論IGBT 的工作原理和工作特性!!!137-1401 2508
IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給 PNP 晶體管提供基極電流,使 IGBT 導通.反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使 IGBT 關(guān)斷. IGBT 的驅(qū)動方法和 MOSFET 基本相同,只需控制輸入極 N 一溝道 MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性.
當 MOSFET 的溝道形成后,從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴(少子),對 N 一層進行電導調(diào)制,減小 N 一層的電阻,使 IGBT 在高電壓 時,也具有低的通態(tài)電壓.
IGBT 的工作特性包括靜態(tài)和動態(tài)兩類:
1 .靜態(tài)特性 IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和 開關(guān)特性.
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓 Ugs 為參變量時,漏極電流與 柵極電壓之間的關(guān)系曲線.輸出漏極電流比受柵源電壓 Ugs 的控 制, Ugs 越高, Id 越大.它與 GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和 區(qū) 1 、放大區(qū) 2 和擊穿特性 3 部分.在截止狀態(tài)下的 IGBT ,正向電 壓由 J2 結(jié)承擔,反向電壓由 J1 結(jié)承擔.如果無 N+ 緩沖區(qū),則正反 向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入 N+ 緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只 能達到幾十伏水平,因此限制了 IGBT 的某些應用范圍.
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關(guān)系曲線.它與 MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,當柵源電壓小于開啟電 壓 Ugs(th) 時, IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài).在 IGBT 導通后的大部分漏極電 流范圍內(nèi), Id 與 Ugs 呈線性關(guān)系.最高柵源電壓受最大漏極電流限 制,其最佳值一般取為 15V 左右.
IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系. IGBT 處于導通態(tài)時,由于它的 PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其 B 值 極低.盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu),但流過 MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分.此時,通態(tài)電壓 Uds(on) 可用下式表示
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh ( 2 - 14 )
式中 Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓,其值為 0.7 ~ IV ;
Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降;
Roh ——溝道電阻.
通態(tài)電流 Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos (2 - 15 )
式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流.
由于 N+ 區(qū)存在電導調(diào)制效應,所以 IGBT 的通態(tài)壓降小,耐壓 1000V 的 IGBT 通態(tài)壓降為 2 ~ 3V .
IGBT 處于斷態(tài)時,只有很小的泄漏電流存在.
2 .動態(tài)特性 IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為 MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓 Uds 下降過程后期, PNP 晶體 管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時間. td(on) 為開通延遲時間, tri 為電流上升時間.實際應用中常給出的漏極電流開通時間 ton 即為 td (on) tri 之和.漏源電壓的下降時間由 tfe1 和 tfe2 組成,如圖 2 - 58 所示
IGBT 在關(guān)斷過程中,漏極電流的波形變?yōu)閮啥?因為 MOSFET 關(guān)斷后, PNP 晶體管的存儲電荷難以迅速消除,造成漏極電流較長的尾部時間, td(off) 為關(guān)斷延遲時間, trv 為電壓 Uds(f) 的上升時間.實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間 Tf 由圖 2 - 59 中的 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成,而漏極電流的關(guān)斷時間
t(off)=td(off)+trv 十 t(f) ( 2 - 16 )
式中, td(off) 與 trv 之和又稱為存儲時間.
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