死區(qū)時間是要考慮下面一些因素
導(dǎo)通時間td(on)=25.5ns(典型值)~50ns(最大值),上升時間tr=180.7~360ns,關(guān)斷時間td(off)=94.5ns(典型值)~200ns(最大值),下降時間tf=142.5~300ns.
那么,設(shè)置死區(qū)時間是要用典型值還是最大值;是td(on)+tr和td(off)+tf的最大值,還是td(on)和td(off)的最大值?
請教高手指點迷津!
橋式mosfet管死區(qū)時間設(shè)置問題
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