ACT30B+13003無Y電容過EMI認(rèn)證已經(jīng)通過.如有需要請可以和我聯(lián)系
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ACT30B做12V/1A 無Y電容過EMI已經(jīng)成功
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附件中有ACT30B的規(guī)格書和12V/1A的變壓器的做法1163124302.pdf1163124358.pdf
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ACT30的短路是靠VCC的欠壓而實(shí)現(xiàn)打嗝保護(hù)的,當(dāng)然在低端的時(shí)候也容易因?yàn)檫_(dá)到芯片的Ilim為(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而進(jìn)入打嗝的保護(hù)壯態(tài),所以根據(jù)這個(gè)出發(fā)點(diǎn)我們可以從以下幾個(gè)方面去做:1變壓器次級(jí)和反饋級(jí)耦合盡量好;2改善變壓器使其容易進(jìn)入芯片的Ilim;3增加Vcc限流電阻和減小電解電容容量使短路時(shí)存貯的能量減小;4采用慢恢復(fù)整流管作反饋級(jí)的整流管使短路時(shí)漏感產(chǎn)生的VCC能量盡量消耗到達(dá)不了芯片;5增加E-B正向二極管消耗短路芯片SW產(chǎn)生的尖峰保護(hù)芯片(這點(diǎn)我在這貼里面有說)6減小開關(guān)管的B極驅(qū)動(dòng)電阻,因?yàn)槎搪窌r(shí)若是驅(qū)動(dòng)不夠則三極管消耗大容易炸掉,但是減小電阻容易引起效率的流失,所以需要合適選擇!從這幾點(diǎn)去做,短路保護(hù)是肯定可以實(shí)際的,并且多調(diào)幾次一定可以達(dá)到你的理想狀態(tài)!謝謝高手的使用,呵呵!
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@wanglongxiang
ACT30的短路是靠VCC的欠壓而實(shí)現(xiàn)打嗝保護(hù)的,當(dāng)然在低端的時(shí)候也容易因?yàn)檫_(dá)到芯片的Ilim為(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而進(jìn)入打嗝的保護(hù)壯態(tài),所以根據(jù)這個(gè)出發(fā)點(diǎn)我們可以從以下幾個(gè)方面去做:1變壓器次級(jí)和反饋級(jí)耦合盡量好;2改善變壓器使其容易進(jìn)入芯片的Ilim;3增加Vcc限流電阻和減小電解電容容量使短路時(shí)存貯的能量減小;4采用慢恢復(fù)整流管作反饋級(jí)的整流管使短路時(shí)漏感產(chǎn)生的VCC能量盡量消耗到達(dá)不了芯片;5增加E-B正向二極管消耗短路芯片SW產(chǎn)生的尖峰保護(hù)芯片(這點(diǎn)我在這貼里面有說)6減小開關(guān)管的B極驅(qū)動(dòng)電阻,因?yàn)槎搪窌r(shí)若是驅(qū)動(dòng)不夠則三極管消耗大容易炸掉,但是減小電阻容易引起效率的流失,所以需要合適選擇!從這幾點(diǎn)去做,短路保護(hù)是肯定可以實(shí)際的,并且多調(diào)幾次一定可以達(dá)到你的理想狀態(tài)!謝謝高手的使用,呵呵!
ACT34已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)了
目前的話,ACT34和50是IC內(nèi)部有初級(jí)峰值限流電路,所以這兩個(gè)IC短路變壓器隨便繞都是沒有問題的,并且高低端的過流點(diǎn)通過加補(bǔ)償也可做到一致,保護(hù)是比較好的!ACT30以后可能也會(huì)出改善版,感興趣的話可以留意一下!
目前的話,ACT34和50是IC內(nèi)部有初級(jí)峰值限流電路,所以這兩個(gè)IC短路變壓器隨便繞都是沒有問題的,并且高低端的過流點(diǎn)通過加補(bǔ)償也可做到一致,保護(hù)是比較好的!ACT30以后可能也會(huì)出改善版,感興趣的話可以留意一下!
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@wanglongxiang
ACT30的短路是靠VCC的欠壓而實(shí)現(xiàn)打嗝保護(hù)的,當(dāng)然在低端的時(shí)候也容易因?yàn)檫_(dá)到芯片的Ilim為(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而進(jìn)入打嗝的保護(hù)壯態(tài),所以根據(jù)這個(gè)出發(fā)點(diǎn)我們可以從以下幾個(gè)方面去做:1變壓器次級(jí)和反饋級(jí)耦合盡量好;2改善變壓器使其容易進(jìn)入芯片的Ilim;3增加Vcc限流電阻和減小電解電容容量使短路時(shí)存貯的能量減小;4采用慢恢復(fù)整流管作反饋級(jí)的整流管使短路時(shí)漏感產(chǎn)生的VCC能量盡量消耗到達(dá)不了芯片;5增加E-B正向二極管消耗短路芯片SW產(chǎn)生的尖峰保護(hù)芯片(這點(diǎn)我在這貼里面有說)6減小開關(guān)管的B極驅(qū)動(dòng)電阻,因?yàn)槎搪窌r(shí)若是驅(qū)動(dòng)不夠則三極管消耗大容易炸掉,但是減小電阻容易引起效率的流失,所以需要合適選擇!從這幾點(diǎn)去做,短路保護(hù)是肯定可以實(shí)際的,并且多調(diào)幾次一定可以達(dá)到你的理想狀態(tài)!謝謝高手的使用,呵呵!
暈!
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@wanglongxiang
ACT34已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)了目前的話,ACT34和50是IC內(nèi)部有初級(jí)峰值限流電路,所以這兩個(gè)IC短路變壓器隨便繞都是沒有問題的,并且高低端的過流點(diǎn)通過加補(bǔ)償也可做到一致,保護(hù)是比較好的!ACT30以后可能也會(huì)出改善版,感興趣的話可以留意一下!
你們的IC好象沒有電流前沿消隱!在低壓85V輸入(CCM模式)很容易造成過流保護(hù)!而且需要并一個(gè)小電容來消除起始尖鋒電流!你們設(shè)計(jì)變壓器時(shí)難道采用DCM模式嗎?
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@wanglongxiang
測試過了,不知道我有什么需要我?guī)兔Φ哪?/span>
偶有疑問,最近剛看ACT30B的Datasheet和應(yīng)用說明.
一般來講,反激變換器建議工作在DCM模式.
但根據(jù)你們的Datesheet,Fsw=65K,Tsw=16us,Dmax=75%,
If Lp=2.1mH,在低壓時(shí),按公式估算,Vindc*Ton/Lp=Ipmax,
低壓時(shí)Ip根本達(dá)不到800mA,這樣系統(tǒng)必然進(jìn)入CCM模式.
教材上講CCM模式的系統(tǒng)穩(wěn)定性比較難控制.
請問ACT30B如何解決這個(gè)問題?
謝謝
一般來講,反激變換器建議工作在DCM模式.
但根據(jù)你們的Datesheet,Fsw=65K,Tsw=16us,Dmax=75%,
If Lp=2.1mH,在低壓時(shí),按公式估算,Vindc*Ton/Lp=Ipmax,
低壓時(shí)Ip根本達(dá)不到800mA,這樣系統(tǒng)必然進(jìn)入CCM模式.
教材上講CCM模式的系統(tǒng)穩(wěn)定性比較難控制.
請問ACT30B如何解決這個(gè)問題?
謝謝
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@wanglongxiang
ACT30的短路是靠VCC的欠壓而實(shí)現(xiàn)打嗝保護(hù)的,當(dāng)然在低端的時(shí)候也容易因?yàn)檫_(dá)到芯片的Ilim為(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而進(jìn)入打嗝的保護(hù)壯態(tài),所以根據(jù)這個(gè)出發(fā)點(diǎn)我們可以從以下幾個(gè)方面去做:1變壓器次級(jí)和反饋級(jí)耦合盡量好;2改善變壓器使其容易進(jìn)入芯片的Ilim;3增加Vcc限流電阻和減小電解電容容量使短路時(shí)存貯的能量減小;4采用慢恢復(fù)整流管作反饋級(jí)的整流管使短路時(shí)漏感產(chǎn)生的VCC能量盡量消耗到達(dá)不了芯片;5增加E-B正向二極管消耗短路芯片SW產(chǎn)生的尖峰保護(hù)芯片(這點(diǎn)我在這貼里面有說)6減小開關(guān)管的B極驅(qū)動(dòng)電阻,因?yàn)槎搪窌r(shí)若是驅(qū)動(dòng)不夠則三極管消耗大容易炸掉,但是減小電阻容易引起效率的流失,所以需要合適選擇!從這幾點(diǎn)去做,短路保護(hù)是肯定可以實(shí)際的,并且多調(diào)幾次一定可以達(dá)到你的理想狀態(tài)!謝謝高手的使用,呵呵!
你的30最小開通時(shí)間是多少?
請問高壓短路的時(shí)候最小占空比理論值是多少?(按12V為例子,)
如果芯片最小開通時(shí)間大于 高壓短路的時(shí)候理論值最小占空比,原邊峰值電流最大值會(huì)有多少?
如果13003基極電流不夠 那么13003開通時(shí)候的Vce 電壓又是多少?
請問高壓短路的時(shí)候最小占空比理論值是多少?(按12V為例子,)
如果芯片最小開通時(shí)間大于 高壓短路的時(shí)候理論值最小占空比,原邊峰值電流最大值會(huì)有多少?
如果13003基極電流不夠 那么13003開通時(shí)候的Vce 電壓又是多少?
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