為什么在5V左右這個(gè)平臺(tái)這會(huì)有一個(gè)電壓下降的一點(diǎn),是因?yàn)镮C的驅(qū)動(dòng)不夠嗎?

FET和IGBT都是在5V左右開(kāi)始開(kāi)啟.這是蜜勒效應(yīng)引起的(漏-柵間電容在FET開(kāi)過(guò)程中放電;抵消了驅(qū)動(dòng)電流).此時(shí),FET/IGBT處在線性區(qū).時(shí)間越長(zhǎng),表示開(kāi)關(guān)損耗越大.但EMI/EMC噪音會(huì)小,反之損耗小,噪音大.

謝謝你的回復(fù),你的意思這個(gè)點(diǎn)是正常存在的是嗎?
和IC本身的驅(qū)動(dòng)能力是不是沒(méi)太大關(guān)系,像你所講如果漏-柵間的電容越大這點(diǎn)就越是明顯,

那我想再問(wèn)一下,漏-柵間的電容是不是和FET的規(guī)格電流和耐壓成正比

xkw1不好意思我一下子問(wèn)多了,請(qǐng)諒解

通常,這與IC關(guān)系不大.理論上講,硬開(kāi)關(guān)中;該現(xiàn)象永遠(yuǎn)存在.
漏柵電容與FET規(guī)格和工藝有關(guān).對(duì)同一廠家的同一工藝下的器件講,FET越大,電容也越大.但非線性.

終于等到XKW1的回復(fù)了,你所講的“FET越大,電容也越大.但非線性”的意思工還沒(méi)明白,最后一句非線性的意思FET與電容不是成線性增長(zhǎng)的是嗎?

是的!

說(shuō)得對(duì)

xkw1你好!
還有一點(diǎn)我有點(diǎn)疑問(wèn),像對(duì)策輻射時(shí),我們有一種做法就是把IC的驅(qū)動(dòng)電阻加大一點(diǎn)讓FET的開(kāi)通速度變緩.這種方式和選漏極和柵極電容大點(diǎn)的會(huì)不會(huì)有同樣的效果,如果是同樣的效果那它們的損耗是否也是一樣.

FET在電源里,通常工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài).如果對(duì)它的工作波形做富利葉展開(kāi)的話,會(huì)發(fā)現(xiàn);它是由整數(shù)倍頻率不同幅值和相位的的正弦波;疊加而成.與開(kāi)關(guān)頻率一樣的叫基波,2次以上的叫諧波.
柵電阻越小,RC充電越快;高次諧波越多.EMI/C越難過(guò).開(kāi)關(guān)損耗越小.

當(dāng)然和驅(qū)動(dòng)能力有關(guān)系,驅(qū)動(dòng)能力越強(qiáng)這個(gè)時(shí)間會(huì)越小

我的電路由于miller引起的下降居然探到了0V,請(qǐng)教這樣是否會(huì)引起IGBT異常發(fā)熱?加大驅(qū)動(dòng)電流是否可以解決?謝謝

很正常的.

大家來(lái)頂一下吧