各位大俠:
有誰做過類似40A,2V的恒流電源
請給點(diǎn)資料提示
謝謝大家
e-mail:liuxing1324@163.net
求40A,2V的恒流電源設(shè)計(jì)方法
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呵呵 是半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)的LD恒流電源吧,象大族激光,泰德激光都要用的,偶做的0---1.844V每步0.05V可調(diào),電流0---100A每步O.01A可調(diào),溫飄0.05A,重復(fù)精度0.01A,紋波噪聲小于0.001V,
85-264VAC輸入,輸出1.844V/100A,效率超過80%,限壓恒流,
全數(shù)控LCD顯示,可接上位機(jī)程控,
單臺成本200元人民幣,市場價超過2萬元/臺,
以上數(shù)據(jù)供你參考,也可提供有嘗技術(shù)支持的,呵呵
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單臺成本200元人民幣,市場價超過2萬元/臺,
以上數(shù)據(jù)供你參考,也可提供有嘗技術(shù)支持的,呵呵
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呵呵是半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)的LD恒流電源吧,象大族激光,泰德激光都要用的,偶做的0---1.844V每步0.05V可調(diào),電流0---100A每步O.01A可調(diào),溫飄0.05A,重復(fù)精度0.01A,紋波噪聲小于0.001V,85-264VAC輸入,輸出1.844V/100A,效率超過80%,限壓恒流,全數(shù)控LCD顯示,可接上位機(jī)程控,單臺成本200元人民幣,市場價超過2萬元/臺,以上數(shù)據(jù)供你參考,也可提供有嘗技術(shù)支持的,呵呵
用恒壓源改動取樣電路做成恒流源
不太了解啊
10樓的建議我很感興趣
能具體談?wù)剢??可以先發(fā)給我些大框的資料嗎
還有有償?shù)募夹g(shù)支持大概多少RMB??
不太了解啊
10樓的建議我很感興趣
能具體談?wù)剢??可以先發(fā)給我些大框的資料嗎
還有有償?shù)募夹g(shù)支持大概多少RMB??
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@yzds409
簡單
我的最新方案:驅(qū)動電源是以大功率的MOSFET管IRF1503為核心,LDA作為負(fù)載串聯(lián)在MOSFET的漏極D上,通過控制MOSFET管的柵極來實(shí)現(xiàn)對流過LDA電流的控制.但MOSFET是非線性器件,難以直接控制,因此必須將其轉(zhuǎn)化為線性控制.在MOSFET管的漏極D串聯(lián)一個0.005Ω的電
阻R6,用于采樣反饋控制,由于R6很小,為了減小引線電阻對R6采樣精度的影響,選用ISOTEK公司的PBV型電阻,其電流輸入引腳和電壓輸出引腳是獨(dú)立的.MOSFET管的電流變化范圍是0—50A,輸入控制信號的電壓范圍是0—5V,將采樣電阻的電壓經(jīng)過LM358(U1B)放大20倍正好與輸入電壓匹配.這樣控制電壓0—5V與流經(jīng)LDA的0—50A連續(xù)可調(diào)的穩(wěn)流源建立起線性對應(yīng)關(guān)系,以適應(yīng)不同規(guī)格的半導(dǎo)體激光器陣列的運(yùn)行需要.整個反饋是開環(huán)系統(tǒng),十分容易產(chǎn)生自激,因此用一個濾波電容C破壞自激產(chǎn)生的條件,消除自激.
MOSFET管受LM358(U1A)的控制,工作在開關(guān)狀態(tài),為了使流過LDA的電流穩(wěn)定,我們選用適量的電感L來平穩(wěn)電流.為了保證帶電阻———電感負(fù)載的MOSFET安全工作,必須消除負(fù)載電感L中的自感電動勢擊穿MOSFET的可能性,為此在LDA、R6和L串聯(lián)而成的負(fù)載兩端并聯(lián)一個續(xù)流二極管D1.MOSFET管關(guān)斷時,電感中的感應(yīng)電動勢eL使二極管D1正向?qū)?給負(fù)載提供一個續(xù)流回路,同時將晶體管的集電極電壓鉗位于Vdd,從而避免工作點(diǎn)進(jìn)入擊穿區(qū).為了提高D1的關(guān)斷速度,減小其反相恢復(fù)電流對MOSFET的影響,選用快速恢復(fù)二極管MUR610.
圖3.驅(qū)動電源主電路圖
阻R6,用于采樣反饋控制,由于R6很小,為了減小引線電阻對R6采樣精度的影響,選用ISOTEK公司的PBV型電阻,其電流輸入引腳和電壓輸出引腳是獨(dú)立的.MOSFET管的電流變化范圍是0—50A,輸入控制信號的電壓范圍是0—5V,將采樣電阻的電壓經(jīng)過LM358(U1B)放大20倍正好與輸入電壓匹配.這樣控制電壓0—5V與流經(jīng)LDA的0—50A連續(xù)可調(diào)的穩(wěn)流源建立起線性對應(yīng)關(guān)系,以適應(yīng)不同規(guī)格的半導(dǎo)體激光器陣列的運(yùn)行需要.整個反饋是開環(huán)系統(tǒng),十分容易產(chǎn)生自激,因此用一個濾波電容C破壞自激產(chǎn)生的條件,消除自激.
MOSFET管受LM358(U1A)的控制,工作在開關(guān)狀態(tài),為了使流過LDA的電流穩(wěn)定,我們選用適量的電感L來平穩(wěn)電流.為了保證帶電阻———電感負(fù)載的MOSFET安全工作,必須消除負(fù)載電感L中的自感電動勢擊穿MOSFET的可能性,為此在LDA、R6和L串聯(lián)而成的負(fù)載兩端并聯(lián)一個續(xù)流二極管D1.MOSFET管關(guān)斷時,電感中的感應(yīng)電動勢eL使二極管D1正向?qū)?給負(fù)載提供一個續(xù)流回路,同時將晶體管的集電極電壓鉗位于Vdd,從而避免工作點(diǎn)進(jìn)入擊穿區(qū).為了提高D1的關(guān)斷速度,減小其反相恢復(fù)電流對MOSFET的影響,選用快速恢復(fù)二極管MUR610.
圖3.驅(qū)動電源主電路圖
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@王鑫2006
我的最新方案:驅(qū)動電源是以大功率的MOSFET管IRF1503為核心,LDA作為負(fù)載串聯(lián)在MOSFET的漏極D上,通過控制MOSFET管的柵極來實(shí)現(xiàn)對流過LDA電流的控制.但MOSFET是非線性器件,難以直接控制,因此必須將其轉(zhuǎn)化為線性控制.在MOSFET管的漏極D串聯(lián)一個0.005Ω的電阻R6,用于采樣反饋控制,由于R6很小,為了減小引線電阻對R6采樣精度的影響,選用ISOTEK公司的PBV型電阻,其電流輸入引腳和電壓輸出引腳是獨(dú)立的.MOSFET管的電流變化范圍是0—50A,輸入控制信號的電壓范圍是0—5V,將采樣電阻的電壓經(jīng)過LM358(U1B)放大20倍正好與輸入電壓匹配.這樣控制電壓0—5V與流經(jīng)LDA的0—50A連續(xù)可調(diào)的穩(wěn)流源建立起線性對應(yīng)關(guān)系,以適應(yīng)不同規(guī)格的半導(dǎo)體激光器陣列的運(yùn)行需要.整個反饋是開環(huán)系統(tǒng),十分容易產(chǎn)生自激,因此用一個濾波電容C破壞自激產(chǎn)生的條件,消除自激.MOSFET管受LM358(U1A)的控制,工作在開關(guān)狀態(tài),為了使流過LDA的電流穩(wěn)定,我們選用適量的電感L來平穩(wěn)電流.為了保證帶電阻———電感負(fù)載的MOSFET安全工作,必須消除負(fù)載電感L中的自感電動勢擊穿MOSFET的可能性,為此在LDA、R6和L串聯(lián)而成的負(fù)載兩端并聯(lián)一個續(xù)流二極管D1.MOSFET管關(guān)斷時,電感中的感應(yīng)電動勢eL使二極管D1正向?qū)?給負(fù)載提供一個續(xù)流回路,同時將晶體管的集電極電壓鉗位于Vdd,從而避免工作點(diǎn)進(jìn)入擊穿區(qū).為了提高D1的關(guān)斷速度,減小其反相恢復(fù)電流對MOSFET的影響,選用快速恢復(fù)二極管MUR610.圖3.驅(qū)動電源主電路圖
這是主控恒流回路的方案,現(xiàn)在不想用單片機(jī)了
前端是2V,40A的恒壓開關(guān)電源.這個主控回路加在開關(guān)電源后面
主要是控制電流,輸出恒流
圖貼不上來
請各位大俠看看
這個方案怎么樣
是否可行
謝謝大家
前端是2V,40A的恒壓開關(guān)電源.這個主控回路加在開關(guān)電源后面
主要是控制電流,輸出恒流
圖貼不上來
請各位大俠看看
這個方案怎么樣
是否可行
謝謝大家
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@王鑫2006
我的最新方案:驅(qū)動電源是以大功率的MOSFET管IRF1503為核心,LDA作為負(fù)載串聯(lián)在MOSFET的漏極D上,通過控制MOSFET管的柵極來實(shí)現(xiàn)對流過LDA電流的控制.但MOSFET是非線性器件,難以直接控制,因此必須將其轉(zhuǎn)化為線性控制.在MOSFET管的漏極D串聯(lián)一個0.005Ω的電阻R6,用于采樣反饋控制,由于R6很小,為了減小引線電阻對R6采樣精度的影響,選用ISOTEK公司的PBV型電阻,其電流輸入引腳和電壓輸出引腳是獨(dú)立的.MOSFET管的電流變化范圍是0—50A,輸入控制信號的電壓范圍是0—5V,將采樣電阻的電壓經(jīng)過LM358(U1B)放大20倍正好與輸入電壓匹配.這樣控制電壓0—5V與流經(jīng)LDA的0—50A連續(xù)可調(diào)的穩(wěn)流源建立起線性對應(yīng)關(guān)系,以適應(yīng)不同規(guī)格的半導(dǎo)體激光器陣列的運(yùn)行需要.整個反饋是開環(huán)系統(tǒng),十分容易產(chǎn)生自激,因此用一個濾波電容C破壞自激產(chǎn)生的條件,消除自激.MOSFET管受LM358(U1A)的控制,工作在開關(guān)狀態(tài),為了使流過LDA的電流穩(wěn)定,我們選用適量的電感L來平穩(wěn)電流.為了保證帶電阻———電感負(fù)載的MOSFET安全工作,必須消除負(fù)載電感L中的自感電動勢擊穿MOSFET的可能性,為此在LDA、R6和L串聯(lián)而成的負(fù)載兩端并聯(lián)一個續(xù)流二極管D1.MOSFET管關(guān)斷時,電感中的感應(yīng)電動勢eL使二極管D1正向?qū)?給負(fù)載提供一個續(xù)流回路,同時將晶體管的集電極電壓鉗位于Vdd,從而避免工作點(diǎn)進(jìn)入擊穿區(qū).為了提高D1的關(guān)斷速度,減小其反相恢復(fù)電流對MOSFET的影響,選用快速恢復(fù)二極管MUR610.圖3.驅(qū)動電源主電路圖
控制電壓0~5V是不是小了點(diǎn),一般MOSFET的驅(qū)動電壓在10V左右吧.
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