雙極型三極管受電流驅(qū)動(dòng)，實(shí)際上，因?yàn)樵鲆?SPAN lang=EN-US>(集電極和基極電流之比)隨集電極電流(IC)的增加而大幅度降低，我們要驅(qū)動(dòng)的電流越大，則我們需要提供給基極的電流也越大。一個(gè)結(jié)果使雙極型三極管開始消耗大量的控制功率，從而降低了整個(gè)電路的效率。

　　使事情更糟糕的是：這種缺點(diǎn)在工作溫度更高的情況下會(huì)加重。另外一個(gè)結(jié)果是需要能夠快速泵出和吸收電流的相當(dāng)復(fù)雜的基極驅(qū)動(dòng)電路。相比之下，(MOS)FET這種器件在柵極實(shí)際上消耗的電流為零；甚至在125°C的典型柵極電流都小于100nA。一旦寄生電容被充電，由驅(qū)動(dòng)電路提供的泄漏電流就非常低。此外，用電壓驅(qū)動(dòng)比用電流驅(qū)動(dòng)的電路簡單，這正是(MOS)FET為什么對設(shè)計(jì)工程師如此有吸引力的另外一個(gè)原因。