解決鎮(zhèn)流器調(diào)光MOS管關(guān)不徹底問題
最近做一款調(diào)光鎮(zhèn)流器，方波脈寬調(diào)制半橋驅(qū)動調(diào)光。在調(diào)光最小時發(fā)現(xiàn)半橋上下MOS管溫度快速上升（滿功率時MOS管溫度正常），測試下管波形發(fā)現(xiàn)，MOS管不能完全關(guān)斷時造成的。如下圖，CH1為下管VDS;CH2為下管VGS；CH3為調(diào)光調(diào)制方波。從波形看VGS產(chǎn)生的負壓使MOS管不能完全關(guān)斷。請問是什么原因造成的。有什么好的解決方法。
