做這張圖。12V 6A輸出。芯片單獨供電工作正常。上220V R1燒紅了。。再單獨測試PWM電路，PWM電路一直工作不正常。。芯片發(fā)熱上輔助電源就發(fā)熱。。另外變壓器是不是該用什么雙線無感繞法。。是不是因為變壓器沒做好、、
反激電源MOS管G極電阻燒了
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@makaveli123
不短路。后來又上30V低壓調試了一下。輸入電流從0.75開始慢慢上升。占空比從0.25左右慢慢上升，MOS管發(fā)熱嚴重。拔插MOS管多次，插上以后都是這這個現(xiàn)象。換MOS管還是這個現(xiàn)象。次級沒有電壓。。
該電路有兩個相互獨立的輸入電源端子，一個是220VAC，一個是專門給3842供電的VCC直接送到第7腳(沒見去耦電容)。這兩個電源在PCB上分兩個區(qū)塊，兩部分的地線通過RGND相連。
【問題現(xiàn)象】
1、VCC=12V上電后3842工作正常，6腳輸出占空比接近1的方波，此時芯片不發(fā)熱；
2、加上220VAC電源后，R1=22Ω發(fā)熱燒紅；
3、斷掉220VAC電源，發(fā)現(xiàn)3842芯片變得發(fā)熱；（此時R1是否燒紅—未知）
4、隨后更換3842芯片，同樣發(fā)熱。（此時P6腳有無輸出—未知）
【分析】
1、R1=22Ω發(fā)熱燒紅，可以肯定是R1上有較大電流，該回路是：電源輸入+ —VCC—P7腳—IC內(nèi)部上拉輸出開關管—R1—MOS柵極G—MOS內(nèi)部Ciss—MOS源極—檢流電阻R5—高壓電源地GNDP—跨線RGND—芯片電源地GND1—電源輸入。
柵源極之間是幾千pF的電容，即使是在開關頻率下，也不足以導致R1燒紅的電流，相反如果柵源極GS之間被擊穿產(chǎn)生短路，12V占空比接近1的電壓加載R1=22Ω上，就有6.5W的功率。
2、再看MOS的安全。1中看到檢流電阻是柵極驅動回路中的一部分，而水泥的感量不容忽視，很可能這個電感L與Ciss及其它電阻構成RLC串聯(lián)諧振回路，其頻率可能在開關頻率的某次諧波上。一旦發(fā)生這種情況，Ciss兩端即柵源極之間就會有較高的諧振電壓，這個電壓可能超過柵極安全電壓而使其擊穿。
看原理圖這是個反激拓撲，如果變壓器的原邊即初級漏感不是很小，在開關管關斷后的時段內(nèi)，漏感的儲能會產(chǎn)生較高的反壓，這個反壓加上高壓母線的電壓，一起加載MOS的D機，若該電壓超過MOS的VDS安全電壓，也將使MOS擊穿。所以說這個電路的MOS管處于雙重威脅之下。
【補充】
3、UC384X的P2腳是片內(nèi)誤差放大器的負端輸入，而正端輸入接到內(nèi)部基準電壓2.5V，可看做是運放的虛擬地，運放正常工作時，P2腳近似2.5V。看樓主原電路中光耦接收電路部分，Vref是5V，光耦接收管e極最大到(5-0.4)=4.6V，再經(jīng)過R14和R12兩個等值電阻分壓，送到P2腳的電壓最高只有2.3V，那么按EA增益20計，誤差放大器EA的輸出P1腳電壓一直是最高電壓，這種情況下，EA無法起到反饋作用，整個控制處于開環(huán)狀態(tài)——占空比是最大。這就是12帖ymyangyong
師長建議去掉R12的理由。
4、TL431是內(nèi)部帶基準電壓2.5V的集電極開路運放，它是一個集成電路芯片，而不是像穩(wěn)壓二極管一樣的元件，所以它需要電源供電，為了使光耦能有較大擺動范圍，需要在光耦發(fā)射管旁路并聯(lián)偏置電阻，而樓主原圖中沒有。
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@abccba
該電路有兩個相互獨立的輸入電源端子，一個是220VAC，一個是專門給3842供電的VCC直接送到第7腳(沒見去耦電容)。這兩個電源在PCB上分兩個區(qū)塊，兩部分的地線通過RGND相連?！締栴}現(xiàn)象】1、VCC=12V上電后3842工作正常，6腳輸出占空比接近1的方波，此時芯片不發(fā)熱；2、加上220VAC電源后，R1=22Ω發(fā)熱燒紅；3、斷掉220VAC電源，發(fā)現(xiàn)3842芯片變得發(fā)熱；（此時R1是否燒紅—未知）4、隨后更換3842芯片，同樣發(fā)熱。（此時P6腳有無輸出—未知）【分析】 1、R1=22Ω發(fā)熱燒紅，可以肯定是R1上有較大電流，該回路是：電源輸入+—VCC—P7腳—IC內(nèi)部上拉輸出開關管—R1—MOS柵極G—MOS內(nèi)部Ciss—MOS源極—檢流電阻R5—高壓電源地GNDP—跨線RGND—芯片電源地GND1—電源輸入?！ 旁礃O之間是幾千pF的電容，即使是在開關頻率下，也不足以導致R1燒紅的電流，相反如果柵源極GS之間被擊穿產(chǎn)生短路，12V占空比接近1的電壓加載R1=22Ω上，就有6.5W的功率?！ ?、再看MOS的安全。1中看到檢流電阻是柵極驅動回路中的一部分，而水泥的感量不容忽視，很可能這個電感L與Ciss及其它電阻構成RLC串聯(lián)諧振回路，其頻率可能在開關頻率的某次諧波上。一旦發(fā)生這種情況，Ciss兩端即柵源極之間就會有較高的諧振電壓，這個電壓可能超過柵極安全電壓而使其擊穿?！ 】丛韴D這是個反激拓撲，如果變壓器的原邊即初級漏感不是很小，在開關管關斷后的時段內(nèi)，漏感的儲能會產(chǎn)生較高的反壓，這個反壓加上高壓母線的電壓，一起加載MOS的D機，若該電壓超過MOS的VDS安全電壓，也將使MOS擊穿。所以說這個電路的MOS管處于雙重威脅之下。【補充】 3、UC384X的P2腳是片內(nèi)誤差放大器的負端輸入，而正端輸入接到內(nèi)部基準電壓2.5V，可看做是運放的虛擬地，運放正常工作時，P2腳近似2.5V?？礃侵髟娐分泄怦罱邮针娐凡糠郑琕ref是5V，光耦接收管e極最大到(5-0.4)=4.6V，再經(jīng)過R14和R12兩個等值電阻分壓，送到P2腳的電壓最高只有2.3V，那么按EA增益20計，誤差放大器EA的輸出P1腳電壓一直是最高電壓，這種情況下，EA無法起到反饋作用，整個控制處于開環(huán)狀態(tài)——占空比是最大。這就是12帖ymyangyong[圖片]師長建議去掉R12的理由。 4、TL431是內(nèi)部帶基準電壓2.5V的集電極開路運放，它是一個集成電路芯片，而不是像穩(wěn)壓二極管一樣的元件，所以它需要電源供電，為了使光耦能有較大擺動范圍，需要在光耦發(fā)射管旁路并聯(lián)偏置電阻，而樓主原圖中沒有。
今天又測試一遍功率回路上2V電貌似驅動波形正常占空比接近1，，漏源波形是尖脈沖MOS
幅值還比較高。。我還在上學
，課比較多。。只能下課沖進實驗室測一會。
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@ymyangyong
換MOS管和R5（用1-2w金屬膜電阻）后上到30v以上再試，另建議VCC輸入端加個47-100uf退藕電容。
換了MOS管和電阻以后還是原來的問題。MOS燒了芯片燒了，那個電阻也紅了。。我又斷開輸出側的二極管。在輸出端加電壓。。當電壓是14V以下下。芯片占空比很大，如以前發(fā)的圖。芯片電壓反饋腳為0.34V，當大于14V電壓突變?yōu)?.3V.芯片輸出關斷，占空比為0。。可能還是反饋的問題。。我沒有看見占空比為0.45或以下的情況。。?？赡苓€是上電瞬間。MOS管跑的功率太大了燒穿以后。。。芯片輸出相當于對地短接所以G極電阻才會紅吧。。。
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@abccba
該電路有兩個相互獨立的輸入電源端子，一個是220VAC，一個是專門給3842供電的VCC直接送到第7腳(沒見去耦電容)。這兩個電源在PCB上分兩個區(qū)塊，兩部分的地線通過RGND相連?！締栴}現(xiàn)象】1、VCC=12V上電后3842工作正常，6腳輸出占空比接近1的方波，此時芯片不發(fā)熱；2、加上220VAC電源后，R1=22Ω發(fā)熱燒紅；3、斷掉220VAC電源，發(fā)現(xiàn)3842芯片變得發(fā)熱；（此時R1是否燒紅—未知）4、隨后更換3842芯片，同樣發(fā)熱。（此時P6腳有無輸出—未知）【分析】 1、R1=22Ω發(fā)熱燒紅，可以肯定是R1上有較大電流，該回路是：電源輸入+—VCC—P7腳—IC內(nèi)部上拉輸出開關管—R1—MOS柵極G—MOS內(nèi)部Ciss—MOS源極—檢流電阻R5—高壓電源地GNDP—跨線RGND—芯片電源地GND1—電源輸入?！ 旁礃O之間是幾千pF的電容，即使是在開關頻率下，也不足以導致R1燒紅的電流，相反如果柵源極GS之間被擊穿產(chǎn)生短路，12V占空比接近1的電壓加載R1=22Ω上，就有6.5W的功率?！ ?、再看MOS的安全。1中看到檢流電阻是柵極驅動回路中的一部分，而水泥的感量不容忽視，很可能這個電感L與Ciss及其它電阻構成RLC串聯(lián)諧振回路，其頻率可能在開關頻率的某次諧波上。一旦發(fā)生這種情況，Ciss兩端即柵源極之間就會有較高的諧振電壓，這個電壓可能超過柵極安全電壓而使其擊穿?！ 】丛韴D這是個反激拓撲，如果變壓器的原邊即初級漏感不是很小，在開關管關斷后的時段內(nèi)，漏感的儲能會產(chǎn)生較高的反壓，這個反壓加上高壓母線的電壓，一起加載MOS的D機，若該電壓超過MOS的VDS安全電壓，也將使MOS擊穿。所以說這個電路的MOS管處于雙重威脅之下?！狙a充】 3、UC384X的P2腳是片內(nèi)誤差放大器的負端輸入，而正端輸入接到內(nèi)部基準電壓2.5V，可看做是運放的虛擬地，運放正常工作時，P2腳近似2.5V?？礃侵髟娐分泄怦罱邮针娐凡糠?，Vref是5V，光耦接收管e極最大到(5-0.4)=4.6V，再經(jīng)過R14和R12兩個等值電阻分壓，送到P2腳的電壓最高只有2.3V，那么按EA增益20計，誤差放大器EA的輸出P1腳電壓一直是最高電壓，這種情況下，EA無法起到反饋作用，整個控制處于開環(huán)狀態(tài)——占空比是最大。這就是12帖ymyangyong[圖片]師長建議去掉R12的理由?！ ?、TL431是內(nèi)部帶基準電壓2.5V的集電極開路運放，它是一個集成電路芯片，而不是像穩(wěn)壓二極管一樣的元件，所以它需要電源供電，為了使光耦能有較大擺動范圍，需要在光耦發(fā)射管旁路并聯(lián)偏置電阻，而樓主原圖中沒有。
真高人也, 看都看不懂
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@abccba
該電路有兩個相互獨立的輸入電源端子，一個是220VAC，一個是專門給3842供電的VCC直接送到第7腳(沒見去耦電容)。這兩個電源在PCB上分兩個區(qū)塊，兩部分的地線通過RGND相連?！締栴}現(xiàn)象】1、VCC=12V上電后3842工作正常，6腳輸出占空比接近1的方波，此時芯片不發(fā)熱；2、加上220VAC電源后，R1=22Ω發(fā)熱燒紅；3、斷掉220VAC電源，發(fā)現(xiàn)3842芯片變得發(fā)熱；（此時R1是否燒紅—未知）4、隨后更換3842芯片，同樣發(fā)熱。（此時P6腳有無輸出—未知）【分析】 1、R1=22Ω發(fā)熱燒紅，可以肯定是R1上有較大電流，該回路是：電源輸入+—VCC—P7腳—IC內(nèi)部上拉輸出開關管—R1—MOS柵極G—MOS內(nèi)部Ciss—MOS源極—檢流電阻R5—高壓電源地GNDP—跨線RGND—芯片電源地GND1—電源輸入。 柵源極之間是幾千pF的電容，即使是在開關頻率下，也不足以導致R1燒紅的電流，相反如果柵源極GS之間被擊穿產(chǎn)生短路，12V占空比接近1的電壓加載R1=22Ω上，就有6.5W的功率?！ ?、再看MOS的安全。1中看到檢流電阻是柵極驅動回路中的一部分，而水泥的感量不容忽視，很可能這個電感L與Ciss及其它電阻構成RLC串聯(lián)諧振回路，其頻率可能在開關頻率的某次諧波上。一旦發(fā)生這種情況，Ciss兩端即柵源極之間就會有較高的諧振電壓，這個電壓可能超過柵極安全電壓而使其擊穿?！ 】丛韴D這是個反激拓撲，如果變壓器的原邊即初級漏感不是很小，在開關管關斷后的時段內(nèi)，漏感的儲能會產(chǎn)生較高的反壓，這個反壓加上高壓母線的電壓，一起加載MOS的D機，若該電壓超過MOS的VDS安全電壓，也將使MOS擊穿。所以說這個電路的MOS管處于雙重威脅之下。【補充】 3、UC384X的P2腳是片內(nèi)誤差放大器的負端輸入，而正端輸入接到內(nèi)部基準電壓2.5V，可看做是運放的虛擬地，運放正常工作時，P2腳近似2.5V。看樓主原電路中光耦接收電路部分，Vref是5V，光耦接收管e極最大到(5-0.4)=4.6V，再經(jīng)過R14和R12兩個等值電阻分壓，送到P2腳的電壓最高只有2.3V，那么按EA增益20計，誤差放大器EA的輸出P1腳電壓一直是最高電壓，這種情況下，EA無法起到反饋作用，整個控制處于開環(huán)狀態(tài)——占空比是最大。這就是12帖ymyangyong[圖片]師長建議去掉R12的理由。 4、TL431是內(nèi)部帶基準電壓2.5V的集電極開路運放，它是一個集成電路芯片，而不是像穩(wěn)壓二極管一樣的元件，所以它需要電源供電，為了使光耦能有較大擺動范圍，需要在光耦發(fā)射管旁路并聯(lián)偏置電阻，而樓主原圖中沒有。
注意到R7是連接到光耦的二極管正端，此時選擇的電阻是3.3K，輸出電壓為12V，這個3.3K選取的太大了，建議取值1K。另外并聯(lián)在管夠發(fā)射管的偏置電阻建議取值也為1K。把這兩個改一下看一下。另外在MOS的GS端加一個4.7K/1206電阻。
測試的時候，將輸出端空載。Vcc外接的12V電壓源設置為限流模式，給芯片供電應該不需要多大的功率，將這把死死的限住，以免太大的電流經(jīng)過Vcc，再經(jīng)過驅動電阻，Cgs,限流電阻，使得R1和芯片燒掉了。
另外如果懷疑是水泥電阻的引線電感有問題的話，可以用貼片1206封裝的代替，帶輕載多并一些貼片電阻上去。另外Vcc供電到芯片Vcc管腳間加一個幾百Ω的電阻限一下流。
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