一種采用ＰＳＧ摻雜技術的ＶＤＭＯＳ、ＩＧＢＴ功率器件及其制造工藝，屬于微電子技術領域，由金屬底層、Ｎ＋襯底層（在Ｉ　　ＧＢＴ功率器件中為Ｐ＋襯底層）、Ｎ－外延層、Ｐ－區(qū)、Ｐ＋區(qū)、Ｎ＋區(qū)、熱氧化ＳｉＯ↓［２］柵氧層、多晶硅柵層、源柵隔離層和金屬表層組成。由磷硅玻璃ＰＳＧ層以單層的形式充任源柵隔離層，取代現(xiàn)有技術中由ＳｉＯ↓［２］層和ＰＳＧ層組合的結構形式，且磷硅玻璃ＰＳＧ層作為生成Ｎ＋區(qū)時的摻雜源，利用其中的磷向硅中的擴散形成Ｎ＋區(qū)，從而有效減少了生產(chǎn)過程中光刻等處理的工序，既有利于降低生產(chǎn)成本、又有利于大幅度提高ＶＤＭＯＳ、ＩＧＢＴ功率器件的工作可靠性，具有極強的實用性和經(jīng)濟性。

這種技術是吉林華微電子發(fā)明并應用 大大提高了高壓MOS的可靠性與穩(wěn)定性，使高壓MOS的工藝成本再次降低，其中，2N60 4N60 5N60 6N60 7N60 7N65 8N60 10N60 12N60 在中小功率電子器件中，形成強有力的市場競爭力，本人在吉林華微電子原廠從事銷售業(yè)務，需要了解價格，請留下聯(lián)系方式謝謝，我就不留聯(lián)系方式了 會被刪帖的

下期會介紹：擴散拋光片單側主擴散制作方法 敬請期待