單管正激變壓器在Mosfet導(dǎo)通結(jié)束時，原邊電流Ip達到最大，這個電流為原邊勵磁電流Imag與副邊折射電流nIo之和。現(xiàn)在問題是，變壓器飽和時，是哪個電流導(dǎo)致的？
半橋電路在死區(qū)時間內(nèi)為什么勵磁電流保持不變？書上說這個時候的勵磁電流是副邊兩個整流管電流只差，為什么？
半橋變壓器匝數(shù)計算N=(Vin/2)*Ton/deltaB/Ae，這個deltaB是多少？是一象限和三象限磁通變化之和嗎？還是僅僅是一個象限的磁通變化值？
變壓器飽和電流問題請教
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1）對于第一個問題，我覺得應(yīng)該是勵磁電流Imag導(dǎo)致變壓器飽和。正激變壓器在工作時，變壓器原邊繞組電流產(chǎn)生的磁力線方向和副邊繞組產(chǎn)生的磁力線方向是相反的，那么變壓器就不會因為nIo太大而導(dǎo)致變壓器飽和。反擊變壓器因為原邊mosfet導(dǎo)通過程中，副邊繞組沒有電流流過，而不能產(chǎn)生反方向的磁力線，此時原邊流過的電流完全為勵磁電流，因此原邊電流如果太大變壓器就會飽和，開氣隙可以解決因勵磁電流太大而飽和的問題。
2）第二個問題不知道怎么解釋
3）第三個問題我認為deltaB應(yīng)該是一三象限磁通變化之和。今天和同事討論這個問題，同事說僅僅是一個象限磁通變化值。半橋的一個mosfet關(guān)斷時勵磁電流達到最大，死區(qū)時間內(nèi)保持不變，當(dāng)另外一個mosfet導(dǎo)通時，勵磁電流減小并且改變方向，因此磁通是逐漸由一個象限變到另外一個象限的，因此deltaB應(yīng)該是一三象限磁通變化之和。
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