Pd就是內(nèi)損功耗.Rds*Id^2

謝謝!

在有些規(guī)格書中Rds*Id^2大于Pd,而有些規(guī)格書Rds*Id^2小于Pd,

理論值與實(shí)際值有區(qū)別,規(guī)格上寫的PD是中心理想值.

亦有交越損耗!

請告之交越損耗是什么?這個詞以前沒聽說過

要正確理解Pd并能算出相應(yīng)的散熱片,絕不是一件簡單的事,它的復(fù)雜程度不亞于你對磁的理解,要有相當(dāng)?shù)母叩葦?shù)學(xué)知識,不信你問熱阻的概念看你周圍有幾人能答上來,下面還有一個derate above 25又有多少人知道或用過它,好多人都知道熱損耗是怎么產(chǎn)生的,但用散熱片時是用經(jīng)驗(yàn)和實(shí)驗(yàn)來做的,我曾問幾個作開關(guān)管公司的高級工程師,他們都是一知半解的,說國外的就是這樣來,后來還是我自己總結(jié)了一套方法,在這里我沒辦法詳解.這個Pd一般是指散熱片為無限大時開關(guān)管所能承受的熱量,你肯定會問,如何作到無限大呢,半導(dǎo)體公司一般是用水冷來做的,就是用流動的液體將熱量導(dǎo)走,你這個問題問得好,要學(xué)好我告訴你幾個步驟
:第一,學(xué)好高等數(shù)學(xué),第二,學(xué)好晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu),第三,多看一些熱學(xué)各相關(guān)力學(xué)方面的書,第四,把實(shí)驗(yàn)溫度結(jié)果和你理論公式進(jìn)行計(jì)算,找出差異,多做幾次,你會明白很多東西.

IR的大部分MOSFET的Pd和Id是管殼溫度(Tc)25攝氏度條件下測試,而Rds是在結(jié)溫(Tj)25攝氏度條件下測試,所以Rds*Id*Id小于Pd.