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反激式PSR控制,單級PFC,恒流輸出,LT3798

具有單級PFC的反激式PSR方式控制得到恒壓輸出相對恒流輸出要容易理解些,所以到現(xiàn)在也沒弄明白是怎么實(shí)現(xiàn)恒流的。論壇里有好幾個(gè)帖子談?wù)揚(yáng)SR恒壓/恒流的原理,特截來一段如下

《《《 恒壓:現(xiàn)在大部分芯片都是直接取樣輔助線圈上電壓,由于漏感的原因,在MOS關(guān)斷后,也就是次級二極管導(dǎo)通瞬間,會產(chǎn)生一個(gè)尖峰,影響電壓采樣,為了避開個(gè)這個(gè)尖峰,大部分廠家都是采用延時(shí)采機(jī),也就是在MOS管關(guān)斷一段時(shí)間后再來采樣線圈電壓。從而避開漏感尖峰。次級圈數(shù)固定,輔助繞組固定,取樣精度高。比較器內(nèi)部精度也高,自然可以得到較高的輸出電壓精度。

恒流:

Np*Ipk=Ns*Ipks 

Ipks=Np*Ipk /Ns,

將Ipks=Np*Ipk /Ns代入Io=(Td/T)*Ipsk/2 ,

得到Io=(Td/T)*(Np*Ipk /Ns)/2。

可以看出Np,Ns為常數(shù),只要固定Ipk,和Td/T就可以得到固定的電流輸出。 

固定Ipk的方式是限制初級MOS取樣電阻上的峰值電壓,同時(shí)為了避免寄生電容在導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的電流尖峰,會加入一段消隱時(shí)間。Td/T 是由IC內(nèi)部固定的。芯片資料里都會給出的,LZ仔細(xì)找找。這就是實(shí)現(xiàn)恒流的基本原理,輸出電壓變化時(shí)能保證電流不變。只要保證IC  Td/T 的精度,以及初級峰值電流的限流精度就可以得到較高的輸出電流精度。這兩部分基本上取決于IC。取樣電阻保證1%是沒有問題的。次級圈數(shù)固定,輔助繞組固定,取樣精度高。比較器內(nèi)部精度也高,自然可以得到較高的輸出電壓精度?!贰贰?/strong>

LT3799(LT3798)能夠?qū)崿F(xiàn)恒壓/恒流輸出,但是沒看懂datasheet上的(也沒看出Td/T是多少,另外,從芯片的角度看,芯片并不知道自己工作的電路中Np/Ns是多少,因此,假如芯片內(nèi)部通過電路固定了Td/T,再又怎樣固定了(Np/Ns)*Ipk進(jìn)而固定輸出電流的呢?)所以截來請分析一下

 

 


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abccba
LV.9
2
2013-10-21 08:10

(笨人說笨話,懶人有懶招)

1、這里說的PSR,限于反激電路。反激拓?fù)浜蜕龎和負(fù)涞脑硪粯?,區(qū)別是多個(gè)匝比。為簡化,直接用升壓拓?fù)浞治?,即不加輸出檢流電阻,能否通過MOS源極檢流電阻或其它參數(shù),來計(jì)算或檢測輸出電流?

2、這里說的PSR,限于DCM模式,即一個(gè)周期內(nèi),電感電流要從0A開始充電,且放電到0A。做了限制,間接計(jì)算輸出電流就變得可行也簡單。

3、說升壓拓?fù)洳CM,電感電流是有上坡有下坡的三角波,上坡是源極檢流波形,下坡是輸出電流波形,還有一段電流假期。

  下坡的直角三角波形的面積Ipk*t下坡被一個(gè)周期Tpwm平均,Ipk*t下坡/Tpwm不就是輸出平均電流么?

4、Ipk可以通過源極檢流電阻檢測;Tpwm不用說;t下坡怎么檢測?起始點(diǎn)是MOS關(guān)斷時(shí)刻,結(jié)束點(diǎn)在電感電壓上會有反應(yīng),反激電路中通過輔助繞組電壓反應(yīng)。

  那么,這個(gè)反應(yīng)的特征是什么呢?或者說比較閾值電壓是多少呢? (鉆進(jìn)芯片肚里——思考ing)

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48125W
LV.2
3
2013-10-27 21:12
@abccba
(笨人說笨話,懶人有懶招)1、這里說的PSR,限于反激電路。反激拓?fù)浜蜕龎和負(fù)涞脑硪粯?,區(qū)別是多個(gè)匝比。為簡化,直接用升壓拓?fù)浞治?,即不加輸出檢流電阻,能否通過MOS源極檢流電阻或其它參數(shù),來計(jì)算或檢測輸出電流?2、這里說的PSR,限于DCM模式,即一個(gè)周期內(nèi),電感電流要從0A開始充電,且放電到0A。做了限制,間接計(jì)算輸出電流就變得可行也簡單。3、說升壓拓?fù)洳CM,電感電流是有上坡有下坡的三角波,上坡是源極檢流波形,下坡是輸出電流波形,還有一段電流假期?!∠缕碌闹苯侨遣ㄐ蔚拿娣eIpk*t下坡被一個(gè)周期Tpwm平均,Ipk*t下坡/Tpwm不就是輸出平均電流么?[圖片]4、Ipk可以通過源極檢流電阻檢測;Tpwm不用說;t下坡怎么檢測?起始點(diǎn)是MOS關(guān)斷時(shí)刻,結(jié)束點(diǎn)在電感電壓上會有反應(yīng),反激電路中通過輔助繞組電壓反應(yīng)。 那么,這個(gè)反應(yīng)的特征是什么呢?或者說比較閾值電壓是多少呢? (鉆進(jìn)芯片肚里——思考ing)

看了一個(gè)技術(shù)文檔說到了一種實(shí)現(xiàn)方法,算是解惑了

但是還是沒弄懂LT3799里面的實(shí)現(xiàn)方法

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48125W
LV.2
4
2013-10-31 10:50
@abccba
(笨人說笨話,懶人有懶招)1、這里說的PSR,限于反激電路。反激拓?fù)浜蜕龎和負(fù)涞脑硪粯樱瑓^(qū)別是多個(gè)匝比。為簡化,直接用升壓拓?fù)浞治?,即不加輸出檢流電阻,能否通過MOS源極檢流電阻或其它參數(shù),來計(jì)算或檢測輸出電流?2、這里說的PSR,限于DCM模式,即一個(gè)周期內(nèi),電感電流要從0A開始充電,且放電到0A。做了限制,間接計(jì)算輸出電流就變得可行也簡單。3、說升壓拓?fù)洳CM,電感電流是有上坡有下坡的三角波,上坡是源極檢流波形,下坡是輸出電流波形,還有一段電流假期。 下坡的直角三角波形的面積Ipk*t下坡被一個(gè)周期Tpwm平均,Ipk*t下坡/Tpwm不就是輸出平均電流么?[圖片]4、Ipk可以通過源極檢流電阻檢測;Tpwm不用說;t下坡怎么檢測?起始點(diǎn)是MOS關(guān)斷時(shí)刻,結(jié)束點(diǎn)在電感電壓上會有反應(yīng),反激電路中通過輔助繞組電壓反應(yīng)?!∧敲矗@個(gè)反應(yīng)的特征是什么呢?或者說比較閾值電壓是多少呢? (鉆進(jìn)芯片肚里——思考ing)

“Ipk可以通過源極檢流電阻檢測;Tpwm不用說;t下坡怎么檢測

t下坡可以用比較器檢測,假設(shè)將一個(gè)周期分成三個(gè)時(shí)間段Tsw_on,Tdiode_on,T3,輔助繞組上的電壓在Tsw_on時(shí)為負(fù),在Tdiode時(shí)為正,在T3時(shí)為振蕩(幅度有限),所以可以用比較器檢測

我們知道比較器的檢測輸出都是高低電平,只能作為使能信號來用

要保證Tdiode_on/T為定值怎么實(shí)現(xiàn)呢

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48125W
LV.2
5
2013-10-31 12:48
@48125W
看了一個(gè)技術(shù)文檔說到了一種實(shí)現(xiàn)方法,算是解惑了但是還是沒弄懂LT3799里面的實(shí)現(xiàn)方法
仿真看積分器的作用

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