取消C5,當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時,結(jié)電容的電壓通過C5、TX1后形成串聯(lián)諧振.要想關(guān)斷更好,建議用27Ω電阻(視開關(guān)管驅(qū)動電壓而定)取代C5,D12反接.這時結(jié)電容的電壓通過D12、R13、TX1快速放電.請參考.

漏感問題,加我QQ21453981,我告訴你解決辦法

的確如你所說,換用你這種方式之后,振蕩消失了.

不過這里還想問一個問題:就是推挽輸出后有一個隔直電容,而PWM信號的直流分量跟占空比成正比.這樣占空比越大(40%-50%),直流分量也越大,所以經(jīng)過電容后,PWM的正脈沖幅度會降低,降低的值就是等于原來的直流分量.所以15V的正脈沖經(jīng)過隔直后,正脈沖只有不到10V.拿這個電平去驅(qū)動power MOSFET有點不放心.
如果光是把驅(qū)動變壓器的次級圈數(shù)增大,那在占空比很小的時候,又會導(dǎo)致正脈沖超過15V,可能對power MOSFET造成損傷.

這個問題怎么解決?電路形式除了PWM信號,脈沖變壓器和power MOSFET不變,其他都可以變.

我覺得應(yīng)該不是漏感的問題,而是次級線圈的電感和電容諧振的后果

頂一下,都不知道沉到哪里去了
希望高手不吝賜教

PWM 停止后,你的GS 間電量只有走C5的漏電流 和R11放電,當(dāng)然mosfet是慢慢地被關(guān)斷,如果主回路有點,就處于耗散狀態(tài)了,

關(guān)鍵:放電回路-PWM停止后,不能通過C5 放電,

原因的確是想你所說的,不過用了sun49說的方法,振蕩已經(jīng)消失了.現(xiàn)在的問題是隔直之后,正脈沖的幅度下降了,有什么辦法減輕這個幅度下降?

C6要么加大容量,或者是不是獨石或者CBB這樣的高頻響應(yīng)好的電容,忘告知實驗結(jié)果.

一定要隔直嗎?

我也試過把電容值從1u加大到10u,效果有所改善,但正脈沖只是提高了不到1V.所以我覺得這不是根本的解決辦法.

隔直我覺得還是要的.因為我只使用了小功率的三極管,如果不用,光是從仿真的結(jié)果來看,正脈沖的時候有2A那么大的電流流過上管(NPN管).

PS:我還沒有在實際的板子上做試驗,只是在電腦上仿真仿真而已

只要DS上有8V左右的電平就可以了,如覺電平低,只有加大電容.線路已有D11保護(hù),開關(guān)管不會有問題.

我現(xiàn)在的想法是增大脈沖變壓器的次級線圈匝數(shù),譬如從1:1增大到1:1.2或者1:1.5.以此來提高正脈沖的電平.不知道這種做法會不會引入其他的問題呢

仿真, 看看邏輯關(guān)系就好,不可完全當(dāng)真

隔直電容c6要1uf么,這可是cbb談電容中的最大值了,下面還有人說用10uf的電容,難道用電解電容嗎?還是你們只是做沒有具體電路實現(xiàn)的仿真?請指教

我也在用脈沖變壓器驅(qū)動MOSFET,請深入理解變壓器原理.去掉R13、D12試試,  去除C5驅(qū)動脈沖幅度會隨占空比增大而減小.另外,象MTP6N60這類中小功率MOSFET無需另加圖騰柱,UC384X系列就可直接驅(qū)動.

確實,上面的管我照著你的電路搭了一個實際電路測試了,上面的npn燒掉了,不知道樓主是不是已經(jīng)解決了這個問題呢,能總結(jié)一下說一下結(jié)果嗎,我是用50kHz的脈沖

目前沒有什么好的辦法,隔直電容必須保留,只有去掉C5.這樣PWM波形的直流電平會降低,整個波形會往下移,也就說正脈沖的電平會變低.10uF的時候只有8V.現(xiàn)在只是湊合用著這個辦法了.

用樓主貼上的電路,次級波形不理想哦,不知道樓主變壓器的參數(shù)是多少的,匝數(shù)比和使用的線徑是多少呢,方便說一下嗎

我就是用普通電解電容的2.2UF,3525直接輸出驅(qū)動,變壓器次級也只用一串一并兩個電阻,很好的.

如果NMOS在電路的高端,而負(fù)載為蓄電池,情況又會怎樣呢?望做過類似電路的高手支招!謝謝

第一帖附圖即可用于浮動和隔離驅(qū)動場合.圖中R13 D12為錯誤設(shè)置,磁芯材質(zhì)宜采用R5K及以上高磁通材料.

請問你是如何實現(xiàn)在仿真過程中關(guān)掉PWM？