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RCD鉗位電路計算

 各位親們，想請各位看一下RCD鉗位電路計算公式對不對，我自已算出來的值就很小，

計算RCD電阻值：2(Vclamp-Vor)Vclamp/Ilk(Ids-peak)2Fs

式中：Vclamp為鉗位電壓：0.9*MOSvds-Vin-max=0.9*600-375=165V

Vor:次極到初極的折射電壓（這個值我不知取多少，看了一些資料說取100V)

Ilk:漏感感量,我的電感是0.8mH 5%的漏感

Ids-pesk:滿載時峰值電流（我的是12w電源：2Pout/VinDc-min*n*D)=24/105*0.8*0.5=0.57A

Fs=65000

RC=2(Vclamp-Vor)Vclamp/Ilk(Ids-peak)2Fs

=2(165-100)165/0.00004（0.57）265000

=21450/0.85

=25k

太小了，使用時200K這里差了10倍

再看電容的計算

C>Vclamp/~Vclamp.Rc.Fs

~Vclamp:鉗位時的波動電壓一般取10-5%的Vclamp電壓（我取5%）

Fs工作頻率：65000

C>Vclamp/~Vclamp.Rc.Fs

=165/8.25*25000*65000

=0.1uF

這個值又太大了，一般都是102的！

 

 

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rockyy
LV.6
2
2013-06-05 17:30

我也算過了，相差太遠(yuǎn)，這個公式到底有沒有實(shí)用性，表示懷疑

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2013-06-05 18:14
@rockyy
我也算過了，相差太遠(yuǎn)，這個公式到底有沒有實(shí)用性，表示懷疑
沒算過，表示頭暈。。。
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rockyy
LV.6
4
2013-06-06 08:15
@賀赫無名
沒算過，表示頭暈。。。[圖片]

旅長好，我其實(shí)很納悶的就是你們在選擇RCD的時候是以什么為依據(jù)的，能夠保證能效和EMI？

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lvjlong
LV.3
5
2013-06-06 09:15
@rockyy
我也算過了，相差太遠(yuǎn)，這個公式到底有沒有實(shí)用性，表示懷疑
有實(shí)用的公式嗎親！
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mko145
LV.8
6
2013-06-06 09:40

你用的是1N4007吧 ~

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rockyy
LV.6
7
2013-06-06 10:03
@mko145
你用的是1N4007吧~

一般用的是4007 或者FR107吧，這個跟能效和EMI有關(guān)，在網(wǎng)上看到的關(guān)于RCD的電容和電阻的計算，相差太遠(yuǎn)，感覺算出來的沒什么用處

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mko145
LV.8
8
2013-06-06 10:07
@rockyy
一般用的是4007或者FR107吧，這個跟能效和EMI有關(guān)，在網(wǎng)上看到的關(guān)于RCD的電容和電阻的計算，相差太遠(yuǎn)，感覺算出來的沒什么用處
1N4007的開關(guān)速度很慢、損耗大，漏感上很大一部分的能量消耗在1N4007上了。所以計算的R值就可能差的很遠(yuǎn)了 ~
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lvjlong
LV.3
9
2013-06-06 11:58
@mko145
你用的是1N4007吧~
UF4007,空間輻射100M超標(biāo)才用1N4007吧！
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mko145
LV.8
10
2013-06-06 12:14
@lvjlong
UF4007,空間輻射100M超標(biāo)才用1N4007吧！

小功率電源用1N4007會便宜些 ， 同時EMI也有幫助，何樂而不為~

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mko145
LV.8
11
2013-06-06 15:08

沒有仔細(xì)看你的計算過程，有幾點(diǎn)提一下 ~

1. Vor的值不一定是100V，有可能只有70-80V。那計算出的R 會有30-50% 的出入。

2. 如果Vclamp=165V； Vor=100V，那么尖峰只有65V。用200K的電阻能做到嗎?

3. 變壓器的漏感假設(shè)是5%，LZ在此前提下算出的阻值 R。如果實(shí)際上只有3%，出入會很大的 ~

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lvjlong
LV.3
12
2013-06-06 16:29
@mko145
沒有仔細(xì)看你的計算過程，有幾點(diǎn)提一下~1.Vor的值不一定是100V，有可能只有70-80V。那計算出的R會有30-50%的出入。2.如果Vclamp=165V；Vor=100V，那么尖峰只有65V。用200K的電阻能做到嗎?3.變壓器的漏感假設(shè)是5%，LZ在此前提下算出的阻值R。如果實(shí)際上只有3%，出入會很大的~
VOR=(Vo+Vf)*Np/Ns=(5.25+0.5)/60/7=50V
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lvjlong
LV.3
13
2013-06-06 16:31
@mko145
沒有仔細(xì)看你的計算過程，有幾點(diǎn)提一下~1.Vor的值不一定是100V，有可能只有70-80V。那計算出的R會有30-50%的出入。2.如果Vclamp=165V；Vor=100V，那么尖峰只有65V。用200K的電阻能做到嗎?3.變壓器的漏感假設(shè)是5%，LZ在此前提下算出的阻值R。如果實(shí)際上只有3%，出入會很大的~
漏感大，產(chǎn)生VDS就越大，5%是按最大漏感算的，不能按3%算！
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mko145
LV.8
14
2013-06-06 17:22
@lvjlong
漏感大，產(chǎn)生VDS就越大，5%是按最大漏感算的，不能按3%算！

余量預(yù)大些當(dāng)然是好的，那么算出來的電阻自然會偏小了 ~

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namin
LV.6
15
2013-06-06 17:41
@mko145
你用的是1N4007吧~

團(tuán)長有沒有 RCD的D 型號不同，對EMI是怎樣影響的文章分析??？

謝謝哈

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mko145
LV.8
16
2013-06-08 23:23
@namin
團(tuán)長有沒有RCD的D型號不同，對EMI是怎樣影響的文章分析啊？謝謝哈

沒有見過這方面的分析 ~

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