我們公司做了幾個內(nèi)部集成功率開關(guān)(用MOS做的開關(guān))的converter(都不帶隔離),可是測試的時候總燒片子.懷疑是MOS在開關(guān)過程中動作太快,瞬變的電流在寄生電感上產(chǎn)生電壓尖刺,將管子擊穿.通常MOS管Vds在開關(guān)過程中的上升時間和下降時間取多少哪?看有的資料上說是100ns,如果工作頻率是1MHz的話,效率不都損沒了.

請過往的大俠指教.