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變壓器繞法瞬間相位討論

   對與變壓器繞法，確實很多，三明治繞法，初級包次級，次級包初級，雙層屏蔽，多層屏蔽，還有正繞反繞，Z子繞法，迂回繞法；那么多變壓器的繞法，大多數(shù)也都是仁者見仁智者見智；至于為什么這樣繞，還有就是Y電容加上去，具體什么作用以及加大加小，也都沒有合適的說法；

   以下就用一個實際例子來說明，變壓器正反繞的原理，以及Y電容的作用。 

變壓器參數(shù)47：8:11

次級繞組8

Vcc ：11

屏蔽繞組：8

第二個和第三個圖反別是不同繞法A.B.C.D點的瞬間電壓分析圖；

CS1，CS2，....CP1.CP2....分別是二次側(cè)和屏蔽的電容，二次側(cè)和Vcc繞組的電容；

第一個圖是繞法：1/2NP-N屏-NS-VCC-1/2NP屏蔽和Vcc反繞。相位圖見第一個圖。

第三個圖繞法：VCC和屏蔽正常繞法；

第一種繞法：ABC三點的電壓同相位，電壓BC相等（因為圈數(shù)相等）；AB繞組電壓差在6V左右；所以才工作的時候BC繞組就算有層間電容，因為沒有電壓差，所以就沒有電流，AB繞組只有6V左右的壓差，所以在不接Y電容的時候測試到的一二次側(cè)電壓在6V左右；

第二種繞法：AC正繞相位一致，B繞組和AC繞組相位相反，AC繞組正電壓36和44V，C繞組負電壓-36V，所以壓差在80V左右；

  有以上分析可以看到，就算你三明治繞法，有屏蔽，如果屏蔽沒有接好，沒有對應(yīng)好，那么一二次側(cè)照樣有很高的電壓。

 

以上純理論分析，如果有錯誤歡迎拍磚。。。。

之前的題目有點夸張，改一下標題

 

 

 

全部回復(fù)(140)
正序查看
倒序查看
2013-10-11 16:40

第二種繞法，相位分析有點錯誤，現(xiàn)在改正一下如下圖 

圖中AF為VCC繞組；CD為屏蔽繞組，AD點接地，E點為二次側(cè)地；

這種繞法覺得很有趣，在MOS管導(dǎo)通的時候，A點為零電位，B點為負電位，E為零電位F點為負電位，這樣的話，電流方向就是A-B和E-F這樣的話就互相抵消；

不過B點相對C點有80V的電壓，因為E-D兩端都是零電位所以，會不會B-C的電位也只能是在屏蔽和次級繞組之間循環(huán)，而不會跑出來?。?/p>

還有就是，覺得應(yīng)該是屏蔽繞組反繞比較好；那樣的話，BC電壓差就很少了

 

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2013-10-12 10:12
@wangbo0227
第二種繞法，相位分析有點錯誤，現(xiàn)在改正一下如下圖[圖片] 圖中AF為VCC繞組；CD為屏蔽繞組，AD點接地，E點為二次側(cè)地；這種繞法覺得很有趣，在MOS管導(dǎo)通的時候，A點為零電位，B點為負電位，E為零電位F點為負電位，這樣的話，電流方向就是A-B和E-F這樣的話就互相抵消；不過B點相對C點有80V的電壓，因為E-D兩端都是零電位所以，會不會B-C的電位也只能是在屏蔽和次級繞組之間循環(huán)，而不會跑出來啊；還有就是，覺得應(yīng)該是屏蔽繞組反繞比較好；那樣的話，BC電壓差就很少了 
哥們 你這題目起大了
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GTGZ
LV.4
4
2013-10-12 11:01

兄弟，NE1102 NE1106應(yīng)該還算熟悉；

如果說變壓器繞法的絕密資料；

后續(xù)新能微應(yīng)該會給你們這種變壓器的專利技術(shù)，有興趣可以研究一下；

抑制EMI共模干擾，輕而易舉；

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2013-10-12 13:59
@GTGZ
兄弟，NE1102NE1106應(yīng)該還算熟悉；如果說變壓器繞法的絕密資料；后續(xù)新能微應(yīng)該會給你們這種變壓器的專利技術(shù)，有興趣可以研究一下；抑制EMI共模干擾，輕而易舉；

NE1102之前的時候一直在使用，現(xiàn)在還在用，

你們的FAE也有說，你們有專門研究變壓器和電路的實驗室和人。

我們不能和你們比啊，沒有儀器又沒人。

如果理論上和實際一樣的話，那么以后做無Y的和正常的產(chǎn)品，對策輻射都不用再去一個一個變壓器繞著試了，這也是蠻好的；

 

之前的時候每一個產(chǎn)品，變壓器都要繞7-8各有的時候繞10幾個，測試輻射總是要測試好幾次，

關(guān)鍵是開發(fā)周期會很長；雖然說輻射傳導(dǎo)不一定都是變壓器的問題，不過變壓器確實是產(chǎn)品的核心部件。

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2013-10-12 14:11
@wangbo0227
NE1102之前的時候一直在使用，現(xiàn)在還在用，你們的FAE也有說，你們有專門研究變壓器和電路的實驗室和人。我們不能和你們比啊，沒有儀器又沒人。如果理論上和實際一樣的話，那么以后做無Y的和正常的產(chǎn)品，對策輻射都不用再去一個一個變壓器繞著試了，這也是蠻好的； 之前的時候每一個產(chǎn)品，變壓器都要繞7-8各有的時候繞10幾個，測試輻射總是要測試好幾次，關(guān)鍵是開發(fā)周期會很長；雖然說輻射傳導(dǎo)不一定都是變壓器的問題，不過變壓器確實是產(chǎn)品的核心部件。
坐等高人
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abccba
LV.9
7
2013-10-12 14:23

樓主的變壓器畫法中，加入了分布電容，更進一步體現(xiàn)了分布的特征，值得借鑒學(xué)習(xí)，如果能將漏感也以結(jié)構(gòu)化的方式表示出來，將對EMX和漏感的相關(guān)設(shè)計和分析十分有益。最近開始忙了，有時間仔細想想。

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2013-10-12 14:35
@abccba
樓主的變壓器畫法中，加入了分布電容，更進一步體現(xiàn)了分布的特征，值得借鑒學(xué)習(xí)，如果能將漏感也以結(jié)構(gòu)化的方式表示出來，將對EMX和漏感的相關(guān)設(shè)計和分析十分有益。最近開始忙了，有時間仔細想想。
其實實際情況，和理論上還是有一點點差別的，還有就是我上面說的都是自己根據(jù)基本的論理推論的，可能會有錯誤，所以比較期待大家；一起討論
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abccba
LV.9
9
2013-10-12 15:10
@wangbo0227
其實實際情況，和理論上還是有一點點差別的，還有就是我上面說的都是自己根據(jù)基本的論理推論的，可能會有錯誤，所以比較期待大家；一起討論

“三明治繞法，初級包次級，次級包初級，雙層屏蔽，多層屏蔽，還有正繞反繞，Z子繞法，迂回繞法；那么多變壓器的繞法”——

大家都下不少功夫在這里，能否說說
1、僅對變壓器而言，要解決的關(guān)鍵兩個問題是什么？（目標和工作方向）
2、僅以一個部件角度，如何簡便測評變壓器相關(guān)指標？（驗證設(shè)計手段）

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wangbo0227
LV.8
10
2013-10-12 21:05
@abccba
“三明治繞法，初級包次級，次級包初級，雙層屏蔽，多層屏蔽，還有正繞反繞，Z子繞法，迂回繞法；那么多變壓器的繞法”——大家都下不少功夫在這里，能否說說1、僅對變壓器而言，要解決的關(guān)鍵兩個問題是什么？（目標和工作方向）2、僅以一個部件角度，如何簡便測評變壓器相關(guān)指標？（驗證設(shè)計手段）

1.曾電容要小，這樣的話，在MOS導(dǎo)通的時候，就又很小的尖峰，大家可以看一看是不是在限流電阻上的三角波電壓，開始的時候有一個干擾，那就是MOS結(jié)電容和變壓器層間電容引起，高電壓的時候容易造成產(chǎn)品不啟動。

2.變壓器繞的好壞以及參數(shù)好壞直接影響傳導(dǎo)，輻射，啟動，二次側(cè)尖峰，一次側(cè)尖峰，效率。發(fā)熱量；

關(guān)鍵參數(shù)，漏感，這個直接影響到你二次側(cè)吸收以及一次側(cè)吸收，還有效率，

主感量：這個決定你變壓器的Bm值，選擇合適的話，能達到磁損，和鐵損平衡，還能決定你的效率好壞；

Y電壓（這個一般比較保密，先說出來吧）：Y電壓的高低，直接影響到你輻射好壞，如果想做無Y的產(chǎn)品，Y電壓小雨10V是有必要的，

其實匝比，主感量，漏感，這個決定效率，要過6級就要在這方面做優(yōu)化；

Y電壓決定你產(chǎn)品干擾好壞，要想過輻射傳導(dǎo)，就要把變壓器瞬間相位弄明白。

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abccba
LV.9
11
2013-10-12 21:21
@wangbo0227
1.曾電容要小，這樣的話，在MOS導(dǎo)通的時候，就又很小的尖峰，大家可以看一看是不是在限流電阻上的三角波電壓，開始的時候有一個干擾，那就是MOS結(jié)電容和變壓器層間電容引起，高電壓的時候容易造成產(chǎn)品不啟動。2.變壓器繞的好壞以及參數(shù)好壞直接影響傳導(dǎo)，輻射，啟動，二次側(cè)尖峰，一次側(cè)尖峰，效率。發(fā)熱量；關(guān)鍵參數(shù)，漏感，這個直接影響到你二次側(cè)吸收以及一次側(cè)吸收，還有效率，主感量：這個決定你變壓器的Bm值，選擇合適的話，能達到磁損，和鐵損平衡，還能決定你的效率好壞；Y電壓（這個一般比較保密，先說出來吧）：Y電壓的高低，直接影響到你輻射好壞，如果想做無Y的產(chǎn)品，Y電壓小雨10V是有必要的，其實匝比，主感量，漏感，這個決定效率，要過6級就要在這方面做優(yōu)化；Y電壓決定你產(chǎn)品干擾好壞，要想過輻射傳導(dǎo)，就要把變壓器瞬間相位弄明白。
謝謝！我好好想想。
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rockyy
LV.6
12
2013-10-13 17:38
@wangbo0227
第二種繞法，相位分析有點錯誤，現(xiàn)在改正一下如下圖[圖片] 圖中AF為VCC繞組；CD為屏蔽繞組，AD點接地，E點為二次側(cè)地；這種繞法覺得很有趣，在MOS管導(dǎo)通的時候，A點為零電位，B點為負電位，E為零電位F點為負電位，這樣的話，電流方向就是A-B和E-F這樣的話就互相抵消；不過B點相對C點有80V的電壓，因為E-D兩端都是零電位所以，會不會B-C的電位也只能是在屏蔽和次級繞組之間循環(huán)，而不會跑出來??；還有就是，覺得應(yīng)該是屏蔽繞組反繞比較好；那樣的話，BC電壓差就很少了 

團長大人，你好，你所說的應(yīng)該是把靜電（冷點）和動點（熱點）分開了，看了半天，才發(fā)現(xiàn)。最好的繞法就是把地都放在變壓器的一邊，應(yīng)該是這個意思吧

還有就是我們一般把屏蔽的地放在初級VCC的地上，你這個圖有點意思是放在次級地，難道放在次級地上更好？

求真相！

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rockyy
LV.6
13
2013-10-13 17:44
@wangbo0227
1.曾電容要小，這樣的話，在MOS導(dǎo)通的時候，就又很小的尖峰，大家可以看一看是不是在限流電阻上的三角波電壓，開始的時候有一個干擾，那就是MOS結(jié)電容和變壓器層間電容引起，高電壓的時候容易造成產(chǎn)品不啟動。2.變壓器繞的好壞以及參數(shù)好壞直接影響傳導(dǎo)，輻射，啟動，二次側(cè)尖峰，一次側(cè)尖峰，效率。發(fā)熱量；關(guān)鍵參數(shù)，漏感，這個直接影響到你二次側(cè)吸收以及一次側(cè)吸收，還有效率，主感量：這個決定你變壓器的Bm值，選擇合適的話，能達到磁損，和鐵損平衡，還能決定你的效率好壞；Y電壓（這個一般比較保密，先說出來吧）：Y電壓的高低，直接影響到你輻射好壞，如果想做無Y的產(chǎn)品，Y電壓小雨10V是有必要的，其實匝比，主感量，漏感，這個決定效率，要過6級就要在這方面做優(yōu)化；Y電壓決定你產(chǎn)品干擾好壞，要想過輻射傳導(dǎo)，就要把變壓器瞬間相位弄明白。
團長把Y電壓這個比較保密的東東都搞出來了，看來是準備拿出壓箱底的東西了，呵呵，這個Y電壓應(yīng)該給輸出功率有關(guān)吧，一般是功率小，Y電壓較小（越小越好）。我知道這個Y電壓與傳導(dǎo)有關(guān)，但是與輻射有多大關(guān)系呢？
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wangbo0227
LV.8
14
2013-10-13 22:43
@rockyy
團長把Y電壓這個比較保密的東東都搞出來了，看來是準備拿出壓箱底的東西了，呵呵，這個Y電壓應(yīng)該給輸出功率有關(guān)吧，一般是功率小，Y電壓較?。ㄔ叫≡胶茫Ｎ抑肋@個Y電壓與傳導(dǎo)有關(guān)，但是與輻射有多大關(guān)系呢？

呵呵，這個是比較保密的東西啊，不過有的東西就是因為保密才導(dǎo)致，技術(shù)停留不前；

Y電壓，和功率也有關(guān)系，不過我覺得重要的還是變壓器的繞法吧。

Y電壓是橫跨一二次側(cè)高頻，低頻，還有很多共模，差模，共存的很雜亂的一個電壓；而一二次側(cè)的AC DC線就好比發(fā)射天線，輸出線規(guī)定要1m。那么也就是說60-100m是比較有效的發(fā)射頻段，

Y電壓越高發(fā)射功率就會越大，這個也只是推論而已；

按照以上的推論加大Y電容就會使Y電壓減小，應(yīng)該輻射也會成比例減小，可是實際情況卻不是這樣子，有點不解，

所以應(yīng)該是除了變壓器Y電壓，發(fā)出的輻射應(yīng)該還有別的地方也有輻射，

如果以上結(jié)論都是對的，那么是不是就可以說：短路一二次側(cè)之后，Y電壓等于零，那么這樣子就能忽略變壓器的影響，就能確定出來，其他元件發(fā)出的輻射了。

 

以上有點亂，

歡迎大家多發(fā)言，

 

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358858518
LV.7
15
2013-10-13 23:01
@wangbo0227
呵呵，這個是比較保密的東西啊，不過有的東西就是因為保密才導(dǎo)致，技術(shù)停留不前；Y電壓，和功率也有關(guān)系，不過我覺得重要的還是變壓器的繞法吧。Y電壓是橫跨一二次側(cè)高頻，低頻，還有很多共模，差模，共存的很雜亂的一個電壓；而一二次側(cè)的ACDC線就好比發(fā)射天線，輸出線規(guī)定要1m。那么也就是說60-100m是比較有效的發(fā)射頻段，Y電壓越高發(fā)射功率就會越大，這個也只是推論而已；按照以上的推論加大Y電容就會使Y電壓減小，應(yīng)該輻射也會成比例減小，可是實際情況卻不是這樣子，有點不解，所以應(yīng)該是除了變壓器Y電壓，發(fā)出的輻射應(yīng)該還有別的地方也有輻射，如果以上結(jié)論都是對的，那么是不是就可以說：短路一二次側(cè)之后，Y電壓等于零，那么這樣子就能忽略變壓器的影響，就能確定出來，其他元件發(fā)出的輻射了。 以上有點亂，歡迎大家多發(fā)言， 
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abccba
LV.9
16
2013-10-14 00:20
@358858518
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，想Y電壓是干擾信號雙向傳輸?shù)慕Y(jié)果。

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358858518
LV.7
17
2013-10-14 01:14
@abccba
[圖片]，想Y電壓是干擾信號雙向傳輸?shù)慕Y(jié)果。
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abccba
LV.9
18
2013-10-14 02:40
@358858518
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這不是在玩積木、搞排列組合嗎？網(wǎng)上流傳的變壓器“絕密”專利技術(shù)不會這么簡單吧！

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358858518
LV.7
19
2013-10-14 02:44
@abccba
這不是在玩積木、搞排列組合嗎？網(wǎng)上流傳的變壓器“絕密”專利技術(shù)不會這么簡單吧！[圖片]
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abccba
LV.9
20
2013-10-14 02:53
@358858518
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也覺得應(yīng)該簡單，就是沒找到好的方式表達這個原理，贊同你說的，都是寶貴經(jīng)驗。

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358858518
LV.7
21
2013-10-14 03:07
@abccba
也覺得應(yīng)該簡單，就是沒找到好的方式表達這個原理，贊同你說的[圖片]，都是寶貴經(jīng)驗。
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qhsz
LV.2
22
2013-10-14 10:01
@wangbo0227
NE1102之前的時候一直在使用，現(xiàn)在還在用，你們的FAE也有說，你們有專門研究變壓器和電路的實驗室和人。我們不能和你們比啊，沒有儀器又沒人。如果理論上和實際一樣的話，那么以后做無Y的和正常的產(chǎn)品，對策輻射都不用再去一個一個變壓器繞著試了，這也是蠻好的； 之前的時候每一個產(chǎn)品，變壓器都要繞7-8各有的時候繞10幾個，測試輻射總是要測試好幾次，關(guān)鍵是開發(fā)周期會很長；雖然說輻射傳導(dǎo)不一定都是變壓器的問題，不過變壓器確實是產(chǎn)品的核心部件。
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wangbo0227
LV.8
23
2013-10-14 10:02
@358858518
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電磁加速器？是啥玩意啊，我之前的時候用了一個10萬伏的一個直流電壓，做了一個離子風(fēng)扇，就是直接用電壓加速空氣，

你的電磁加速器是不是小號的電磁炮啊

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abccba
LV.9
24
2013-10-14 10:32
@358858518
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老弟說的是，畫影圖符的事做得太多了，的確頭疼腦傷，于己又毫無現(xiàn)實意義。是要改改了！
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358858518
LV.7
25
2013-10-14 11:07
@wangbo0227
電磁加速器？是啥玩意啊，我之前的時候用了一個10萬伏的一個直流電壓，做了一個離子風(fēng)扇，就是直接用電壓加速空氣，你的電磁加速器是不是小號的電磁炮啊[圖片]
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358858518
LV.7
26
2013-10-14 11:11
@abccba
老弟說的是，畫影圖符的事做得太多了，的確頭疼腦傷，于己又毫無現(xiàn)實意義。是要改改了！[圖片]
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abccba
LV.9
27
2013-10-14 11:18
@358858518
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你這個可是應(yīng)該保密的，不然——
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358858518
LV.7
28
2013-10-14 11:24
@abccba
你這個可是應(yīng)該保密的，不然——[圖片]
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abccba
LV.9
29
2013-10-14 11:45
@358858518
**此帖已被管理員刪除**
直接請你去山溝里，隨后通知家屬你沒了，給你找個年輕的姑娘再成個家。
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358858518
LV.7
30
2013-10-14 13:11
@abccba
直接請你去山溝里，隨后通知家屬你沒了[圖片]，給你找個年輕的姑娘再成個家[圖片]。
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wangbo0227
LV.8
31
2013-10-14 13:52
@358858518
**此帖已被管理員刪除**
剛查了一下資料，你應(yīng)該做的是線圈炮，這個比較容易做，不過你的8級加速，有點難度啊，原理都很簡單，不知道你要怎么控制，線圈的通斷電，還是利用電容電量自動為零啊。加速到音速有點難啊，   期待效果啊，估計你的做出來之后，應(yīng)該也挺重的吧。單手拿不動
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