個人認(rèn)為中柱磨氣隙損耗大.因為氣隙越大,漏磁越厲害,在導(dǎo)線上產(chǎn)生的渦流損耗就越大.

實際試一下,不就行了,很簡單的,即使推導(dǎo)出來,也沒底

但是我實測出來的結(jié)果是墊的工作溫度比磨的高10度,請雪兄指教!謝謝!

溫度差這么大??是線包熱還是磁芯熱?另外,兩個磁芯的材質(zhì)一樣嗎?是用同一個線包做的實驗嗎?

中柱磨氣息損耗小,客戶一般都是這樣要求的,邊柱墊氣息肯定發(fā)熱大,這涉及到磁路及接觸性方面的問題.

我測的是線包的溫度,磁芯的材質(zhì)一樣,用的是不同的線包,但我測兩個線包的DCR基本上一樣,3.6歐,是不是漆包線的問題呀?請指教!謝謝!

能具體說說嗎?謝謝!

你測的是線包什么地方的溫度?我猜是靠近側(cè)面氣隙處的溫度吧?磨中柱造成的渦流損耗主要對內(nèi)層影響大,但是溫度不好量,你能否試試將溫度探頭放里面測測看.同時我很擔(dān)心漏磁對熱電耦的影響.

我測的是線包表面的溫度,不是靠近側(cè)面氣隙處的,我估計測側(cè)面氣隙處的溫度會更高,我試試看,有結(jié)果告訴你,謝謝你的幫助!

我認(rèn)為磨氣隙的損耗大,溫升高.
各位有何不同的看法,請發(fā)表!!!

沒有 , 我以前做過實驗!
   兩邊加氣隙勝于中柱開氣隙 !
請看附件的資料,  它是來自于網(wǎng)絡(luò),只是我稍稍整理的!
1441761200483477.pdf

黃兄:
    你能確定嗎?
    請參考http://bbs.dianyuan.com/topic/74921中chali888的見解.
    到底哪種溫升要低呢?希望大家踴躍發(fā)言!!!

我上傳的那份資料 人家都申請專利了哦!!
  還有就是中柱磨 樓梯形 , 它效率最好. 但是不利於生產(chǎn)!!

黃兄:
    我冒昧的問一句,請不要見怪.
    你有沒有用這兩種方法做對比試驗?zāi)?
    試驗結(jié)果,溫升又相差多少呢?

溫升差異那就沒注意看哦, 但是在範(fàn)圍內(nèi).
    不過效率有所提升!

哦.
不過,我相信http://bbs.dianyuan.com/topic/74921中chali888一定做過此方面的試驗.

諸位的意見呢???
請發(fā)表!!!

期待!

邊柱墊氣隙相當(dāng)三個氣隙

一般都不用墊兩邊柱的方法生產(chǎn).因為磨中柱更利于生產(chǎn),成本低,電感量穩(wěn)定,好控制.
  磨中柱的漏磁小,對其它電路的電磁干擾小.
  只有個別情況材會墊邊柱.當(dāng)GAP很大,需要磨很大中柱時(這樣磨中柱的工作量很大).比如我們做的一款用3對EE100做成的 Litz wire 200*0.28mm 40TS 300uF電感,就墊了14mm的邊柱.

對, 也需要考慮實際生產(chǎn)需要!!

生產(chǎn)時當(dāng)然一般是磨氣隙效率要高.
但現(xiàn)在是討論哪個溫升要高的問題.

如果對單顆變壓器, 應(yīng)該是磨中柱的溫升要高于兩變柱夾紙片!

同意

還是你是和我一條心的!

呵呵
黃兄,我發(fā)給你的郵件可不能忘了詳細(xì)回復(fù)喲
我可是靜候佳音呀

溫升取決于磁阻R,有公式R=H*g/B*s,這里設(shè)H-磁場強(qiáng)度,g-氣隙長度,B-磁感應(yīng)強(qiáng)度,S-氣隙面積.磁阻大溫升高,大家去計算吧.