.但是其反向恢復(fù)沒(méi)有完成,存在振蕩;

2)  需要注意二極管反向恢復(fù)的另外兩個(gè)指標(biāo)Qrr, Irrm.Qrr*Vfm決定了FRED的反向恢復(fù)損耗, Irrm很到影響PFC的IGBT/MOSFET的ON損耗.

3)  反向恢復(fù)的振蕩嚴(yán)重造成系統(tǒng)的EMI問(wèn)題.很明顯soft recovery FRED的trr值相對(duì)比較大,但是EMI效果奇好.而且綜合系統(tǒng)效率,也不見(jiàn)得比trr特小的差.


4)漏電流Ir不能過(guò)大.常規(guī)的FRED都標(biāo)稱(chēng)Ir<500uA@Tj=125C, Vr=600V.一般情況Tj越大,Vr越大,漏電流也越大.漏電流影響FRED的STANDBY損耗和可靠性.
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2006-10-08 17:52
您好,我們公司代理美國(guó)的CREE的SiC的軍工二極管,他可以滿(mǎn)足在大功率,特別是在功率大于300W的PFC的電路上有明顯的改善,最大能達(dá)到3~5%,該產(chǎn)品已經(jīng)為DELTA的知名品牌廠家應(yīng)用!他可以減少EMI,電感感值,電容容值,PCB尺寸的.如有更多的了解,請(qǐng)與我聯(lián)系:周祥林 13817906430  E-MAIL:kylinzhou0504@126.com
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2006-10-08 18:04
@colinzhou0504
您好,我們公司代理美國(guó)的CREE的SiC的軍工二極管,他可以滿(mǎn)足在大功率,特別是在功率大于300W的PFC的電路上有明顯的改善,最大能達(dá)到3~5%,該產(chǎn)品已經(jīng)為DELTA的知名品牌廠家應(yīng)用!他可以減少EMI,電感感值,電容容值,PCB尺寸的.如有更多的了解,請(qǐng)與我聯(lián)系:周祥林13817906430  E-MAIL:kylinzhou0504@126.com
sorry,E-MAIL:COLINZHOU0504@126.COM
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LV.2
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2006-10-10 12:21
@colinzhou0504
您好,我們公司代理美國(guó)的CREE的SiC的軍工二極管,他可以滿(mǎn)足在大功率,特別是在功率大于300W的PFC的電路上有明顯的改善,最大能達(dá)到3~5%,該產(chǎn)品已經(jīng)為DELTA的知名品牌廠家應(yīng)用!他可以減少EMI,電感感值,電容容值,PCB尺寸的.如有更多的了解,請(qǐng)與我聯(lián)系:周祥林13817906430  E-MAIL:kylinzhou0504@126.com
我覺(jué)得SIC肖特基放到PFC里是最合適的,SIC肖特基他的優(yōu)點(diǎn)就是反向恢復(fù)時(shí)間為零,耐壓高(600-1200V),耐高溫(300度以?xún)?nèi)不發(fā)生改變),高頻.這樣在這些條件下可以發(fā)揮很好的作用,當(dāng)然就改善溫升的問(wèn)題是沒(méi)有任何問(wèn)題的,謝謝!聯(lián)系:13590330343(吳)
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oude
LV.5
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2006-10-10 15:55
@colinzhou0504
您好,我們公司代理美國(guó)的CREE的SiC的軍工二極管,他可以滿(mǎn)足在大功率,特別是在功率大于300W的PFC的電路上有明顯的改善,最大能達(dá)到3~5%,該產(chǎn)品已經(jīng)為DELTA的知名品牌廠家應(yīng)用!他可以減少EMI,電感感值,電容容值,PCB尺寸的.如有更多的了解,請(qǐng)與我聯(lián)系:周祥林13817906430  E-MAIL:kylinzhou0504@126.com
SIC的價(jià)格現(xiàn)在怎樣了,比如600V8A左右,什么價(jià)位了?
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LV.2
6
2006-10-11 09:47
@oude
SIC的價(jià)格現(xiàn)在怎樣了,比如600V8A左右,什么價(jià)位了?
謝謝你的關(guān)注,請(qǐng)給出您的聯(lián)系方式;suixianglu@163.com,謝謝
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oude
LV.5
7
2006-10-11 15:39
APT8DQ60K: 600V,8A,TO-220.
大家看這個(gè)怎么樣?可以提供樣品測(cè)試.

1160552234.pdf
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ben
LV.4
8
2006-10-11 18:01
@oude
APT8DQ60K:600V,8A,TO-220.大家看這個(gè)怎么樣?可以提供樣品測(cè)試.1160552234.pdf
可以試一下BYC8-600或BYC8X-600.需要樣片可以和我聯(lián)系.
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2006-10-12 21:42
@oude
SIC的價(jià)格現(xiàn)在怎樣了,比如600V8A左右,什么價(jià)位了?
謝謝大家的關(guān)注,本公司代理的CREE產(chǎn)品,是由政府出資的,開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品SiC材料提供給美國(guó)軍方,同時(shí)近幾年也買(mǎi)給Osram,英飛凌,ROHM等本導(dǎo)體廠家.可以用來(lái)生產(chǎn)LED,RF,LIGHTING, power Switching等,近幾年現(xiàn)在我們的一些產(chǎn)品也可以轉(zhuǎn)為民品在市場(chǎng)上銷(xiāo)售,并得到廣大知名電源的廠家的關(guān)注,本公司可以為廣大大功率電源廠家提供在300V下的20A和10A,在600V的1A,2A,4A,6A,10A和20A,在1200V下的5A,10A,20A 的肖特基二極管,在附件中有肖特基二極管的選擇相關(guān)資料供大家參考.
由于SiC的勢(shì)壘為3.3EV,Si的勢(shì)壘為1.1EV,這是SiC和Si本身特性的差異．這種特性導(dǎo)致他們的物理特性不一樣,如SiC的導(dǎo)電率是Si的3倍,致使能承受更大的電流,能帶隙是Si的3倍,致使能承受更高的溫度;10倍于Si的潰崩電壓,在相同的電壓時(shí),有更低的內(nèi)阻,更快的響應(yīng)速度．1160660508.pdf
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2006-10-12 22:36
@colinzhou0504
謝謝大家的關(guān)注,本公司代理的CREE產(chǎn)品,是由政府出資的,開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品SiC材料提供給美國(guó)軍方,同時(shí)近幾年也買(mǎi)給Osram,英飛凌,ROHM等本導(dǎo)體廠家.可以用來(lái)生產(chǎn)LED,RF,LIGHTING,powerSwitching等,近幾年現(xiàn)在我們的一些產(chǎn)品也可以轉(zhuǎn)為民品在市場(chǎng)上銷(xiāo)售,并得到廣大知名電源的廠家的關(guān)注,本公司可以為廣大大功率電源廠家提供在300V下的20A和10A,在600V的1A,2A,4A,6A,10A和20A,在1200V下的5A,10A,20A的肖特基二極管,在附件中有肖特基二極管的選擇相關(guān)資料供大家參考.由于SiC的勢(shì)壘為3.3EV,Si的勢(shì)壘為1.1EV,這是SiC和Si本身特性的差異．這種特性導(dǎo)致他們的物理特性不一樣,如SiC的導(dǎo)電率是Si的3倍,致使能承受更大的電流,能帶隙是Si的3倍,致使能承受更高的溫度;10倍于Si的潰崩電壓,在相同的電壓時(shí),有更低的內(nèi)阻,更快的響應(yīng)速度．1160660508.pdf
由于這些特點(diǎn),加上肖特基本身的特性,是單極性的N極．故在高溫,高壓時(shí)都保持良好的電氣特性．致使它更適合在高壓高溫的條件下使用,如大功率的電路中PFC的電路中,有人認(rèn)為SiC的價(jià)格高,實(shí)際上并不是這樣,首先,他可以用來(lái)代替大電流的快恢復(fù)二極管,如CSD010600的1A的SiC在200W中可以代替8A/600vSi-3產(chǎn)品.由于肖特基本身的特性,可以增加電路的頻率,減少開(kāi)關(guān)損耗,由于高能帶隙,能降低系統(tǒng)的溫度,能夠減少磁環(huán)的磁通量,減少電容值,降低Mosfet的負(fù)載,減少電路的EMI,使電路更容易的通過(guò)EMI測(cè)試．減小PCB的面積．基于以上優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)在已經(jīng)為最大的電源廠家臺(tái)達(dá),TYCO等單位使用,應(yīng)用于200W以上的電路尤為明顯,降低了系統(tǒng)的溫度20~40度,功耗,成本．
如須更多的了解和服務(wù),請(qǐng)與我聯(lián)系:周祥林 13817906430 colinzhou0504@126.com
同時(shí)我們還代理SUPERTEX/OSRAM/SSC的產(chǎn)品,涉及LED驅(qū)動(dòng),LED,IR,LASER,OLED的產(chǎn)品．
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