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MOSFET中RDS、PD、VDSS之間的關(guān)系!

MOSFET中RDS、PD、VDSS之間的關(guān)系!
各位:最近看了幾份MOSFET的datasheet,有幾個(gè)問題感到非常疑惑:RDS與PD之間究竟存在什么關(guān)系?請(qǐng)大家發(fā)表高見.
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老狼
LV.8
2
2003-09-19 13:38
譬如:
譬如:TOSHIBA的2SK2837,它VDSS=500V,RDS(ON)=0.21Ω,PD=150W.再看IR的IRFP460A,VDSS=500V,RDS(ON)=0.27Ω,而PD=280W.所以我就感到非常疑惑,它們之間究竟有什么聯(lián)系,請(qǐng)賜教!!!
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老狼
LV.8
3
2003-09-19 13:41
請(qǐng)“乞力馬扎羅的雪”和“CMG”賜教!
請(qǐng)“乞力馬扎羅的雪”和“CMG”賜教!謝謝!!!
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老狼
LV.8
4
2003-09-19 13:48
“shuyun、諾亞方舟、Tiny、我年輕,但我不菜”幾位也發(fā)表一下意見
“shuyun、諾亞方舟、Tiny、我年輕,但我不菜”幾位也發(fā)表一下意見.
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老狼
LV.8
5
2003-09-19 14:00
附 DATASHEET
1063951190.pdf1063951235.pdf
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2003-09-19 14:24
@老狼
譬如:譬如:TOSHIBA的2SK2837,它VDSS=500V,RDS(ON)=0.21Ω,PD=150W.再看IR的IRFP460A,VDSS=500V,RDS(ON)=0.27Ω,而PD=280W.所以我就感到非常疑惑,它們之間究竟有什么聯(lián)系,請(qǐng)賜教!!!
個(gè)人觀點(diǎn),僅供參考.
RDS(on)是指MOS的導(dǎo)通電阻.
而PD是指MOS的耗散功率.
PD主要是受管芯對(duì)外殼的熱阻限制,這與封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān).
RDS(on)與PN結(jié)的面積、厚度、載流子的濃度等有關(guān).
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老狼
LV.8
7
2003-09-19 15:18
@乞力馬扎羅的雪
個(gè)人觀點(diǎn),僅供參考.RDS(on)是指MOS的導(dǎo)通電阻.而PD是指MOS的耗散功率.PD主要是受管芯對(duì)外殼的熱阻限制,這與封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān).RDS(on)與PN結(jié)的面積、厚度、載流子的濃度等有關(guān).
感謝
RDS(ON)、PD概念非常明白,不明白的是同樣247封裝的管子,PD怎么相差這么大,將近1倍關(guān)系了.
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2003-09-19 15:32
@老狼
感謝RDS(ON)、PD概念非常明白,不明白的是同樣247封裝的管子,PD怎么相差這么大,將近1倍關(guān)系了.
從DATASHEET中可以看出,
管芯對(duì)外殼的熱阻二者相差近一倍.
所以,不要用日本鬼子的爛東西.
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老狼
LV.8
9
2003-09-19 15:46
@乞力馬扎羅的雪
從DATASHEET中可以看出,管芯對(duì)外殼的熱阻二者相差近一倍.所以,不要用日本鬼子的爛東西.
哦
是嗎?我倒是沒注意,來看看.
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老狼
LV.8
10
2003-09-19 15:51
@乞力馬扎羅的雪
從DATASHEET中可以看出,管芯對(duì)外殼的熱阻二者相差近一倍.所以,不要用日本鬼子的爛東西.
謝謝
是這樣,非常感謝!支持你的觀點(diǎn)!!!
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szrg
LV.7
11
2003-09-19 16:56
@乞力馬扎羅的雪
個(gè)人觀點(diǎn),僅供參考.RDS(on)是指MOS的導(dǎo)通電阻.而PD是指MOS的耗散功率.PD主要是受管芯對(duì)外殼的熱阻限制,這與封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān).RDS(on)與PN結(jié)的面積、厚度、載流子的濃度等有關(guān).
MOS的耗散功率
‘MOS的耗散功率PD’能不能理解為‘MOS管的輸出功率’?換言之:當(dāng)我電源輸出功率為100瓦時(shí),選擇MOS 的PD指標(biāo)必須大于100瓦,另外請(qǐng)問其PD值的選擇與效率也有很大的關(guān)系吧?謝先!
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gwwater
LV.6
12
2003-09-19 16:58
@乞力馬扎羅的雪
個(gè)人觀點(diǎn),僅供參考.RDS(on)是指MOS的導(dǎo)通電阻.而PD是指MOS的耗散功率.PD主要是受管芯對(duì)外殼的熱阻限制,這與封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān).RDS(on)與PN結(jié)的面積、厚度、載流子的濃度等有關(guān).
個(gè)人意見
Rds(on)還和單元的大小和形狀有關(guān).單元越多,RDSON越小.
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gwwater
LV.6
13
2003-09-19 16:59
@szrg
MOS的耗散功率‘MOS的耗散功率PD’能不能理解為‘MOS管的輸出功率’?換言之:當(dāng)我電源輸出功率為100瓦時(shí),選擇MOS的PD指標(biāo)必須大于100瓦,另外請(qǐng)問其PD值的選擇與效率也有很大的關(guān)系吧?謝先!
不行,
原因下星期說.
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老狼
LV.8
14
2003-09-19 17:13
@gwwater
個(gè)人意見Rds(on)還和單元的大小和形狀有關(guān).單元越多,RDSON越小.
下星期見
下星期恭候你的到來!!!
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2003-09-19 17:20
@szrg
MOS的耗散功率‘MOS的耗散功率PD’能不能理解為‘MOS管的輸出功率’?換言之:當(dāng)我電源輸出功率為100瓦時(shí),選擇MOS的PD指標(biāo)必須大于100瓦,另外請(qǐng)問其PD值的選擇與效率也有很大的關(guān)系吧?謝先!
不對(duì).
耗散功率是指在MOS上損耗的功率.不是什么“MOS的輸出功率”.例如我曾用兩個(gè)IRF460做了個(gè)1000W半橋串聯(lián)諧振電源.
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xspang
LV.4
16
2003-09-19 20:56
@szrg
MOS的耗散功率‘MOS的耗散功率PD’能不能理解為‘MOS管的輸出功率’?換言之:當(dāng)我電源輸出功率為100瓦時(shí),選擇MOS的PD指標(biāo)必須大于100瓦,另外請(qǐng)問其PD值的選擇與效率也有很大的關(guān)系吧?謝先!
在開關(guān)電源中,一般受RDS和PD的限制多而ID幾乎沒用
要滿足:
VDS飽和*RDS*Imax+開關(guān)損耗《PD
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xspang
LV.4
17
2003-09-19 21:08
@乞力馬扎羅的雪
不對(duì).耗散功率是指在MOS上損耗的功率.不是什么“MOS的輸出功率”.例如我曾用兩個(gè)IRF460做了個(gè)1000W半橋串聯(lián)諧振電源.
你半橋的供電電壓要多高呀?兩只460太懸了點(diǎn)吧?
最起碼要用4只;即每兩只并聯(lián)起來用
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2003-09-19 22:02
@xspang
你半橋的供電電壓要多高呀?兩只460太懸了點(diǎn)吧?最起碼要用4只;即每兩只并聯(lián)起來用
400VDC供電,頻率120K----50K,風(fēng)冷.
.
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2007-08-23 10:45
最近我發(fā)現(xiàn)了同一品牌同一型號(hào)的mosfet居然Rds(ON)有很大差異,因?yàn)槭堑蛪捍箅娏鬏斎?所以這個(gè)就體現(xiàn)的很明顯,我懷疑性能差的那個(gè)是假的,但又不知道從何證明他是假的,所以請(qǐng)大家指點(diǎn)一下:如何去測試mosfet的特性?比如:Rds(on)之類的參數(shù).謝謝!
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muvis
LV.1
20
2013-02-07 12:23
PD是指MOSFET的損耗功率的極限值。換句話說，MOSFET的開關(guān)損耗+導(dǎo)通損耗，必須
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