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急尋“電源帶載能力太差,占空比太小”的原因

  我用top222y制作了一開(kāi)關(guān)電源．算出85v交流輸出時(shí)直流電壓最小值為97V,一次繞組反射電壓 取135V,得出最大占空比Dmax=Vor/【Vor+Vmin-Vds(on)】=0.53,Vds(on) 是top222y導(dǎo)通期間漏極-源極的平均電壓值 ,取10V
  原邊用AWG30導(dǎo)線繞57匝,+5V、+12V、±15V及反饋繞組用AWG24導(dǎo)線分別饒3匝、7匝、9匝、7匝.
  從實(shí)測(cè)波形可以看出(1)從85v輸入,滿載的波形看出Dmax約8%,太小(2)空載時(shí)主輸出約5.2v,帶滿載時(shí)輸出電壓太低,約1.2V
  電路原理圖和波形圖見(jiàn)附件．
  謝謝各位高手幫忙!感激!1168917713.doc
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chery_man
LV.2
2
2007-01-16 11:48
從Vds波形可以看出開(kāi)關(guān)周期約10us,開(kāi)關(guān)頻率約100kHZ,但是占空比太小,是不是和MOSFET關(guān)斷時(shí)振蕩太大有關(guān)系呢?我測(cè)過(guò)整流平波后的直流電壓比較平滑,振蕩只能是MOSFET關(guān)斷時(shí)一次繞組和鉗位電路續(xù)流形成的,那到底是怎么形成的呢?又怎么解決呢?
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2007-01-16 16:20
@chery_man
從Vds波形可以看出開(kāi)關(guān)周期約10us,開(kāi)關(guān)頻率約100kHZ,但是占空比太小,是不是和MOSFET關(guān)斷時(shí)振蕩太大有關(guān)系呢?我測(cè)過(guò)整流平波后的直流電壓比較平滑,振蕩只能是MOSFET關(guān)斷時(shí)一次繞組和鉗位電路續(xù)流形成的,那到底是怎么形成的呢?又怎么解決呢?
好像變壓器反相了,也就是說(shuō)做成正激電源了.把輸出兩個(gè)腳換一下位置試一下,另外公司已經(jīng)不在推TOP22X系列芯片了,也不提供支持了,請(qǐng)換用TOP24X系列.
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chery_man
LV.2
4
2007-01-16 21:14
@powerint_cec
好像變壓器反相了,也就是說(shuō)做成正激電源了.把輸出兩個(gè)腳換一下位置試一下,另外公司已經(jīng)不在推TOP22X系列芯片了,也不提供支持了,請(qǐng)換用TOP24X系列.
請(qǐng)問(wèn)一下,是怎么看出反了的呢?
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2007-01-16 21:30
@chery_man
請(qǐng)問(wèn)一下,是怎么看出反了的呢?
占空比不對(duì),另外看不到Vor.
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