有一定的仿真和理論基礎(chǔ),實(shí)際工程經(jīng)驗(yàn)不足,一些簡(jiǎn)單問題還請(qǐng)教大家。
1 單相逆變器3kw是不是算是小功率? igbt模塊內(nèi)部是不是有保護(hù)電路。?
2 算是小功率,選用igbt模塊的驅(qū)動(dòng)時(shí),有必要選擇大個(gè)的很多引腳的igbt的集成驅(qū)動(dòng)芯片嗎?是不是普通的小芯片(有的八引腳芯片)就可以?
3 如果想要把頻率做高,選用mosfet時(shí),,選用可以輸出驅(qū)動(dòng)15V的小芯片就可以嗎(3kw)?從而不用集成驅(qū)動(dòng)器,以減小逆變器體積。
4如果用大的集成驅(qū)動(dòng)器,它帶有很多保護(hù),就免去了自己設(shè)計(jì)的麻煩》