請教關(guān)于三極管的選用問題,
現(xiàn)在市場上三極管是做亂了,只看三極管上的激光標記好象是沒用了,聽內(nèi)行的朋友講要看芯片面積,我收集了一份常規(guī)三極管的芯片面積,不只對應(yīng)的IC電流是多大?又不感輕信廠家的數(shù)據(jù),在此請各位大哥幫忙了:
以下是平面工藝的三極管芯片:
TO92封裝的:0.65*0.65/0.83*0.83/1.18*1.18/1.31*1.31/1.42*1.42
TO126封裝的:1.42*1.42/1.63*1.63/1.73*1.73/1.8*1.84
TO220封裝的:1.84*1.84/2.25*2.25/2.5*2.5/3.3*3.3/4.1*4.1
新手請教關(guān)于三極管的選用問題?勞駕各位幫助!
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@愛茉莉
另外還有問題要問:EB的分析系統(tǒng)數(shù)據(jù),如燈管電流,陰極電流與所用的三極管的IC電流是什么關(guān)系?如已知陰極電流,應(yīng)選多大IC電流的三極管才有保證?或者應(yīng)放多大的富余量?在本論壇里只看到13001能做11W,13002能做18W等等,不是很明白!不知實際功率與三極管的IC電流的關(guān)系,(但指220V半橋電路)請各位大哥指點,或發(fā)郵件到:haikang1688@163.com不勝感激!
有誰知道具體是怎么選用的,分析一下也給我來一份,謝謝Email:wujx727@126.com
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一個最簡單的方法(當然不是十分正確,不過對同一廠家不同批次之間的對比還是比較精確的)
使用遠方的KF-2,以下是檢測條件
規(guī)格 IB/IC(mA)
13001 10/100
13002 20/230
13003 30/500
13005 50/700
對相同廠家,相同標識的三極管,應(yīng)對第一批次進行數(shù)量大于100的分散測試,并記錄Vces,記算其平均值與方差.
這樣就可以得到對應(yīng)的蕊片面積與Vces的大約關(guān)系值
在相同的測試條件下,蕊片面積越大,Vces越小,以上的測試條件是保證Vces處于比較大的離散處(約0.3-0.5V,13007可能要用到IC2000mA檔,但是我手頭上沒有,一直是使用05檔測,其測量時變化太小,不太好判斷),以增大檢測時數(shù)據(jù)的差異的直觀,當然,工程師應(yīng)比較其變化,制定適合自己的比值
基本上,以上的方法對蕊片面積的測量還是有一定的價值,即使是在不同廠家之間,但是對于蕊片的其他特性沒有太大幫助,如果有可能,最好能使用DY2993進行熱態(tài)測量
使用遠方的KF-2,以下是檢測條件
規(guī)格 IB/IC(mA)
13001 10/100
13002 20/230
13003 30/500
13005 50/700
對相同廠家,相同標識的三極管,應(yīng)對第一批次進行數(shù)量大于100的分散測試,并記錄Vces,記算其平均值與方差.
這樣就可以得到對應(yīng)的蕊片面積與Vces的大約關(guān)系值
在相同的測試條件下,蕊片面積越大,Vces越小,以上的測試條件是保證Vces處于比較大的離散處(約0.3-0.5V,13007可能要用到IC2000mA檔,但是我手頭上沒有,一直是使用05檔測,其測量時變化太小,不太好判斷),以增大檢測時數(shù)據(jù)的差異的直觀,當然,工程師應(yīng)比較其變化,制定適合自己的比值
基本上,以上的方法對蕊片面積的測量還是有一定的價值,即使是在不同廠家之間,但是對于蕊片的其他特性沒有太大幫助,如果有可能,最好能使用DY2993進行熱態(tài)測量
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@大夢我未覺
一個最簡單的方法(當然不是十分正確,不過對同一廠家不同批次之間的對比還是比較精確的)使用遠方的KF-2,以下是檢測條件規(guī)格 IB/IC(mA)13001 10/10013002 20/23013003 30/50013005 50/700對相同廠家,相同標識的三極管,應(yīng)對第一批次進行數(shù)量大于100的分散測試,并記錄Vces,記算其平均值與方差.這樣就可以得到對應(yīng)的蕊片面積與Vces的大約關(guān)系值在相同的測試條件下,蕊片面積越大,Vces越小,以上的測試條件是保證Vces處于比較大的離散處(約0.3-0.5V,13007可能要用到IC2000mA檔,但是我手頭上沒有,一直是使用05檔測,其測量時變化太小,不太好判斷),以增大檢測時數(shù)據(jù)的差異的直觀,當然,工程師應(yīng)比較其變化,制定適合自己的比值基本上,以上的方法對蕊片面積的測量還是有一定的價值,即使是在不同廠家之間,但是對于蕊片的其他特性沒有太大幫助,如果有可能,最好能使用DY2993進行熱態(tài)測量
路過,頂一下!
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@大夢我未覺
一個最簡單的方法(當然不是十分正確,不過對同一廠家不同批次之間的對比還是比較精確的)使用遠方的KF-2,以下是檢測條件規(guī)格 IB/IC(mA)13001 10/10013002 20/23013003 30/50013005 50/700對相同廠家,相同標識的三極管,應(yīng)對第一批次進行數(shù)量大于100的分散測試,并記錄Vces,記算其平均值與方差.這樣就可以得到對應(yīng)的蕊片面積與Vces的大約關(guān)系值在相同的測試條件下,蕊片面積越大,Vces越小,以上的測試條件是保證Vces處于比較大的離散處(約0.3-0.5V,13007可能要用到IC2000mA檔,但是我手頭上沒有,一直是使用05檔測,其測量時變化太小,不太好判斷),以增大檢測時數(shù)據(jù)的差異的直觀,當然,工程師應(yīng)比較其變化,制定適合自己的比值基本上,以上的方法對蕊片面積的測量還是有一定的價值,即使是在不同廠家之間,但是對于蕊片的其他特性沒有太大幫助,如果有可能,最好能使用DY2993進行熱態(tài)測量
不是很明白
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