不一定.
變壓器計(jì)算公式推導(dǎo)一下吧.

要看什么線路,若是RCC的就不會(huì),RCC低端更容易飽和因?yàn)樗ぷ髟谂R界模式.

單端反激開關(guān)電源,DCM,QR方式.有人告訴我說高壓更容易飽和,我不知道為什么?能解釋一下嗎???

若從公式來看是不會(huì)變的,但由于考慮到高壓時(shí)線的溫度高了,所以Bs降低了.對(duì)CCM來說從公式來看低壓更容易飽和(不考慮Bs變化的情況).

不明白為什么線溫高了?

Bs的降低不是線的溫度引起的,而是磁芯本身溫度升高了引起的.
給個(gè)公式看看就會(huì)明白了,為什么單端反激在高端更容易飽和(個(gè)人認(rèn)為).BS=LP*IP/AE*NP

飽和值Bs是磁心的特性,為什么和L,A,P 等有關(guān)?

這里的Bs是變化的Bs,我們是用它來去和磁芯特性中的Bs比較.比如說PC40磁芯,120度時(shí)的Bs為3500(它是固定的).我們計(jì)算出來的是在電路中實(shí)際的,再去和3500比較,大于3500就會(huì)飽和.

可是Ip(或工作中Bs)在DCM時(shí)是不變的,跟輸入電壓在高低端沒關(guān)系呀.

Ip=2Po/Vin*D
跟輸入沒關(guān)系嗎?

個(gè)人覺得你的第7帖的關(guān)系式有誤,還有第11題應(yīng)該是IP=2Po/Vinmin*Ton吧?

請(qǐng)指正第7貼的公式,我們可以推一下.IP不會(huì)有錯(cuò),其實(shí)是Ip=2Po*T/Vin*Ton,  T/Ton不就是1/D嗎?所以Ip=2Po*T/Vin*D沒錯(cuò)!

錯(cuò),D和T各是一個(gè)概念.D是一個(gè)比例,T和Ton的單位是us.如果T/Ton=1/D那么代入數(shù)字計(jì)算一下還對(duì)嗎?
BS是當(dāng)磁芯中磁場強(qiáng)度H增加,磁感應(yīng)強(qiáng)度出現(xiàn)飽合時(shí)的B值,可以看出BS是在溫度范圍內(nèi)的一個(gè)固定值.
根據(jù)磁芯在工作磁感應(yīng)強(qiáng)度時(shí)的單位體積損耗,的工作磁感應(yīng)強(qiáng)度可以用:BW=(VS/4.44*F*N*Ae)*1M (mT),可以看出磁芯在高壓時(shí)的BW比低壓時(shí)的BW大.

你沒發(fā)覺Vin*D乘積是不變的嗎 ? Vin大則D小,Vin小則D大.

兄弟,變壓器的線和磁芯是一個(gè)整體的,在這里(DCM)里BS是不變的,這個(gè)你好好看看.

這個(gè)公式對(duì)高頻的好像不是用吧,第七帖的公式?jīng)]有錯(cuò).

VIN的變化和D的變化是線性變化的嗎?

D是一個(gè)比例沒錯(cuò),但D的比例是由TON/T而得來的,代入公式去有錯(cuò)嗎?我這樣只是為了估算方便.

儲(chǔ)存能量=1/2 *Lp*Ip^2 ,如果功率不變的話,Ip是不變的,所以根據(jù)Ip=2*Po/Vin*D, Vin*D是個(gè)固定值.

你意思是線溫先高了,然后磁心溫度受影響跟著上升,導(dǎo)致Bsat下降 ? 能否解釋為什么線溫會(huì)首先高了 ?

簡單,線溫升高主要是因?yàn)殡娏鞣逯蹈?變壓器工作為非連續(xù)狀態(tài).

我們討論的是,輸入電壓高低,對(duì)IP的影響.IP=2*P/VIN*D,VIN*D的值在輸入電壓和輸入電壓低時(shí)是不相等的.雖然VIN大D小,VIN小D大,但它的變化不是線性的,所以,IP還是會(huì)變化的.也可以測試得到,在高端和低端輸入的時(shí)候,IP明顯不同.

QR方式電源的開關(guān)頻率是變化的,而且QR動(dòng)作時(shí)一定是工作在DCM模式下的(某些IC在啟動(dòng)時(shí)可能工作在PWM下).所以QR的電源一定是低壓更容易飽和.

那您的意思是D=Ton?

技術(shù)方面嚴(yán)謹(jǐn)一點(diǎn)比較好.

以為討論的是DCM時(shí)的理想情況,20貼的推導(dǎo)是沒問題的.

是你想得太簡單罷了,要看電流的有效值,不是峰值.

正常工作肯定是低輸入電壓的時(shí)候Id更大了.如果是剛通電瞬間呢??會(huì)不會(huì)占空比不受空和低壓一樣,那么Idp＝VxTon/L,V越大I容易飽和呢

不好意思,是我說錯(cuò)了.是有效電流.

BS是磁芯的一個(gè)參數(shù),但是它是隨溫度的變化而變化的.我們所討論的是變壓器工作時(shí)的磁感應(yīng)強(qiáng)度,它的BS是隨LP,NP,IPK的變化而變化的.