根據(jù)什么參數(shù)，如何選擇電源控制芯片？
各路大神，我是開(kāi)關(guān)電源的初學(xué)者，這幾天有個(gè)問(wèn)題一直沒(méi)搞懂：選擇電源控制芯片應(yīng)該看哪些參數(shù)呢？就我目前的理解，首先應(yīng)該看輸入是否滿足要求，看占空比，看內(nèi)置開(kāi)關(guān)管的工作頻率，看功率管的耐壓值。但是我看有一些芯片（內(nèi)置MOS）datasheet里面寫(xiě)的有輸出電壓，最大輸出電流，這是什么意思哦？按照我的理解，內(nèi)置MOS后又不需要驅(qū)動(dòng)外部的MOS管，為什么還會(huì)有這些參數(shù)呢？實(shí)在是搞不懂。還有就是什么芯片可以用在隔離情況下，什么不可以，怎么判斷呢？用在隔離情況下選擇芯片時(shí)要考慮哪些呢？看了書(shū)還是沒(méi)有找到答案，糾結(jié)了好幾天的問(wèn)題，望路過(guò)的大神指教！
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輸出電壓、最大輸出電流，也就是輸出功率，輸出功率越大，MOS流過(guò)的電流越大，也即MOS的功耗越大，發(fā)熱越大，所以內(nèi)置MOS在發(fā)熱上有限制。
是否隔離和芯片的關(guān)系不大，比如UC384*芯片，即可以用于隔離，也可以用于非隔離。
但是某些芯片是專門(mén)針對(duì)某一類拓?fù)湓O(shè)計(jì)的，比如flyback（隔離），那就最好只用于flyback。當(dāng)然也可以用于非隔離的與flyback相對(duì)應(yīng)的拓?fù)?，只是工程上沒(méi)人會(huì)這么用，如果只是做實(shí)驗(yàn)研究，那也是可以這么用的。
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@sometimes
內(nèi)置mos當(dāng)然也有電流標(biāo)稱，超過(guò)電流標(biāo)稱，內(nèi)置mos的發(fā)熱可能就會(huì)過(guò)大，溫升過(guò)高會(huì)燒壞管子。作為初學(xué)者，完全不需要這么著急，很多問(wèn)題都是要了解了最基本的知識(shí)，就會(huì)知道怎么回事。
哦，我現(xiàn)在想動(dòng)手設(shè)計(jì)一個(gè)開(kāi)關(guān)電源，所以碰到這類問(wèn)題就是糾結(jié)著看哪些參數(shù)來(lái)選擇從而滿足自己的需求。
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@新月GG
輸出電壓、最大輸出電流，也就是輸出功率，輸出功率越大，MOS流過(guò)的電流越大，也即MOS的功耗越大，發(fā)熱越大，所以內(nèi)置MOS在發(fā)熱上有限制。是否隔離和芯片的關(guān)系不大，比如UC384*芯片，即可以用于隔離，也可以用于非隔離。但是某些芯片是專門(mén)針對(duì)某一類拓?fù)湓O(shè)計(jì)的，比如flyback（隔離），那就最好只用于flyback。當(dāng)然也可以用于非隔離的與flyback相對(duì)應(yīng)的拓?fù)?，只是工程上沒(méi)人會(huì)這么用，如果只是做實(shí)驗(yàn)研究，那也是可以這么用的。
那是不是可以這樣子理解：datasheet里面的輸出電壓、最大輸出電流只是用來(lái)標(biāo)示內(nèi)置MOS管的性能，以此來(lái)判斷其損耗、發(fā)熱的大小，而與我自己想要設(shè)計(jì)的最終輸出電壓、電流沒(méi)有什么影響？我不需要拿著自己的輸出電壓、輸出電流和這個(gè)做比較，必須要滿足datasheet里面的這兩個(gè)參數(shù)，是這樣嗎？
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@新月GG
輸出電壓、最大輸出電流，也就是輸出功率，輸出功率越大，MOS流過(guò)的電流越大，也即MOS的功耗越大，發(fā)熱越大，所以內(nèi)置MOS在發(fā)熱上有限制。是否隔離和芯片的關(guān)系不大，比如UC384*芯片，即可以用于隔離，也可以用于非隔離。但是某些芯片是專門(mén)針對(duì)某一類拓?fù)湓O(shè)計(jì)的，比如flyback（隔離），那就最好只用于flyback。當(dāng)然也可以用于非隔離的與flyback相對(duì)應(yīng)的拓?fù)?，只是工程上沒(méi)人會(huì)這么用，如果只是做實(shí)驗(yàn)研究，那也是可以這么用的。
我設(shè)計(jì)的最終輸出功率必須要小于這datasheet里面的這兩個(gè)參數(shù)計(jì)算出來(lái)的功率嘛？
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