但是，持續(xù)不斷地努力開發(fā)更好的工藝技術(shù)不是改良MOSFET的唯一途徑；概念設(shè)計的變革可能會極大地提高性能。這樣的突破就是飛利浦去年11月宣布：開發(fā)成功TrenchMOS工藝。其柵結(jié)構(gòu)不是與裸片表面平行，現(xiàn)在是構(gòu)建在溝道之中，垂直于表面，因此，占用的空間較少并且使電流的流動真正是垂直的(見圖3)。在RDS(on)相同的情況下，飛利浦的三極管把面積減少了50%；或者，在相同的電流處理能力下，把面積減少了35%。