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MOSFET的驅(qū)動電壓Vgs位于V(th)與Vplateau之間會怎么樣？

正常情況下，為獲得很低的Rds(on)，MOSFET 的驅(qū)動電壓Vgs通常比較設(shè)定的比較高。問，假如開啟MOSFET的時候，驅(qū)動電壓Vgs比閾值電壓V(th)高，但是又比米勒平臺電壓Vplateau低，這時候會發(fā)生什么樣的狀況？這時候MOSFET的性能會怎樣變化，比如Rds(on)，Vds與Id的變化關(guān)系等。希望能得到各位電源網(wǎng)論壇的高手的釋疑，也歡迎不同知識水平的網(wǎng)友能互相討論，大家互相學習，謝謝！
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2013-07-10 13:51

先說一下我自己的理解吧。我覺得，這個時候MOSFET會開啟，但是，由于Vgs低于米勒平臺電壓，故不能確定MOSFET最終能開啟到什么樣的狀況~~~~~~Rds(on)估計會很大。希望能達到大家的釋疑幫助，謝謝！

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zhenxiang
LV.10
3
2013-07-10 17:55
@大魚來打漁
先說一下我自己的理解吧。我覺得，這個時候MOSFET會開啟，但是，由于Vgs低于米勒平臺電壓，故不能確定MOSFET最終能開啟到什么樣的狀況~~~~~~Rds(on)估計會很大。希望能達到大家的釋疑幫助，謝謝！
基本就是你說的這樣的情況，RDS很大
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2013-07-11 17:37
@zhenxiang
基本就是你說的這樣的情況，RDS很大

嗯，如果Rds(on)很大的話，能大到什么樣的程度？從規(guī)格書上看，這個時候?qū)淖畲驣d也比較小，但是對應的Rds(on)有多少，卻是找不到~~~~~

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2013-07-13 11:38
@大魚來打漁
嗯，如果Rds(on)很大的話，能大到什么樣的程度？從規(guī)格書上看，這個時候?qū)淖畲驣d也比較小，但是對應的Rds(on)有多少，卻是找不到~~~~~

以IRF640的圖表為例，此時Rds(on)會增大很多。

    

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2013-07-14 22:27
@ymyangyong
以IRF640的圖表為例，此時Rds(on)會增大很多。 [圖片]   

嗯，最大Rds(on)能增大到多少呢？下圖是MOSFET的SOA區(qū)，左端斜向上升的曲線受限于最大Rds(on)。請問此時的的Rds(on) 會低于這個最大Rds(on)嗎，還是有可能比這個值更大？ 除了對著SOA區(qū)上的直線自己計算以外 ，最大 Rds(on) 在MOSFET規(guī)格書中哪里能看到？ 

 

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