各位高手,請(qǐng)教一下,用CR6853做的12v/2A開(kāi)關(guān)電源斷開(kāi)負(fù)載時(shí)變壓器有“噠噠”聲,不知是哪里保護(hù)了,mosfet管5N60,電流取樣電阻0.56/2W 工作頻率132k 變壓器初級(jí)85T,反饋12T,次級(jí)8T,待機(jī)正常,帶載正常,斷開(kāi)負(fù)載變壓器發(fā)出噠噠的聲音,請(qǐng)各位高手們指點(diǎn)一下如何整改,多謝。
我把CR6853的設(shè)計(jì)指導(dǎo)書中的一段拷貝給你:
1).芯片在設(shè)計(jì)初始為了降低系統(tǒng)在空載或較輕負(fù)載狀態(tài)下系統(tǒng)整機(jī)的功率損耗,系統(tǒng)正常工作時(shí)CR6853 FB 端允許的最大的輸出電流IFBmax≈0.5mA,最小工作電流 IFBmin≈0.18mA;即流過(guò)光耦接收端集射極的電流Ic 最大為 0.5mA 左右,最小為0.18mA 左右。假設(shè)光耦的最大傳輸比CTR=0.8,系統(tǒng)二次側(cè)(次級(jí)) TL431 的工作電流僅由流過(guò)光耦發(fā)射端二極管的電流IF 提供,那么通過(guò)Ic 折算到流過(guò)光耦發(fā)射端二極管的電流IF 最大僅為0.63mA,這個(gè)電流將無(wú)法滿足TL431 的最小工作電流(1mA),所以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),使用CR6853 設(shè)計(jì)的系統(tǒng)必須給次級(jí)TL431 提供一個(gè)常態(tài)偏置電阻(圖2.5 反饋控制電路中的Rbias),使 TL431工作在正常的狀態(tài),否則系統(tǒng)的負(fù)載調(diào)整率或其他性能可能會(huì)發(fā)生異常,在12V 輸出的系統(tǒng)中,考慮空載或輕載時(shí)系統(tǒng)的損耗因素,推薦使用的偏置電阻阻值為2.2K。
2).當(dāng) VFB=0.9~1.4V 時(shí)系統(tǒng)工作在CRM 工作模式,如果系統(tǒng)出現(xiàn)可聽(tīng)及的異音,請(qǐng)先檢查系統(tǒng)是否工作正常,如果你確認(rèn)無(wú)誤,請(qǐng)檢查系統(tǒng)緩沖吸收回路中的電容材質(zhì),如果使用的是普通壓電陶瓷電容,那么當(dāng)系統(tǒng)在CRM 工作狀態(tài)時(shí)電容由于發(fā)生壓電效應(yīng)而產(chǎn)生異音是很可能的。這時(shí)請(qǐng)更換電容的材質(zhì),如 MYLA,PEA,MEF 或 CBB 等薄膜類電容;考慮成本及電容體積大小的因素,我們推薦使用MYLA(緹綸)電容,在保證吸收回路效果的前提下可以通過(guò)調(diào)整緩沖吸收回路中的電阻阻值來(lái)減少該電容的值有利于縮小電容體積及降低系統(tǒng)成本。
3).當(dāng)系統(tǒng)工作在滿載的情況下,如果系統(tǒng)出現(xiàn)可聽(tīng)及的異音時(shí),請(qǐng)檢查系統(tǒng)是否工作正常,如果你確認(rèn)無(wú)誤,請(qǐng)檢查芯片的 FB 端的電壓波形是否較平滑,如果發(fā)現(xiàn)較大的干擾請(qǐng)檢查系統(tǒng)的PCB layout 是否合理,對(duì)于較小的干擾可通過(guò)外加濾波網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行抑制,如圖1.7.2 中的RFB及 CFB組成的低通濾波器,這里RFB,CFB 的取值不宜過(guò)大,比如47 Ohm,1000 PF;根據(jù)系統(tǒng)的實(shí)際情況,RFB 可以為0 Ohm。RFB,CFB 的取值會(huì)影響系統(tǒng)的 圖1.7.2 FB低通濾波器環(huán)路穩(wěn)定,一般CFB 的取值建議要≤4700PF。
4)、當(dāng)系統(tǒng)工作在輸出空載,輕載或滿載轉(zhuǎn)空載的情況下,如果發(fā)現(xiàn)輸出端電壓在較大范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí),首先確定電路設(shè)計(jì)、PCB layout 是否正確及環(huán)路是否穩(wěn)定,如果確定無(wú)誤,請(qǐng)?jiān)俅螜z查變壓器給芯片供電的輔助繞組是否能保證系統(tǒng)在輸出空載或輕載的情況下芯片VDD 端的電壓在 8.8V(UVLO 典型值)以上,否則系統(tǒng)可能工作在UVLO 臨界狀態(tài)。值得注意的是變壓器輔助線圈在設(shè)計(jì)時(shí)需要把與VDD 端相連的整流二極管的管壓降以及限流電阻的壓降考慮進(jìn)去,另外還要考慮變壓器層間耦合系數(shù)/強(qiáng)度的關(guān)系;耦合較弱時(shí),空載時(shí)芯片VDD 端電壓值較低,容易進(jìn)入U(xiǎn)VLO 狀態(tài),但是滿載狀態(tài)下VDD 端電壓上升較少;耦合過(guò)強(qiáng),對(duì)提高空載時(shí)芯片VDD 端電壓穩(wěn)定系統(tǒng)有較大的幫助,但滿載狀態(tài)下VDD 端電壓上升較多,容易讓芯片進(jìn)入OVP 狀態(tài)。考慮到系統(tǒng)滿載瞬間轉(zhuǎn)空載或空載瞬間轉(zhuǎn)滿載時(shí)由于能量瞬變導(dǎo)致 VDD 端電壓下沖誤觸發(fā) UVLO的原因,在系統(tǒng)允許的輸入電壓范圍內(nèi)且系統(tǒng)輸出為空載時(shí)建議芯片VDD 端電壓要>11.5V,特別要注意高端輸入電壓如264V/50Hz 時(shí)的情況。