功率MOSFET的特別之處在于：包含像圖2中并行連接所描述的那樣的多個(gè)“單元”的結(jié)構(gòu)。具有相同RDS(on)電阻的MOSFET并聯(lián)，其等效電阻為一個(gè)MOSFET單元的RDS(on)的1/n。裸片面積越大，其導(dǎo)通電阻就越低，但是，與此同時(shí)，堍生電容就越大，因此，其開(kāi)關(guān)性能就越差。

　　如果一切都是如此嚴(yán)格成正比且可以預(yù)測(cè)的話，有什么改進(jìn)的辦法嗎？是的，其思路就是最小化(調(diào)低)基本單元的面積，這樣在相同的占位空間中可以集成更多的單元，從而使RDS(on)下降，并維持電容不變。為了成功地改良每一代MOSFET產(chǎn)品，有必要持續(xù)地進(jìn)行技術(shù)改良并改進(jìn)晶體圓制造工藝(更出色的線蝕刻、更好的受控灌注等等)。